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Productos de semiconductoros discretos (13379)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
DF10S Diodes Incorporated DF10S 0.9702
RFQ
 ECAD 4076 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota DF10 Estándar DF-S descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1 a 10 µA @ 1000 V 1 A Fase única 1 kV
DDTD123YC-7-F Diodes Incorporated Ddtd123yc-7-f 0.3100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Ddtd123 200 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 500 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 2.5 mA, 50 mA 56 @ 50 mm, 5V 200 MHz 2.2 kohms 10 kohms
T4M10T600B Diodes Incorporated T4M10T600B 0.6500
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo T4M10T - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-T4M10T600B EAR99 8541.30.0080 50
SF30BG-B Diodes Incorporated SF30BG-B -
RFQ
 ECAD 6530 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero Do-201ad, axial Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 950 MV @ 3 A 35 ns 5 µA @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 3A 75pf @ 4V, 1 MHz
BZX84C12-13-F-79 Diodes Incorporated BZX84C12-13-F-79 -
RFQ
 ECAD 6332 0.00000000 Diodos incorporados * Tape & Reel (TR) Obsoleto BZX84 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado BZX84C12-13-F-79DI EAR99 8541.10.0050 10,000
DMG3413L-7 Diodes Incorporated DMG3413L-7 -
RFQ
 ECAD 3073 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMG3413 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 3a (TA) 1.8V, 4.5V 95mohm @ 3a, 4.5V 1.3V @ 250 µA 9 NC @ 4.5 V ± 8V 857 pf @ 10 V - 700MW (TA)
AZ23C7V5-7 Diodes Incorporated AZ23C7V5-7 -
RFQ
 ECAD 9176 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C7V5 300 MW Sot-23-3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 par Ánodo Común 7.5 V 7 ohmios
DMN30H4D0L-13 Diodes Incorporated DMN30H4D0L-13 0.1616
RFQ
 ECAD 7928 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN30 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 300 V 250 mA (TA) 2.7V, 10V 4ohm @ 300mA, 10V 3V @ 250 µA 7.6 NC @ 10 V ± 20V 187.3 pf @ 25 V - 310MW (TA)
APT13005TF-G1 Diodes Incorporated APT13005TF-G1 -
RFQ
 ECAD 8376 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Apt13005 28 W Un 220-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados APT13005TF-G1DI EAR99 8541.29.0095 1,000 450 V 4 A - NPN 900mv @ 1a, 4a 8 @ 2a, 5v 4MHz
DCX114YUQ-13R-F Diodes Incorporated DCX114YUQ-13R-F 0.0538
RFQ
 ECAD 9162 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101, DCX (XXXX) U Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 DCX114 200MW Sot-363 descascar Alcanzar sin afectado 31-DCX114YUQ-13R-FTR EAR99 8541.21.0075 10,000 50V 100mA 500NA (ICBO) 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 10 kohms 47 kohms
DMG1013UW-7 Diodes Incorporated DMG1013UW-7 0.3500
RFQ
 ECAD 423 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 DMG1013 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 820 Ma (TA) 1.8V, 4.5V 750mohm @ 430mA, 4.5V 1V @ 250 µA 0.622 NC @ 4.5 V ± 6V 59.76 pf @ 16 V - 310MW (TA)
BC847BVCQ-7 Diodes Incorporated BC847BVCQ-7 0.1203
RFQ
 ECAD 8295 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 BC847 150MW SOT-563 - Alcanzar sin afectado 31-BC847BVCQ-7TR EAR99 8541.21.0095 3.000 45V 100mA 15NA (ICBO) 2 NPN (dual) 300mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
DMN2400UFD-7 Diodes Incorporated DMN2400UFD-7 0.4000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-UDFN DMN2400 Mosfet (Óxido de metal) X1-DFN1212-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 900 mA (TA) 1.5V, 4.5V 600mohm @ 200 MMA, 4.5V 1V @ 250 µA 500 NC @ 4.5 V ± 12V 37 pf @ 16 V - 400MW (TA)
DSS5240Y-7 Diodes Incorporated DSS5240Y-7 0.0750
RFQ
 ECAD 9246 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 DSS5240 625 MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DSS5240Y-7DI EAR99 8541.21.0075 3.000 40 V 2 A 100NA (ICBO) PNP 350mv @ 200MA, 2a 210 @ 1a, 2v 220MHz
SBRT20M80SP5-13 Diodes Incorporated SBRT20M80SP5-13 -
RFQ
 ECAD 1753 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie Powerdi ™ 5 SBRT20 Super Barrera Powerdi ™ 5 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 80 V 660 MV @ 20 A 200 µA @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C 20A -
