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Productos de semiconductoros discretos (6960)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Aplicacionales	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Condición de PrueBa	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Real - Corte de Coleción (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Resistencia - Base (R1)	Resistencia - Base de Emisor (R2)
1SS4007Ste61	-	RFQ	7504	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto												-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		846-1SS4007Ste61TR	Obsoleto		3.000
Pdzvtftr20b	0.4400	RFQ	1653	Semiconductor rohm	Automotive, AEC-Q101, PDZVTF	Tape & Reel (TR)	Activo	± 6%		150 ° C (TJ)		Montaje en superficie	SOD-128	Pdzvtftr20			1 W	Pmdtm	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000																					10 µA @ 15 V													21.2 V	14 ohmios
RGT20TM65DGC9	2.7900	RFQ	6314	Semiconductor rohm	-	Tubo	Activo			-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)		A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	RGT20	Estándar		25 W	Un 220nfm	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	846-RGT20TM65DGC9	EAR99	8541.29.0095	50					400V, 10a, 10ohm, 15V															42 ns					Parada de Campo de Trinchera	650 V	10 A	30 A	2.1V @ 15V, 10a	-	22 NC	12ns/32ns
Dtc113zu3hzgt106	0.3800	RFQ	45	Semiconductor rohm	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo					Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	DTC113			200 MW	UMT3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																										50 V	100 mA						500NA			NPN - Pre -Sesgado	300mv @ 500 µA, 10 mA	33 @ 5MA, 5V	250 MHz	1 kohms	10 kohms
RB162VA-20TR	0.1462	RFQ	7184	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños					Montaje en superficie	2-SMD, Plano Plano	RB162		Schottky		Tumd2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)															20 V		400 MV @ 1 A		1.2 Ma @ 20 V	125 ° C (Máximo)	1A	-
RB521S-30FVTE61	-	RFQ	8667	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto							RB521					descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		846-RB521S-30FVTE61TR	EAR99	8541.10.0070	3.000
VDZT2R6.2B	-	RFQ	8872	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%		-55 ° C ~ 150 ° C		Montaje en superficie	Sod-723	VDZT2			100 MW	VMD2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	8,000																					1 µA @ 3 V													6.2 V	60 ohmios
Dta123Jebtl	0.0488	RFQ	3782	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo					Montaje en superficie	SC-89, SOT-490	DTA123			150 MW	EMT3F (SOT-416FL)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																										50 V	100 mA						500NA			PNP - Pre -Sesgado	300mV @ 250 µA, 5 mA	80 @ 10mA, 5V	250 MHz	2.2 kohms	47 kohms
Dtc143tkt146	-	RFQ	7251	Semiconductor rohm	Dtc143t	Tape & Reel (TR)	Obsoleto					Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	DTC143			200 MW	Smt3	descascar	ROHS3 Cumplante			846-DTC143TKT146TR	Obsoleto		3.000																										50 V	100 mA						500NA (ICBO)			NPN - Pre -Sesgado	150mv @ 250 µA, 5 mA	100 @ 1 mapa, 5v	250 MHz	4.7 kohms
2SC4083T106P	0.4500	RFQ	1	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños			150 ° C (TJ)		Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	2SC4083			200 MW	UMT3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																										11 V	50 Ma						500NA (ICBO)			NPN	500mv @ 5 Ma, 10 Ma	82 @ 5MA, 10V	3.2GHz
Raq045p01tcr	0.4800	RFQ	8	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo			150 ° C (TJ)		Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6	RAQ045		Mosfet (Óxido de metal)		TSMT6 (SC-95)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000			Canal P			12 V	4.5a (TA)	1.5V, 4.5V	30mohm @ 4.5a, 4.5V	1V @ 1MA	40 NC @ 4.5 V	-8v	4200 pf @ 6 V	-	600MW (TA)
Rb098bm100tl	1.3800	RFQ	2	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo					Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	RB098		Schottky		Un 252	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)														1 par Cátodo Común	100 V	6A	770 MV @ 3 A		3 µA @ 100 V	150 ° C
RFUH20TJ6SGC9	2.0800	RFQ	852	Semiconductor rohm	-	Tubo	Activo					A Través del Aguetero	To20-2 paqueto entero	Rfuh20		Estándar		Un 220ACFP	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)															600 V		2.8 V @ 20 A	80 ns	10 µA @ 600 V	150 ° C	20A	-
EMF6T2R	0.1814	RFQ	1630	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños		PNP DE 12V, 30V N-CANAL		Propósito general	Montaje en superficie	SOT-563, SOT-666	EMF6T2				EMT6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	8,000				PNP DE 500 MA, 100 MA-CANAL																																PNP, N-Canal
Edzgte6120b	-	RFQ	8404	Semiconductor rohm	Edz	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-		-55 ° C ~ 125 ° C		Montaje en superficie		Edzgt			100 MW		descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		846-edzgte6120btr	EAR99	8541.10.0050	3.000
