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Productos de semiconductoros discretos (13379)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
DMG302PU-7 Diodes Incorporated DMG302PU-7 0.1247
RFQ
 ECAD 7991 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMG302 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 25 V 170MA (TA) 2.7V, 4.5V 10ohm @ 200Ma, 4.5V 1.5V @ 250 µA 0.35 NC @ 4.5 V -8v 27.2 pf @ 10 V - 330MW
ZVN3310A Diodes Incorporated ZVN3310A 0.8600
RFQ
 ECAD 1244 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) ZVN3310 Mosfet (Óxido de metal) Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado ZVN3310A-NDR EAR99 8541.21.0095 4.000 N-canal 100 V 200MA (TA) 10V 10ohm @ 500 mA, 10V 2.4V @ 1MA ± 20V 40 pf @ 25 V - 625MW (TA)
DDTC123YUA-7-F Diodes Incorporated DDTC123YUA-7-F 0.2500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 DDTC123 200 MW Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 33 @ 10mA, 5V 250 MHz 2.2 kohms 10 kohms
BAV20W-7-F Diodes Incorporated BAV20W-7-F 0.2400
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123 Bav20 Estándar SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 150 V 1.25 V @ 200 Ma 50 ns 100 na @ 150 V -65 ° C ~ 150 ° C 200 MMA 5PF @ 0V, 1MHz
SB560-A52 Diodes Incorporated SB560-A52 -
RFQ
 ECAD 1906 0.00000000 Diodos incorporados - Cinta y Caja (TB) Obsoleto descascar Alcanzar sin afectado 31-SB560-A52TB EAR99 8541.10.0080 1
ZXTN25020DZTA Diodes Incorporated Zxtn25020dzta 0.5700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA ZXTN25020 2.4 W SOT-89-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 20 V 6 A 50NA (ICBO) NPN 270mv @ 300 mm, 6a 300 @ 10mA, 2V 215MHz
BC848BW-7-F Diodes Incorporated BC848BW-7-F 0.0386
RFQ
 ECAD 9092 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BC848 200 MW Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 100 mA 20NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
MMSZ5258BS-7-F Diodes Incorporated MMSZ5258BS-7-F 0.0483
RFQ
 ECAD 4098 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 MMSZ5258 200 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 27 V 36 V 70 ohmios
DMP4050SSD-13 Diodes Incorporated DMP4050SSD-13 0.9200
RFQ
 ECAD 213 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMP4050 Mosfet (Óxido de metal) 1.8w 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal P (Dual) 40V 4A 50mohm @ 6a, 10v 3V @ 250 µA 13.9nc @ 10V 674pf @ 20V -
BAS116V-7 Diodes Incorporated BAS116V-7 0.4500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 BAS116 Estándar SOT-563 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 85 V 215MA (DC) 1.25 V @ 150 Ma 3 µs 5 na @ 75 V -65 ° C ~ 150 ° C
FZT851QTA Diodes Incorporated FZT851QTA 1.3200
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA FZT851 3 W SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Afectados de Alcanzar EAR99 8541.29.0075 1,000 60 V 6 A 50NA (ICBO) NPN 375mv @ 300mA, 6a 100 @ 2a, 1v 130MHz
BZT52C20-7-F Diodes Incorporated BZT52C20-7-F 0.2100
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 BZT52 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 14 V 20 V 55 ohmios
SDT2L40CP3-7B Diodes Incorporated SDT2L40CP3-7B 0.0916
RFQ
 ECAD 9422 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 0603 (1608 Métrica) Schottky X3-DSN1608-2 descascar Alcanzar sin afectado 31-SDT2L40CP3-7BTR EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 520 MV @ 2 A 150 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 285pf @ 4V, 1MHz
SMAZ7V5-13 Diodes Incorporated Smaz7v5-13 -
RFQ
 ECAD 8605 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AC, SMA Smaz7v5 1 W SMA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 5 V 7.5 V 2 ohmios
DMTH41M8SPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH41M8SPSQ-13 1.8200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH41 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 (Tipo K) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Afectados de Alcanzar EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 100A (TC) 10V 1.8mohm @ 30a, 10v 4V @ 250 µA 79.5 NC @ 10 V ± 20V 6968 pf @ 20 V - 3.03W
1N5819HWQ-7-F Diodes Incorporated 1N5819HWQ-7-F 0.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123 1N5819 Schottky SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 450 MV @ 1 A 1 ma @ 40 V -65 ° C ~ 125 ° C 1A 50pf @ 4V, 1 MHz
ES3DB-13-F Diodes Incorporated ES3DB-13-F 0.6400
RFQ
 ECAD 127 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB ES3D Estándar SMB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Afectados de Alcanzar EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 900 MV @ 3 A 25 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
