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Productos de semiconductoros discretos (6960)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RBR30T60AnZC9 | 1.6600 |  | 900 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Cinta de Corte (CT) | Activo | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | RBR30 | Schottky | Un 220FN | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 15A | 670 MV @ 15 A | 600 µA @ 60 V | 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MP6K11TCR | - | | 7480 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-smd, planos de cables | MP6K11 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | Mpt6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 3.5a | 98mohm @ 3.5a, 10V | 2.5V @ 1MA | 1.9nc @ 5V | 85pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1SS244T-77 | - | | 4713 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | 1SS244 | Estándar | MSD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 5,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 220 V | 1.5 V @ 200 Ma | 75 ns | 10 µA @ 220 V | 175 ° C (Máximo) | 200 MMA | 3PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Dtd543zetl | 0.4600 | | 4308 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | Dtd543 | 150 MW | EMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 V | 500 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 5 Ma, 100 Ma | 140 @ 100mA, 2V | 260 MHz | 4.7 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bzx84c22vlyfht116 | 0.3800 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.68% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 15 V | 22 V | 55 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rd3h045spfratl | 1.4300 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RD3H045 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 45 V | 4.5a (TA) | 4V, 10V | 155mohm @ 4.5a, 10v | 3V @ 1MA | 12 NC @ 5 V | ± 20V | 550 pf @ 10 V | - | 15W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rfn2l4sddte25 | 0.5800 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Rfn2l4 | Estándar | PMDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.2 V @ 1.5 A | 30 ns | 1 µA @ 400 V | 150 ° C | 1.5a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Dta044tebtl | 0.1900 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | Dta044 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 60 Ma | 500NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 150mv @ 500 µA, 5 mA | 100 @ 5 MMA, 10V | 250 MHz | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4617TLQ | 0.3500 | | 923 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | 2SC4617 | 150 MW | EMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 5 Ma, 50 Ma | 120 @ 1 MMA, 6V | 180MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SAR502U3HZGT106 | 0.4000 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 2Sar502 | 200 MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 V | 500 mA | 200NA (ICBO) | PNP | 400mv @ 10mA, 200 mA | 200 @ 100 mapa, 2v | 520MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SD1859TV2P | - | | 2415 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 3-SIP | 2SD1859 | 1 W | Canal de televisión Británnico | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 846-2SD1859TV2PTB | 2.500 | 80 V | 700 Ma | 500NA | PNP | 500mv @ 1 mapa, 10 ma | 180 @ 2mA, 6V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RGWX5TS65DHRC11 | 6.4900 | | 6976 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | RGWX5TS65 | Estándar | 348 W | To-247n | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RGWX5TS65DHRC11 | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | 400V, 37.5a, 10ohm, 15V | 92 ns | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 132 A | 300 A | 1.9V @ 15V, 75a | 213 NC | 62ns/237ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rr2lam4str | 0.4800 | | 9 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SOD-128 | RR2LAM4 | Estándar | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 v @ 2 a | 10 µA @ 400 V | 150 ° C (Máximo) | 2a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Edzfjte615.6b | - | | 9220 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Edz | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | Edzfjt | 100 MW | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-edzfjte615.6btr | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1SS400FTE61 | - | | 9378 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-1SS400FTE61TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RB162LAM-60TFTR | 0.4700 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | RB162 | Schottky | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 100 µA @ 60 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Edzgte615.6b | - | | 5381 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Edz | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | Edzgt | 100 MW | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-edzgte615.6btr | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSM080D12P2C008 | 382.4800 | | 21 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Banda | Activo | 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | BSM080 | CARBURO DE SILICIO (SIC) | 600W | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | 2 Canal N (Dual) | 1200V (1.2kv) | 80a (TC) | - | 4V @ 13.2MA | - | 800pf @ 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Kdzvtr2.7b | 0.4300 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Kdzv | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 7.41% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123F | KDZVTR2.7 | 1 W | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 µA @ 1 V | 2.9 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB520VM-40TE-17 | 0.4000 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | RB520 | Schottky | Umd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 40 V | 550 MV @ 100 Ma | 10 µA @ 40 V | 150 ° C | 200 MMA | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rsd130p10tl | 0.8604 | | 5849 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RSD130 | Mosfet (Óxido de metal) | CPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 100 V | 13a (TA) | 4V, 10V | - | - | ± 20V | - | 20W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RGT60TS65DGC13 | 10.5100 | | 8559 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | RGT60 | Estándar | 194 W | To-247g | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RGT60TS65DGC13 | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | 400V, 30a, 10ohm, 15V | 58 ns | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 55 A | 90 A | 2.1V @ 15V, 30a | - | 58 NC | 29ns/100ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Mtzjt-776.8c | - | | 5901 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | MTZ J | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 3% | - | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | 500 MW | MSD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 2 µA @ 3.5 V | 6.8 V | 20 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RFN5BGE3STL | 0.8600 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Rfn5b | Estándar | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 350 V | 1.5 V @ 5 A | 30 ns | 10 µA @ 350 V | 150 ° C (Máximo) | 5A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1SS400LTE61 | - | | 5328 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-1SS400LTE61TR | Obsoleto | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB168MM100TFTR | 0.4800 | | 12 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | RB168 | Schottky | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 810 MV @ 1 A | 400 na @ 100 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IMX17T108 | 0.1807 | | 8955 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-74, SOT-457 | IMX17 | 300MW | Smt6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 500mA | 100NA (ICBO) | 2 NPN (dual) | 600mv @ 50 mA, 500 mA | 120 @ 100 mapa, 3V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Dtd513ze3tl | 0.4000 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | Dtd513 | 150 MW | EMT3 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 V | 500 mA | 500NA | NPN - Precializado + Diodo | 300mv @ 5 Ma, 100 Ma | 140 @ 100mA, 2V | 260 MHz | 1 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CDZFHT2RA20B | 0.4800 | | 7 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotive, AEC-Q101, CDZFH | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 2.2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sod-923 | CDZFHT2 | 100 MW | Vmn2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 15 V | 19.955 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Kdzlvtftr130 | 0.4500 | | 9483 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123F | Kdzlvtftr130 | 1 W | SOD-123FL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 5 µA @ 102 V | 130 V |
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