Rq5a040zptl	0.8100	RFQ	8	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo			150 ° C (TJ)		Montaje en superficie	SC-96	RQ5A040		Mosfet (Óxido de metal)		TSMT3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000			Canal P			12 V	4A (TA)	1.5V, 4.5V	30mohm @ 4a, 4.5V	1V @ 1MA	30 NC @ 4.5 V	± 10V	2350 pf @ 6 V	-	700MW (TA)
RB521ZS-309ST2R	-	RFQ	3458	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto					Montaje en superficie	0201 (0603 Métrica)	RB521		Schottky		Gmd2	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	846-RB521ZS-309ST2RTR	EAR99	8541.10.0070	8,000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad															30 V		370 MV @ 10 Ma		7 µA @ 10 V	150 ° C	100mA	-
RJU002N06FRAT106	0.0924	RFQ	8145	Semiconductor rohm	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños			150 ° C (TJ)		Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	RJU002		Mosfet (Óxido de metal)		UMT3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000			N-canal			60 V	200MA (TA)	2.5V, 4.5V	2.3ohm @ 200MA, 4.5V	1.5V @ 1MA		± 12V	18 pf @ 10 V	-	200MW (TA)
R6535KNX3C16	6.8600	RFQ	165	Semiconductor rohm	-	Tubo	Activo			150 ° C (TJ)		A Través del Aguetero	Un 220-3	R6535		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	846-R6535KNX3C16	EAR99	8541.29.0095	50			N-canal			650 V	35A (TC)	10V	115mohm @ 18.1a, 10v	5V @ 1.3MA	72 NC @ 10 V	± 20V	3000 pf @ 25 V	-	370W (TC)
Rsx301la-3ytr	-	RFQ	3747	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto					Montaje en superficie				Schottky			-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados	846-RSX301LA-3YTR	EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)															30 V		420 MV @ 3 A			150 ° C (Máximo)	3A	-
Bat54hyt116	0.5400	RFQ	2	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo					Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BAT54		Schottky		Sot-23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad															30 V		800 MV @ 100 Ma	50 ns	2 µA @ 25 V	150 ° C	200 MMA	12pf @ 1v, 1 MHz
UT6K3TCR1	1.0000	RFQ	2	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo			150 ° C (TJ)		Montaje en superficie	8-Powerudfn	UT6K3		Mosfet (Óxido de metal)	2W (TA)	Huml2020l8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 Canal N (Dual)					30V	5.5a (TA)		42mohm @ 5a, 4.5V	1.5V @ 1MA	4NC @ 4.5V		450pf @ 15V	-
Ydzvfhtr12	0.3600	RFQ	2	Semiconductor rohm	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	± 10%		150 ° C (TJ)		Montaje en superficie	2-SMD, Plano Plano	Ydzvfhtr12			500 MW	Tumd2m	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000																					10 µA @ 8 V													12 V
RB238NS-40FHTL	2.3700	RFQ	891	Semiconductor rohm	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo					Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	RB238		Schottky		LPDS	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)														1 par Cátodo Común	40 V	40A	800 MV @ 20 A		12 µA @ 40 V	150 ° C (Máximo)
UDZVTE-1720B	0.2700	RFQ	28	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-		-55 ° C ~ 150 ° C		Montaje en superficie	SC-90, SOD-323F	Udzvte			200 MW	Umd2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000																					100 na @ 15 V													20 V	85 ohmios
BSS138WT106	0.5000	RFQ	2	Semiconductor rohm	Optimos®	Tape & Reel (TR)	Activo			150 ° C (TJ)		Montaje en superficie	SC-70, SOT-323			Mosfet (Óxido de metal)		UMT3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000			N-canal			60 V	310MA (TA)	2.5V, 10V	2.4ohm @ 310 mm, 10v	2.3V @ 1MA		± 20V	15 pf @ 30 V	-	200MW (TA)
GDZ8EPT2R6.8	-	RFQ	1077	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto												-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		846-GDZ8EPT2R6.8TR	EAR99	8541.10.0050	8,000
BSM180C12P3C202	590.4000	RFQ	11	Semiconductor rohm	-	Una granela	Activo			-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Monte del Chasis	Módulo	BSM180		Sicfet (CARBURO DE SILICIO)		Módulo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	846-BSM180C12P3C202	EAR99	8541.29.0095	12			N-canal			1200 V	180A (TC)	-	-	5.6V @ 50 Ma		+22V, -4V	9000 pf @ 10 V	-	880W (TC)
Rsj151p10tl	1.5500	RFQ	1	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo			150 ° C (TJ)		Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	RSJ151		Mosfet (Óxido de metal)		LPTS	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			Canal P			100 V	15A (TC)	4V, 10V	120mohm @ 15a, 10v	2.5V @ 1MA	64 NC @ 10 V	± 20V	3800 pf @ 25 V	-	1.35W (TA), 50W (TC)
RRQ020P03TCR	0.4100	RFQ	3	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo			150 ° C (TJ)		Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6	RRQ020		Mosfet (Óxido de metal)		TSMT6 (SC-95)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000			Canal P			30 V	2a (TA)	4V, 10V	160mohm @ 2a, 10v	2.5V @ 1MA	3.2 NC @ 5 V	± 20V	230 pf @ 10 V	-	1.25W (TA)