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Productos de semiconductoros discretos (6960)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Bas16hyt116 | 0.3700 |  | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS16 | Estándar | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 80 V | 1.25 V @ 150 Ma | 4 ns | 500 na @ 80 V | 150 ° C | 215 Ma | 2pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SCS112AGC | - | | 3448 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-2 | SCS112 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 600 V | 1.7 V @ 12 A | 0 ns | 240 µA @ 600 V | 175 ° C (Máximo) | 12A | 516pf @ 1v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MTZJT-729.1B | - | | 9670 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | MTZ J | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 3% | - | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | Mtzjt-72 | 500 MW | MSD | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Mtzjt729.1b | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 500 na @ 6 V | 9.1 V | 20 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | UDZWTE-1736B | - | | 9618 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Umd2 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB098BGE150TL | 1.9200 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RB095 | Schottky | Un 252GE | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 150 V | 3A | 830 MV @ 3 A | 7 µA @ 150 V | 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTZJT-723.0B | - | | 6761 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | MTZ J | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 3% | - | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | Mtzjt-72 | 500 MW | MSD | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Mtzjt723.0b | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 3 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rsx078bm2sfhtl | 1.4900 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Schottky | Un 252 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 920 MV @ 5 A | 200 na @ 200 V | 175 ° C | 5A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TFZGTR16B | 0.0886 | | 7369 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | * | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | TFZGTR16 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Dtd113zstp | - | | 6632 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | SC-72 Peques Formados | Dtd113 | 300 MW | SPT | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 846-DTD113ZSTPTR | 5,000 | 50 V | 500 mA | 500NA | NPN - Precializado + Diodo | 300mv @ 2.5 mA, 50 mA | 82 @ 50mA, 5V | 200 MHz | 1 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RCX220N25 | 2.2500 | | 318 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | RCX220 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 250 V | 22a (TC) | 10V | 140mohm @ 11a, 10v | 5V @ 1MA | 60 NC @ 10 V | ± 30V | 3200 pf @ 25 V | - | 2.23W (TA), 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Yfzvfhtr3.0b | 0.4300 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 3.37% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | Yfzvfhtr3.0 | 500 MW | Tumd2m | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 50 µA @ 1 V | 3.12 V | 80 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rsj800n06tl | 2.0801 | | 2576 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | - | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | RSJ800 | Mosfet (Óxido de metal) | LPTS | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 80a (TA) | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB715UMFHTL | 0.4200 | | 70 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SC-85 | RB715 | Schottky | Umd3f | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Cátodo Común | 40 V | 30mera | 370 MV @ 1 MA | 1 µA @ 10 V | 125 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SB1705TL | 0.2120 | | 6634 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-96 | 2SB1705 | 500 MW | TSMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 V | 3 A | 100NA (ICBO) | PNP | 250 MV @ 30 Ma, 1.5a | 270 @ 500mA, 2V | 280MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Ump1nfhtr | - | | 1197 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | Ump1 | Estándar | Umd5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 2 Par de Ánodo Común | 80 V | 25 Ma | 900 MV @ 5 Ma | 4 ns | 100 na @ 70 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Bas40-04hyt116 | 0.5200 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS40 | Schottky | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | Conexión de la Serie de 1 par | 40 V | 120 mA (DC) | 1 V @ 40 Ma | 10 µA @ 40 V | 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSS138BKAHZGT116 | 0.5100 | | 9 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BSS138 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 400 mA (TA) | 2.5V, 10V | 680mohm @ 400 mA, 10V | 2V @ 10 µA | ± 20V | 47 pf @ 30 V | - | 350MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rre04ea4dtr | 0.4800 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOT-23-5 Delgado, TSOT-23-5 | Rre04 | Estándar | TSMD5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 400 V | 150 ° C (Máximo) | 400mA | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | UMZ12NT106 | 0.1156 | | 3095 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 8% | - | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | UMZ12 | 200 MW | Umd3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 par Ánodo Común | 100 na @ 9 V | 12 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BAS40-06HYT116 | 0.5200 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS40 | Schottky | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Ánodo Común | 40 V | 120 mA (DC) | 1 V @ 40 Ma | 10 µA @ 40 V | 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rd3u040cntl1 | 1.4300 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Rd3u040 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 250 V | 4A (TC) | 10V | 1.3ohm @ 2a, 10v | 5.5V @ 1MA | 8.5 NC @ 10 V | ± 30V | 350 pf @ 25 V | - | 29W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1579U3T106R | 0.1126 | | 2157 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 2SA1579 | 200 MW | UMT3 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 846-2SA1579U3T106RTR | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 120 V | 50 Ma | 500NA (ICBO) | NPN | 250 MV @ 30 Ma, 1.5a | 180 @ 2mA, 6V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UDZWTE-177.5B | - | | 4689 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Umd2 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RGCL80TK60DGC11 | 6.0100 | | 433 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3PFM, SC-93-3 | RGCL80 | Estándar | 57 W | To-3pfm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | 400V, 40a, 10ohm, 15V | 58 ns | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 35 A | 160 A | 1.8V @ 15V, 40A | 1.11mj (Encendido), 1.68mj (apaguado) | 98 NC | 53ns/227ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RQ5E020SPTL | 0.5800 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-96 | RQ5E020 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 2a (TA) | 4V, 10V | 120mohm @ 2a, 10v | 2.5V @ 1MA | 4.3 NC @ 5 V | ± 20V | 370 pf @ 10 V | - | 700MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Dta125tkat146 | 0.0561 | | 2584 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Dta125t | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | DTA125 | 200 MW | Smt3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mV @ 50 µA, 500 µA | 100 @ 1 mapa, 5v | 250 MHz | 200 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| R6020YNX3C16 | 4.3500 | | 3536 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | R6020 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 846-R6020YNX3C16 | 50 | N-canal | 600 V | 20A (TC) | 10V, 12V | 185mohm @ 6a, 12v | 6V @ 1.65 Ma | 28 NC @ 10 V | ± 30V | 1200 pf @ 100 V | - | 182W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SCT3160KLHRC11 | 15.8100 | | 900 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SCT3160 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | To-247n | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 1200 V | 17a (TC) | 18V | 208mohm @ 5a, 18V | 5.6V @ 2.5MA | 42 NC @ 18 V | +22V, -4V | 398 pf @ 800 V | - | 103W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN142SFHTE61 | - | | 6154 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-RN142SFHTE61TR | Obsoleto | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Rn142sfste61 | - | | 5713 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-RN142SFSTE61TR | Obsoleto | 3.000 |
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