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Productos de semiconductoros discretos (13379)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
MBRM360-13 Diodes Incorporated MBRM360-13 1.0600
RFQ
 ECAD 629 0.00000000 Diodos incorporados * Cinta de Corte (CT) Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados MBRM360DITR EAR99 8541.10.0080 5,000
PR2003-T Diodes Incorporated PR2003-T -
RFQ
 ECAD 6467 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial Estándar Do-15 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 4.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.2 v @ 2 a 150 ns 5 µA @ 200 V -65 ° C ~ 150 ° C 2a 35pf @ 4V, 1MHz
MBRF1040CT-JT Diodes Incorporated MBRF1040CT-JT -
RFQ
 ECAD 1596 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA MBRF1040 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 40 V 5A 650 MV @ 5 A 100 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C
SDM05U20S3-7 Diodes Incorporated SDM05U20S3-7 0.3900
RFQ
 ECAD 9108 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-76, SOD-323 SDM05 Schottky Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 390 MV @ 500 Ma 160 µA @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 10pf @ 5V, 1 MHz
DMT68M8LSS-13 Diodes Incorporated DMT68M8LSS-13 0.2125
RFQ
 ECAD 4398 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMT68 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 28.9a (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 13.5a, 10v 3V @ 250 µA 31.8 NC @ 10 V ± 20V 2107 pf @ 30 V - 1.9W (TA)
MBR2150VGTR-G1 Diodes Incorporated MBR2150VGTR-G1 -
RFQ
 ECAD 1168 0.00000000 Diodos incorporados - Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial Schottky Do-15 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 850 MV @ 2 A 100 µA @ 150 V -65 ° C ~ 150 ° C 2a -
ZHCS500QTC Diodes Incorporated Zhcs500qtc 0.1488
RFQ
 ECAD 3686 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 ZHCS500 Schottky Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Zhcs500qtcdi EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 780 MV @ 1 A 10 ns 40 µA @ 30 V 125 ° C (Máximo) 1A 20pf @ 25V, 1 MHz
MMBZ5226BT-7-F Diodes Incorporated MMBZ5226BT-7-F 0.4000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOT-523 MMBZ5226 150 MW SOT-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 25 µA @ 1 V 3.3 V 28 ohmios
ZXMN6A09DN8TC Diodes Incorporated Zxmn6a09dn8tc -
RFQ
 ECAD 5981 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) ZXMN6 Mosfet (Óxido de metal) 1.25W 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 60V 4.3a 40mohm @ 8.2a, 10v 3V @ 250 µA 24.2NC @ 5V 1407pf @ 40V Puerta de Nivel Lógico
BZT52C8V2-13-G Diodes Incorporated BZT52C8V2-13-G -
RFQ
 ECAD 7768 0.00000000 Diodos incorporados * Tape & Reel (TR) Obsoleto BZT52 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado BZT52C8V2-13-GDI EAR99 8541.10.0050 10,000
1N5259B-T Diodes Incorporated 1N5259B-T -
RFQ
 ECAD 9916 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5259 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 Ma 100 µA @ 30 V 39 V 80 ohmios
ZLLS1000TA Diodes Incorporated Zlls1000ta 0.6000
RFQ
 ECAD 127 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 ZLLS1000 Schottky Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 560 MV @ 1 A 5 ns 20 µA @ 30 V 150 ° C (Máximo) 1.16a 28pf @ 30V, 1MHz
DDZX6V2B-7 Diodes Incorporated DDZX6V2B-7 0.2500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DDZX6 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 500 na @ 4 V 6.2 V 7 ohmios
BZT52C33-13 Diodes Incorporated BZT52C33-13 -
RFQ
 ECAD 2021 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 BZT52 500 MW SOD-123 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 23.1 V 33 V 80 ohmios
DMN62D0UV-13 Diodes Incorporated DMN62D0UV-13 0.0610
RFQ
 ECAD 5420 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 DMN62 Mosfet (Óxido de metal) 470MW (TA) SOT-563 - 1 (ilimitado) 31-DMN62D0UV-13TR EAR99 8541.21.0095 10,000 2 Canal N (Dual) 60V 490MA (TA) 2ohm @ 100 mm, 4.5V 1V @ 250 µA 0.5nc @ 4.5V 32pf @ 30V Estándar
MMBZ5239BT-7-F Diodes Incorporated MMBZ5239BT-7-F 0.0736
