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Productos de semiconductoros discretos (6960)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Actual | Voltaje | Voltaje - Aislamiente | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BM63573S-VC | 21.4000 |  | 52 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Módulo de 25 Potencias (1.327 ", 33.70 mm) | IGBT | BM63573 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-BM63573S-VC | EAR99 | 8542.39.0001 | 60 | Inversor de 3 fase | 10 A | 600 V | 1500 VRMS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB168MM-30TR | 0.3600 | | 46 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | RB168 | Schottky | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 690 MV @ 1 A | 600 na @ 30 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RW1E025RPT2CR | - | | 5974 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-smd, planos de cables | RW1E025 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-wemt | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | Canal P | 30 V | 2.5a (TA) | 4V, 10V | 75mohm @ 2.5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 5.2 NC @ 5 V | ± 20V | 480 pf @ 10 V | - | 700MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Dtc143xe3hzgtl | 0.4200 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | DTC143 | 150 MW | EMT3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 4.7 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB218T-30NZC9 | 1.5400 | | 990 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | RB218 | Schottky | Un 220FN | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 30 V | 20A | 720 MV @ 10 A | 5 µA @ 30 V | 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RP1E100RPTR | - | | 1906 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-smd, planos de cables | RP1E0100 | Mosfet (Óxido de metal) | Mpt6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 30 V | 10a (TA) | 10V | 12.6mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 1MA | 39 NC @ 5 V | ± 20V | 3600 pf @ 10 V | - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RGW60TS65EHRC11 | 7.1200 | | 5127 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | RGW60 | Estándar | 178 W | To-247n | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RGW60TS65EHRC11 | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | 400V, 15a, 10ohm, 15V | 146 ns | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 64 A | 120 A | 1.9V @ 15V, 30a | 84 NC | 37ns/101ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Edzvt2r7.5b | 0.1800 | | 52 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Edzv | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | Edzvt2 | 150 MW | EMD2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 500 na @ 4 V | 7.5 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Sh8kb6tb1 | 0.9100 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sh8kb6 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W (TA) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 8.5A (TA) | 19.4mohm @ 8.5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 10.6nc @ 10V | 530pf @ 20V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rr2lam6str | 0.5100 | | 8692 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SOD-128 | RR2LAM6 | Estándar | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.1 v @ 2 a | 10 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 2a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Dta113zu3t106 | 0.2000 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Dta113 | 200 MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | - | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 1 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RSD050N06TL | 0.2999 | | 6469 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RSD050 | Mosfet (Óxido de metal) | CPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 5A (TA) | 4V, 10V | 109mohm @ 5a, 10v | 3V @ 1MA | 8 NC @ 10 V | ± 20V | 290 pf @ 10 V | - | 15W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Ptzte2536b | 0.4300 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 5% | - | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Ptzte2536 | 1 W | PMDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 10 µA @ 27 V | 39.2 V | 20 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | R6047KNZ4C13 | 14.2000 | | 11 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | R6047 | Mosfet (Óxido de metal) | To-247 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-R6047KNZ4C13 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 47a (TC) | 10V | 72mohm @ 25.8a, 10v | 5V @ 1MA | 100 NC @ 10 V | ± 20V | 4300 pf @ 25 V | - | 481W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | R6015KNZC8 | - | | 8623 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | R6015 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 15A (TC) | 10V | 290mohm @ 6.5a, 10V | 5V @ 1MA | 27.5 NC @ 10 V | ± 20V | 1050 pf @ 25 V | - | 60W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bzx84b10vlt116 | 0.2600 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 250 MW | SSD3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 na @ 7 V | 10 V | 20 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SCR293PT100 | 0.1856 | | 7739 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2SCR293 | 2 W | MPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 30 V | 1 A | 100NA (ICBO) | NPN | 350mv @ 25 mm, 500 mA | 270 @ 100mA, 2V | 320MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSS63AHZGT116 | 0.3900 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BSS63 | 200 MW | SST3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 100 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 10 Ma, 100 Ma | 30 @ 25 MMA, 1V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB500SM-30FHT2R | 0.2000 | | 22 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | RB500 | Schottky | EMD2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 30 V | 450 MV @ 10 Ma | 500 na @ 10 V | 150 ° C (Máximo) | 100mA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CDZFHT2RA24B | 0.4800 | | 7 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotive, AEC-Q101, CDZFH | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 2.21% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sod-923 | CDZFHT2 | 100 MW | Vmn2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 19 V | 24.25 V | 120 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RBR40NS60ATL | 2.0200 | | 970 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | RBR40 | Schottky | LPDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 20A | 600 MV @ 20 A | 800 µA @ 60 V | 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Edzgjte615.6b | - | | 4664 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Edz | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | Edzgjt | 100 MW | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-edzgjte615.6btr | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DZ2W18000L | - | | 7208 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-DZ2W18000LTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MP6K13TCR | - | | 2302 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-smd, planos de cables | MP6K13 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | Mpt6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 6A | 31mohm @ 6a, 10v | 2.5V @ 1MA | 5NC @ 5V | 350pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84C3V0LT116 | 0.2300 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 6.67% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 250 MW | SSD3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µA @ 1 V | 3 V | 95 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RUC002N05T116 | 0.3200 | | 672 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Ruc002 | Mosfet (Óxido de metal) | SST3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 50 V | 200MA (TA) | 1.2V, 4.5V | 2.2ohm @ 200 MMA, 4.5V | 1V @ 1MA | ± 8V | 25 pf @ 10 V | - | 200MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rfn20tf6sfh | 1.3065 | | 7976 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | RFN20 | Estándar | Un 220nfm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.55 V @ 20 A | 60 ns | 10 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 20A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rb095bm-90tl | 0.7320 | | 8756 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RB095 | Schottky | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 90 V | 3A | 750 MV @ 3 A | 150 µA @ 90 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Kdzvtftr24b | 0.4700 | | 15 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotive, AEC-Q101, KDZVTF | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 7.5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123F | Kdzvtftr24 | 1 W | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µA @ 19 V | 25.8 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Dta143xefratl | 0.2800 | | 6638 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | DTA143 | 150 MW | EMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 100 mA | - | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 4.7 kohms | 10 kohms |
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