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Productos de semiconductoros discretos (6960)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2SCR554PT100 | 0.6200 |  | 26 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2SCR554 | 2 W | MPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 80 V | 1.5 A | 1 µA (ICBO) | NPN | 300mv @ 25 mm, 500 mA | 120 @ 100 mapa, 3V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Umh6ntr | 0.4400 | | 640 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Umh6 | 150MW | UMT6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100mA | - | 2 NPN - Precializado (dual) | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5MA, 5V | 250MHz | 47 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
 | RTQ045N03TR | 0.7500 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | RTQ045 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT6 (SC-95) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 4.5a (TA) | 2.5V, 4.5V | 43mohm @ 4.5a, 4.5V | 1.5V @ 1MA | 10.7 NC @ 4.5 V | ± 12V | 540 pf @ 10 V | - | 1.25W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
 | 2SB1708TL | 0.3258 | | 2993 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-96 | 2SB1708 | 500 MW | TSMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 V | 3 A | 100NA (ICBO) | PNP | 250 MV @ 30 Ma, 1.5a | 270 @ 200MA, 2V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Dta113zuat106 | 0.2600 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Dta113 | 200 MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 1 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4132T100R | 0.2985 | | 1303 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2SC4132 | 2 W | MPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 120 V | 2 A | 1 µA (ICBO) | NPN | 2v @ 100 ma, 1a | 180 @ 100 mapa, 5V | 80MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | RSX1001T3 | 1.1900 | | 460 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | No hay para Nuevos Diseños | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | RSX1001 | Schottky | Un 220FN | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 30 V | 5A | 450 MV @ 5 A | 500 µA @ 30 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SA2048KT146Q | 0.4600 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 2SA2048 | 200 MW | Smt3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 V | 1 A | 1 µA (ICBO) | PNP | 300mv @ 50 mA, 500 mA | 120 @ 100 mapa, 2v | 350MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
| Dtd133hkt146 | - | | 6080 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Dtd133 | 200 MW | Smt3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 500 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 2.5 mA, 50 mA | 56 @ 50 mm, 5V | 200 MHz | 3.3 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
 | EMB10FHAT2R | - | | 3643 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | EMB10 | 150MW | EMT6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50V | 100mA | 500NA | 2 PNP - Precializado (dual) | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 80 @ 10mA, 5V | 250MHz | 2.2 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
 | RFUH20TF6SC9 | 3.0200 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | Rfuh20 | Estándar | Un 220nfm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RFUH20TF6SC9 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2.8 V @ 20 A | 35 ns | 10 µA @ 600 V | 150 ° C | 20A | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| EMX5T2R | 0.2183 | | 2312 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | EMX5T2 | 150MW | EMT6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 11V | 50mera | 500NA (ICBO) | 2 NPN (dual) | 500mv @ 5 Ma, 10 Ma | 56 @ 5mA, 10V | 3.2GHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | R6509knjtl | 3.4100 | | 94 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | R6509 | Mosfet (Óxido de metal) | LPTS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 650 V | 9A (TC) | 10V | 585mohm @ 2.8a, 10V | 5V @ 230 µA | 16.5 NC @ 10 V | ± 20V | 540 pf @ 25 V | - | 94W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | Sct4062kwahrtl | 10.7400 | | 8824 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA | SIC (Transistor de Unión de CARBURO de Silicio) | Un 263-7la | - | 1 (ilimitado) | 1,000 | N-canal | 1200 V | 24a (TC) | 18V | 81mohm @ 12a, 18V | 4.8V @ 6.45 Ma | 64 NC @ 18 V | +21V, -4V | 1498 pf @ 800 V | - | 93W | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD2170T100 | - | | 8297 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2SD2170 | 2 W | MPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 90 V | 2 A | 10 µA (ICBO) | NPN - Darlington | 1.5V @ 1MA, 1A | 1000 @ 1a, 2v | 80MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TFZVTR2.4B | 0.3700 | | 265 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | TFZVTR2.4 | 500 MW | Tumd2m | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 120 µA @ 1 V | 2.4 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1SS4009HLTE61 | - | | 5082 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-1SS4009HLTE61TR | Obsoleto | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD1664T100R | 0.1874 | | 2504 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2SD1664 | 2 W | MPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 32 V | 1 A | 500NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 50 mA, 500 mA | 180 @ 100 mm, 3V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
| Umh7ntr | 0.0878 | | 6577 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Umh7 | 150MW | UMT6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100mA | - | 2 NPN - Precializado (dual) | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 100 @ 1 mapa, 5v | - | 4.7 kohms | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| QST3TR | 0.2767 | | 8890 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | QST3 | 1.25 W | TSMT6 (SC-95) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 30 V | 5 A | 100NA (ICBO) | PNP | 250 mv a 40 mm, 2a | 270 @ 500mA, 2V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2sc5868tlr | 0.4100 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-96 | 2SC5868 | 500 MW | TSMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 V | 500 mA | 1 µA (ICBO) | NPN | 300mv @ 10 Ma, 100 Ma | 180 @ 50 mm, 2v | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Rbr1vwm40atr | 0.4800 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | RBR1VWM | Schottky | PMDE | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RBR1VWM40ATR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 520 MV @ 1 A | 50 µA @ 40 V | 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| Dta143xkat146 | 0.2700 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | DTA143 | 200 MW | Smt3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 4.7 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Rs1p600betb1 | 2.8000 | | 1910 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Rs1p | Mosfet (Óxido de metal) | 8-HSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 17.5a (TA), 60A (TC) | 10V | 9.7mohm @ 17.5a, 10v | 4V @ 500 µA | 33 NC @ 10 V | ± 20V | 2200 pf @ 50 V | - | 3W (TA), 35W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | Rb480yfjt2r | - | | 2993 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-75-4, SOT-543 | Schottky | EMD4 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RB480YFJT2RTR | Obsoleto | 8,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 2 Independientes | 30 V | 100mA | 530 MV @ 100 Ma | 1 µA @ 10 V | 125 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Rs1e321gntb1 | 2.4100 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Rs1e | Mosfet (Óxido de metal) | 8-HSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 32a (TA), 80a (TC) | 4.5V, 10V | 2.1mohm @ 32a, 10v | 2.5V @ 1MA | 42.8 NC @ 10 V | ± 20V | 2850 pf @ 15 V | - | 3W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
 | UDZWTE-173.9B | - | | 8864 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Umd2 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD1781KT146Q | 0.4100 | | 554 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 2SD1781 | 200 MW | Smt3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 32 V | 800 Ma | 500NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 50 mA, 500 mA | 120 @ 100 mapa, 3V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Dtc113zkat146 | 0.2600 | | 14 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | DTC113 | 200 MW | Smt3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 1 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SD1763AE | - | | 5198 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | 2 W | Un 220FP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | 160 V | 1.5 A | 1 µA (ICBO) | NPN | 2v @ 100 ma, 1a | 60 @ 100mA, 5V | 80MHz |
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