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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Current - Max | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia @ if, f | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
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![]() | Rsd046p05tl | 0.2588 | ![]() | 9008 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RSD046 | Mosfet (Óxido de metal) | CPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 45 V | 4.5A (TC) | 4V, 10V | 155mohm @ 4.5a, 10v | 3V @ 1MA | 12 NC @ 5 V | ± 20V | 550 pf @ 10 V | - | 850MW (TA), 15W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RCX120N25 | 2.7400 | ![]() | 1462 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | RCX120 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 250 V | 12a (TA) | 10V | - | - | ± 30V | - | 2.23W (TA), 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB160A60T-32 | - | ![]() | 4137 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-41 mini, axial | RB160 | Schottky | MSR | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 550 MV @ 1 A | 50 µA @ 60 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Umf7ntr | - | ![]() | 2215 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | UMF7 | 150MW | UMT6 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 846-UMF7NTR | 3.000 | 50V, 12V | 100 Ma, 500 Ma | 500NA, 100NA (ICBO) | 1 NPN Pre-Sesgado, 1 NPN | 300mv @ 500 µA, 10 mm / 250mv @ 10 mA, 200 mA | 20 @ 20MA, 5V / 270 @ 10MA, 2V | 250MHz, 320MHz | 2.2 kohms | 2.2 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBR3MM40BTFTR | 0.5100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | RBR3MM40 | Schottky | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 580 MV @ 3 A | 100 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rd3l07bbgtl1 | 2.9400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RD3L07 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 70A (TC) | 4.5V, 10V | 3.9mohm @ 70a, 10v | 2.5V @ 1MA | 47 NC @ 10 V | ± 20V | 2950 pf @ 30 V | - | 102W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2Sar552PhZGT100 | 0.7200 | ![]() | 840 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 500 MW | Sot-89 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 30 V | 3 A | 1 µA (ICBO) | PNP | 400mv @ 50 mm, 1a | 200 @ 500mA, 2V | 330MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1260T100Q | 0.5600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2SB1260 | 2 W | MPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 80 V | 1 A | 1 µA (ICBO) | PNP | 400mv @ 50 mA, 500 mA | 120 @ 100 mapa, 3V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dtc124tmt2l | 0.3700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Dtc124t | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sot-723 | DTC124 | 150 MW | VMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50 V | 100 mA | 500NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 5 mA | 100 @ 1 mapa, 5v | 250 MHz | 22 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VDZT2R3.6B | - | ![]() | 1988 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 3% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Sod-723 | VDZT2 | 100 MW | VMD2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 10 µA @ 1 V | 3.6 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB160VAM-60TR | 0.4300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | RB160 | Schottky | Tumd2m | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 670 MV @ 1 A | 40 µA @ 60 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Edzfhte6118b | - | ![]() | 8123 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Edz | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | Edzfht | 100 MW | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-edzfhte6118btr | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rfuh10ns6sfhtl | 1.3100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | RFUH10 | Estándar | LPDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2.8 V @ 10 A | 25 ns | 10 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 10A | 157pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tdzvtr5.1 | 0.3800 | ![]() | 347 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 9.8% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | Tdzvtr5.1 | 500 MW | Tumd2m | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µA @ 1.5 V | 5.1 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GDZ8EPT2R3.9 | - | ![]() | 4957 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-GDZ8EPT2R3.9TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT3040KLGC11 | 39.7400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SCT3040 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | To-247n | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 1200 V | 55A (TC) | 18V | 52mohm @ 20a, 18V | 5.6V @ 10 Ma | 107 NC @ 18 V | +22V, -4V | 1337 pf @ 800 V | - | 262W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBQ30T45AnZC9 | 0.7694 | ![]() | 9601 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Cinta de Corte (CT) | Activo | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | RBQ30 | Schottky | Un 220FN | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 15A | 650 MV @ 15 A | 450 µA @ 45 V | 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SS390TE61 | 0.4000 | ![]() | 441 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 125 ° C (TJ) | SC-79, SOD-523 | 1SS390 | EMD2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 mA | 150 MW | 1.2pf @ 6V, 1 MHz | Estándar - Single | 35V | 900mohm @ 2mA, 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMA11AT148 | 0.1399 | ![]() | 1089 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | FMA11 | 300MW | Smt5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100mA | 500NA | 2 PNP - Precializado (dual) | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 80 @ 10mA, 5V | 250MHz | 4.7 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCS310APC9 | 3.0600 | ![]() | 2339 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | A Través del Aguetero | Un 220-2 | SCS310 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.5 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | 175 ° C (Máximo) | 10A | 500pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
Sh8ka2tb1 | 1.5100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sh8ka2 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W (TA) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-sh8ka2tb1tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 8a (TA) | 28mohm @ 8a, 10v | 2.5V @ 1MA | 8NC @ 10V | 330pf @ 15V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dta143zcat116 | 0.2700 | ![]() | 5176 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | DTA143 | 200 MW | SST3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 80 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 4.7 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rsd221n06tl | 0.6497 | ![]() | 4495 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RSD221 | Mosfet (Óxido de metal) | CPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 22a (TC) | 4V, 10V | 26mohm @ 22a, 10v | 3V @ 1MA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 1500 pf @ 10 V | - | 850MW (TA), 20W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDZT2R7.5B | 0.0928 | ![]() | 1044 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | CDZ | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Sod-923 | CDZT2 | 100 MW | Vmn2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 500 na @ 4 V | 7.5 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EMB61T2R | 0.0801 | ![]() | 7385 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | EMB61 | 150MW | EMT6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50V | 50mera | 500NA | 2 PNP - Precializado (dual) | 150mv @ 500 µA, 5 mA | 35 @ 5MA, 10V | 250MHz | 10 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD2705STP | - | ![]() | 6050 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | SC-72 Peques Formados | 300 MW | SPT | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 5,000 | 20 V | 300 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 100mv @ 3 mm, 30 ma | 820 @ 4MA, 2V | 35MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
SCT2080KEGC11 | 26.0100 | ![]() | 7091 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SCT2080 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | To-247n | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-SCT2080KEGC11 | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | N-canal | 1200 V | 40A (TC) | 18V | 117mohm @ 10a, 18V | 4V @ 4.4MA | 106 NC @ 18 V | +22V, -6V | 2080 pf @ 800 V | - | 262W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Scs320amc | 9.6500 | ![]() | 635 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | SCS320 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.5 V @ 20 A | 0 ns | 100 µA @ 650 V | 175 ° C (Máximo) | 20A | 1000pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC5876T106Q | 0.4700 | ![]() | 496 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 2SC5876 | 200 MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 V | 500 mA | 1 µA (ICBO) | NPN | 300mv @ 10 Ma, 100 Ma | 120 @ 50mA, 2V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dtc114eBtl | 0.2700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | Dtc114 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 50 Ma | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 10 kohms | 10 kohms |
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