DMG7401SFG-13 Diodes Incorporated DMG7401SFG-13 0.5800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMG7401 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 30 V 9.8a (TA) 4.5V, 20V 11mohm @ 12a, 20V 3V @ 250 µA 58 NC @ 10 V ± 25V 2987 pf @ 15 V - 940MW (TA)
DZ23C6V2-7 Diodes Incorporated DZ23C6V2-7 -
RFQ
 ECAD 9084 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23C6V2 300 MW Sot-23-3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 par Cátodo Común 6.2 V 10 ohmios
DDTC114ECAQ-7-F Diodes Incorporated DDTC114ECAQ-7-F 0.0375
RFQ
 ECAD 2483 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Ddtc114 200 MW Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-DDTC114ECAQ-7-FTR EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 35 @ 5MA, 5V 250 MHz 10 kohms 10 kohms
BSS138W-7-F Diodes Incorporated BSS138W-7-F 0.3000
RFQ
 ECAD 98 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BSS138 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 50 V 200MA (TA) 10V 3.5ohm @ 220 mm, 10V 1.5V @ 250 µA ± 20V 50 pf @ 10 V - 200MW (TA)
DMNH6065SSDQ-13 Diodes Incorporated DMNH6065SSDQ-13 0.4410
RFQ
 ECAD 9009 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMNH6065 Mosfet (Óxido de metal) 1.5W (TA) 8-SO descascar Alcanzar sin afectado 31-DMNH6065SSDQ-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 60V 3.8a (TA) 65mohm @ 3a, 10v 3V @ 250 µA 11.3nc @ 10V 446pf @ 30V -
B560C-13-01-F Diodes Incorporated B560C-13-01-F -
RFQ
 ECAD 1589 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-214AB, SMC B560 Schottky SMC - 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 700 MV @ 5 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 300pf @ 4V, 1MHz
MMBZ5248BS-7 Diodes Incorporated MMBZ5248BS-7 -
RFQ
 ECAD 6042 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 MMBZ5248BS 200 MW Sot-363 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 2 Independientes 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 14 V 18 V 21 ohmios
MJD32C-13 Diodes Incorporated MJD32C-13 0.2093
RFQ
 ECAD 7129 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MJD32 15 W Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 100 V 3 A 1 µA PNP 1.2V @ 375MA, 3A 10 @ 3a, 4v 3MHz
DMN3027LFG-7 Diodes Incorporated DMN3027LFG-7 0.6700
RFQ
 ECAD 8308 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMN3027 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 30 V 5.3a (TA) 4.5V, 10V 18.6mohm @ 10a, 10v 1.8V @ 250 µA 11.3 NC @ 10 V ± 25V 580 pf @ 15 V - 1W (TA)
ZXMD65P02N8TA Diodes Incorporated ZXMD65P02N8TA -
RFQ
 ECAD 7395 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) ZXMD65P02 Mosfet (Óxido de metal) 1.75W 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 2 Canal P (Dual) 20V 4A 50mohm @ 2.9a, 4.5V 700mV @ 250 µA (min) 20NC @ 4.5V 960pf @ 15V -
DSC08C065FP Diodes Incorporated DSC08C065FP 3.4300
RFQ
 ECAD 4836 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paquete completo, Pestaña aislada Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY ITO-220AC (TUPO WX) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 31-DSC08C065FP EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 650 V 1.7 V @ 8 A 200 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 8A 273pf @ 100mv, 1 MHz
PD3S220L-7 Diodes Incorporated PD3S220L-7 0.4800
RFQ
 ECAD 8941 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie PowerDi ™ 323 PD3S220 Schottky PowerDi ™ 323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 490 MV @ 2 A 160 µA @ 20 V -65 ° C ~ 125 ° C 2A 46pf @ 10V, 1 MHz
DFLZ20Q-7 Diodes Incorporated DFLZ20Q-7 0.1417
RFQ
 ECAD 1270 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie PowerDI®123 Dflz20 1 W PowerDi ™ 123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 15 V 20 V 3 ohmios
DMP58D1LV-13 Diodes Incorporated DMP58D1LV-13 0.4100
RFQ
 ECAD 6952 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 DMP58 Mosfet (Óxido de metal) 490MW (TA) SOT-563 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 2 Canal P (Dual) 50V 220 Ma (TA) 8ohm @ 100 mapa, 5V 2V @ 250 µA 1.2NC @ 10V 37pf @ 25V Estándar
DMN2991UDR4-7 Diodes Incorporated DMN2991UDR4-7 0.2900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-xfdfn almohadilla exposición DMN2991 Mosfet (Óxido de metal) 380MW (TA) X2-DFN1010-6 (TUPO UXC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 5,000 2 Canal N (Dual) 20V 500 mA (TA) 990MOHM @ 100MA, 4.5V 1V @ 250 µA 0.28nc @ 4.5V 14.6pf @ 16V Estándar
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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