BAT54A-13-F-31 Diodes Incorporated BAT54A-13-F-31 -
RFQ
 ECAD 8415 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 Schottky Sot-23-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 31-bat54A-13-F-31TR EAR99 8541.10.0070 10,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Ánodo Común 30 V 200 MMA 800 MV @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 25 V -65 ° C ~ 150 ° C
SBR3U60P5-7D Diodes Incorporated SBR3U60P5-7D -
RFQ
 ECAD 8286 0.00000000 Diodos incorporados Automotive, AEC-Q101, SBR® Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie Powerdi ™ 5 SBR3U60 Super Barrera Powerdi ™ 5 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Afectados de Alcanzar EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 60 V 600 MV @ 3 A 60 µA @ 60 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A 110pf @ 4V, 1MHz
SDM02U30CSP-7 Diodes Incorporated SDM02U30CSP-7 0.3200
RFQ
 ECAD 249 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 2-xdfn SDM02 Schottky X3-WLB0603-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 500 MV @ 200 Ma 50 µA @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 200 MMA 9PF @ 5V, 1MHz
BAT54WS-7-F Diodes Incorporated BAT54WS-7-F 0.2000
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-76, SOD-323 BAT54 Schottky Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 30 V 1 V @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 25 V -65 ° C ~ 150 ° C 100mA 10pf @ 1v, 1 MHz
S1DB-13-F Diodes Incorporated S1DB-13-F 0.3900
RFQ
 ECAD 272 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB S1D Estándar SMB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.1 v @ 1 a 3 µs 5 µA @ 200 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
DFLS2100Q-7-52 Diodes Incorporated DFLS2100Q-7-52 0.3500
RFQ
 ECAD 8841 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo Montaje en superficie PowerDI®123 DFLS2100 Schottky PowerDi ™ 123 descascar 31-DFLS2100Q-7-52 EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 860 MV @ 2 A 9 ns 1 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C 2a 36pf @ 5V, 1MHz
BSR33QTA Diodes Incorporated Bsr33qta 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA BSR33 2.1 W SOT-89-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 80 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 100 maja, 5v 100MHz
SBR1045SP5-13 Diodes Incorporated SBR1045SP5-13 0.8400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Diodos incorporados Automotive, AEC-Q101, SBR® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Powerdi ™ 5 SBR1045 Super Barrera Powerdi ™ 5 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Afectados de Alcanzar EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 550 MV @ 10 A 450 µA @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C 10A 500pf @ 4V, 1MHz
DMT10H9M9SCT Diodes Incorporated DMT10H9M9SCT 1.1212
RFQ
 ECAD 3658 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 DMT10 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-DMT10H9M9SCT EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 99a (TC) 6V, 10V 8.8mohm @ 20a, 10v 3.9V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 20V 2085 pf @ 50 V - 2.3W (TA), 156W (TC)
ZVP4424GTA Diodes Incorporated ZVP4424GTA 1.0900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA ZVP4424 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Afectados de Alcanzar EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 240 V 480MA (TA) 3.5V, 10V 9ohm @ 200ma, 10v 2v @ 1 mapa ± 40V 200 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
SBR20A300CTB-13 Diodes Incorporated SBR20A300CTB-13 1.7700
RFQ
 ECAD 290 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SBR20 Super Barrera Un 263 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Afectados de Alcanzar EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 300 V 10A 920 MV @ 10 A 45 ns 100 µA @ 300 V -65 ° C ~ 175 ° C
BSS84DW-7 Diodes Incorporated BSS84DW-7 -
RFQ
 ECAD 1390 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 BSS84 Mosfet (Óxido de metal) 300MW Sot-363 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 50V 130 Ma 10ohm @ 100 mapa, 5V 2v @ 1 mapa - 45pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
DI9952T Diodes Incorporated DI9952T 1.5500
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 Diodos incorporados * Cinta de Corte (CT) Activo DI9952 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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