RFQ
 ECAD 5277 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOT-523 MMBZ5239 150 MW SOT-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 7 V 9.1 V 10 ohmios
DMTH10H010LCTB-13 Diodes Incorporated DMTH10H010LCTB-13 0.9188
RFQ
 ECAD 5924 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 DMTH10 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 100 V 108a (TC) 10V 9.5mohm @ 13a, 10v 3.5V @ 250 µA 53.7 NC @ 10 V ± 20V 2592 pf @ 50 V - 2.4W (TA), 166W (TC)
ZV931V2TA Diodes Incorporated ZV931V2TA 0.4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados * Cinta de Corte (CT) Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1034-ZV931V2TADKR EAR99 8541.10.0080 3.000
RS1M-13-F Diodes Incorporated Rs1m-13-F 0.4700
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Rs1m Estándar SMA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 V @ 1 A 500 ns 5 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
MMSZ5246BQ-7-F Diodes Incorporated MMSZ5246BQ-7-F 0.0365
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 MMSZ5246 370 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-MMSZ5246BQ-7-FTR EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 12 V 16 V 17 ohmios
MMBD4448W-7 Diodes Incorporated MMBD4448W-7 0.4700
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Diodos incorporados * Tape & Reel (TR) Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000
T12M35T800HC Diodes Incorporated T12M35T800HC 0.7900
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo T12M35 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-T12M35T800HC EAR99 8541.30.0080 50
SBR40U45CT Diodes Incorporated SBR40U45CT 3.0700
RFQ
 ECAD 4197 0.00000000 Diodos incorporados SBR® Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 SBR40 Super Barrera Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 20A 520 MV @ 20 A 600 µA @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C
DMT10H025SK3-13 Diodes Incorporated DMT10H025SK3-13 0.2361
RFQ
 ECAD 8840 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMT10 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 41.2a (TC) 6V, 10V 23mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 21.4 NC @ 10 V ± 20V 1544 pf @ 50 V - 1.4W (TA)
S2G-13 Diodes Incorporated S2G-13 -
RFQ
 ECAD 8038 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB S2G Estándar SMB descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.15 V @ 1.5 A 5 µA @ 400 V -65 ° C ~ 150 ° C 1.5a 20pf @ 4V, 1 MHz
DMP2060UFDB-13 Diodes Incorporated DMP2060UFDB-13 -
RFQ
 ECAD 9561 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMP2060 Mosfet (Óxido de metal) 1.4w U-DFN2020-6 (TUPO B) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMP2060UFDB-13DI EAR99 8541.29.0095 10,000 2 Canal P (Dual) 20V 3.2a 90mohm @ 2.9a, 4.5V 1.4V @ 250 µA 18NC @ 8V 881pf @ 10V -
MMBD4448HAQW-7-G Diodes Incorporated Mmbd4448haqw-7-g -
RFQ
 ECAD 7485 0.00000000 Diodos incorporados * Tape & Reel (TR) Obsoleto - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MMBD4448HAQW-7-GDI EAR99 8541.10.0070 3.000
MBR10100CTF-E1 Diodes Incorporated MBR10100CTF-E1 -
RFQ
 ECAD 5795 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tubo Obsoleto A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero MBR1010 Schottky Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados MBR10100CTF-E1DI EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 5A 840 MV @ 5 A 50 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C
BZX84C20-13-F-79 Diodes Incorporated BZX84C20-13-F-79 -
RFQ
 ECAD 1458 0.00000000 Diodos incorporados * Tape & Reel (TR) Obsoleto BZX84 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado BZX84C20-13-F-79DI EAR99 8541.10.0050 10,000
DMS2085LSD-13 Diodes Incorporated DMS2085LSD-13 0.3500
RFQ
 ECAD 8244 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMS2085 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 20 V 3.3a ​​(TA) 4.5V, 10V 85mohm @ 3.05a, 10V 2.2V @ 250 µA 7.8 NC @ 10 V ± 20V 353 pf @ 15 V Diodo Schottky (Aislado) 1.1W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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