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Productos de semiconductoros discretos (6960)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Edzfhte613.9b | - |  | 7175 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Edz | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | Edzfht | 100 MW | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-edzfhte613.9btr | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RGT30NS65DGC9 | 2.9000 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Rgt30 | Estándar | 133 W | Un 262 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 15a, 10ohm, 15V | 55 ns | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 30 A | 45 A | 2.1V @ 15V, 15a | - | 32 NC | 18ns/64ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rb088bm200fhtl | 1.9000 | | 296 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RB088 | Schottky | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 10A | 880 MV @ 5 A | 7 µA @ 200 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RT1A060APTR | 0.5900 | | 66 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | RT1A060 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-TSST | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 6a (TA) | 1.5V, 4.5V | 19mohm @ 6a, 4.5V | 1V @ 1MA | 80 NC @ 4.5 V | -8v | 7800 pf @ 6 V | - | 600MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RLZTE-117.5A | - | | 2841 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 3% | - | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | LLDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 500 na @ 4 V | 7.3 V | 8 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Dta124xetl | 0.3800 | | 757 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | Dta124 | 150 MW | EMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 50 Ma | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 22 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SP8M10TB | - | | 3383 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SP8M10 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 30V | 7a, 4.5a | 25mohm @ 7a, 10v | 2.5V @ 1MA | 8.4nc @ 5V | 600pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Edz9hute6118b | - | | 2583 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Edz | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | Edz9hut | 100 MW | EMD2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-edz9hute6118btr | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bc846bhzgt116 | 0.3500 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BC846 | 200 MW | SST3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 65 V | 120 Ma | 15NA (ICBO) | 400mv @ 5 Ma, 100 Ma | 200 @ 2mA, 5V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rsr025p03hzgtl | 0.6100 | | 11 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-96 | RSR025 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 2.5a (TA) | 4V, 10V | 98mohm @ 2.5a, 10V | 2.5V @ 1MA | 5.4 NC @ 5 V | ± 20V | 460 pf @ 10 V | - | 700MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Us5u3tr | 0.6500 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-SMD (5 cables), Plano Plano | US5U3 | Mosfet (Óxido de metal) | Tumt5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 1.5a (TA) | 2.5V, 4.5V | 240mohm @ 1.5a, 4.5V | 1.5V @ 1MA | 2.2 NC @ 4.5 V | 12V | 80 pf @ 10 V | Diodo Schottky (Aislado) | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB162M-40TR | 0.0742 | | 8236 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SOD-123F | RB162 | Schottky | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 550 MV @ 1 A | 100 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Edzfhte618.2b | - | | 5333 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Edz | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | Edzfht | 100 MW | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-edzfhte618.2btr | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Dtc113zu3hzgt106 | 0.3800 | | 45 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | DTC113 | 200 MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 1 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RBQ10T65AnZC9 | 1.1600 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | RBQ10 | Schottky | Un 220FN | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 65 V | 10A | 690 MV @ 5 A | 70 µA @ 65 V | 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RFUH20TJ6SGC9 | 2.0800 | | 852 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | Rfuh20 | Estándar | Un 220ACFP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2.8 V @ 20 A | 80 ns | 10 µA @ 600 V | 150 ° C | 20A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB162VA-20TR | 0.1462 | | 7184 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | RB162 | Schottky | Tumd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 400 MV @ 1 A | 1.2 Ma @ 20 V | 125 ° C (Máximo) | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | UDZWTE-1718B | - | | 2235 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Umd2 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CDZT2R15B | 0.0928 | | 3307 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | CDZ | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Sod-923 | CDZT2 | 100 MW | Vmn2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 11 V | 15 V | 42 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | R6535KNX3C16 | 6.8600 | | 165 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | R6535 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-R6535KNX3C16 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 V | 35A (TC) | 10V | 115mohm @ 18.1a, 10v | 5V @ 1.3MA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 3000 pf @ 25 V | - | 370W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Rb088bm100fhtl | 1.1700 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RB088 | Schottky | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 10A | 870 MV @ 5 A | 8.2 ns | 5 µA @ 100 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | UMZ16NT106 | 0.6600 | | 80 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | - | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | UMZ16 | 200 MW | Umd3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 par Ánodo Común | 100 na @ 12 V | 16 V | 50 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Edz9hkte6127b | - | | 5321 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Edz | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | Edz9hkt | 100 MW | EMD2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-edz9hkte6127btr | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | UT6JA3TCR | 0.8300 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-Powerudfn | UT6JA3 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W (TA) | Huml2020l8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 5A (TA) | 59mohm @ 5a, 4.5V | 1.5V @ 1MA | 6.5nc @ 4.5V | 460pf @ 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| R6007KND3TL1 | 0.8500 | | 1775 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Un 252 | - | 1 (ilimitado) | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Rs3l110attb1 | 2.4800 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Rs3l | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RS3L110ATTB1TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 60 V | 11a (TA) | 4.5V, 10V | 12.8mohm @ 11a, 10v | 2.5V @ 1MA | 115 NC @ 10 V | ± 20V | 6300 pf @ 30 V | - | 1.4W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SD2653KT146 | 0.5700 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 2SD2653 | 200 MW | Smt3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 V | 2 A | 100NA (ICBO) | NPN | 180mv @ 50 mm, 1a | 270 @ 200MA, 2V | 360MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rbr3l40ate25 | 0.5500 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | RBR3L40 | Schottky | PMDS | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 690 MV @ 3 A | 50 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Dtd123echzgt116 | 0.4100 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Dtd123 | 200 MW | SST3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 500 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 2.5 mA, 50 mA | 39 @ 50mA, 5V | 200 MHz | 2.2 kohms | 2.2 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB168LAM-40TFTR | 0.4500 | | 183 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | RB168 | Schottky | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 500 na @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | - |
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