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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Current - Max | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia @ if, f | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
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![]() | Umc5ntr | 0.3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | UMC5 | 150MW | UMT5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 30 Ma, 100 Ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10 mA, 5V | 250MHz | 47kohms, 4.7kohms | 47kohms, 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Rlzte-1127b | - | ![]() | 7130 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 3% | - | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | Rlzte-1127 | 500 MW | LLDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 200 na @ 21 V | 25.6 V | 45 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSR020N06TL | 0.2181 | ![]() | 5439 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-96 | RSR020 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 2a (TA) | 4V, 10V | 170mohm @ 2a, 10v | 2.5V @ 1MA | 4.9 NC @ 10 V | ± 20V | 180 pf @ 10 V | - | 540MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MTZJT-727.5B | - | ![]() | 4763 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | MTZ J | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 3% | - | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | Mtzjt-72 | 500 MW | MSD | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | MTZJT727.5B | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 500 na @ 4 V | 7.5 V | 20 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Edzte612.7b | - | ![]() | 6494 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB168MM200TR | 0.5900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | RB168 | Schottky | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 890 MV @ 1 A | 850 na @ 200 V | 175 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SR159-200TE25 | 0.1576 | ![]() | 1427 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | 1SR159 | Estándar | PMDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1SR159200TE25 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 980 MV @ 1 A | 50 ns | 10 µA @ 200 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Yfzvfhtr4.3b | 0.4300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 3.02% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | Yfzvfhtr4.3 | 500 MW | Tumd2m | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 5 µA @ 1 V | 4.3 V | 40 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rb218bm200tl | 1.9200 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RB218 | Schottky | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 20A | 880 MV @ 10 A | 10 µA @ 200 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SDZT15R5.1 | 0.0403 | ![]() | 9775 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 5% | 150 ° C | Montaje en superficie | 2-smd, sin plomo | Sdzt15 | 100 MW | SMD0603 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 2 µA @ 1.5 V | 5.1 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TDZVTR24 | 0.3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | TDZVTR24 | 500 MW | Tumd2m | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µA @ 17 V | 24 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
R6025AZFU7C8 | - | ![]() | 5024 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | R6025 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 846-R6025AZFU7C8 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 25A (TC) | 10V | 150mohm @ 12.5a, 10V | 4.5V @ 1MA | 88 NC @ 10 V | ± 30V | 3250 pf @ 10 V | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dta144eBtl | 0.2600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | DTA144 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 30 Ma | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 47 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Kdzvtftr4.7b | 0.4800 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotive, AEC-Q101, KDZVTF | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.32% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123F | Kdzvtftr4.7 | 1 W | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 20 µA @ 1 V | 4.95 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RDX120N50FU6 | - | ![]() | 7814 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | RDX120 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 500 V | 12a (TA) | 10V | 500mohm @ 6a, 10v | 4V @ 1MA | 45 NC @ 10 V | ± 30V | 1600 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Imn10fht108 | 0.5800 | ![]() | 96 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-74, SOT-457 | IMN10 | Estándar | Smt6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 3 Independientes | 80 V | 100mA | 1.2 V @ 100 Ma | 4 ns | 100 na @ 70 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ3E180AJTB1 | 1.8000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | RQ3E180 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-HSMT (3.2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 18A (TA), 30A (TC) | 2.5V, 4.5V | 4.5mohm @ 18a, 4.5V | 1.5V @ 11MA | 39 NC @ 4.5 V | ± 12V | 4290 pf @ 15 V | - | 2W (TA), 30W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rblq20bge10tl | 1.5400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RBLQ20 | Schottky | Un 252GE | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 860 MV @ 20 A | 80 µA @ 100 V | 150 ° C | 20A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBQ30NS65ATL | 1.7100 | ![]() | 996 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | RBQ30 | Schottky | LPDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 65 V | 15A | 690 MV @ 15 A | 200 µA @ 65 V | 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGTV80TS65DGC11 | 6.4100 | ![]() | 450 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Estándar | 234 W | To-247n | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | 400V, 40a, 10ohm, 15V | 101 ns | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 78 A | 160 A | 1.9V @ 15V, 40A | 1.02MJ (Encendido), 710 µJ (apaguado) | 81 NC | 39ns/113ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Umh11nfhatn | 0.4800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Umh11 | 150MW | UMT6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100mA | 500NA | 2 NPN - Precializado (dual) | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5MA, 5V | 250MHz | 10 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sh8m2tb1 | 0.3719 | ![]() | 3569 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sh8m2 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 30V | 3.5a | 83mohm @ 3.5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 3.5nc @ 5V | 140pf @ 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6009JNXC7G | 3.3900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | R6009 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 9A (TC) | 15V | 585mohm @ 4.5a, 15V | 7V @ 1.38mA | 22 NC @ 15 V | ± 30V | 645 pf @ 100 V | - | 53W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rfn6bge2dtl | 1.3700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Rfn6 | Estándar | Un 252GE | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RFN6BGE2DTLTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 3A | 980 MV @ 3 A | 25 ns | 10 µA @ 200 V | 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RRH075P03TB1 | 0.6292 | ![]() | 1796 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | RRH075 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 7.5a (TA) | 4V, 10V | 21mohm @ 7.5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 21 NC @ 5 V | ± 20V | 1900 pf @ 10 V | - | 650MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SS356VMFHTE-17 | 0.4300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | SC-90, SOD-323F | Umd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-1SS356VMFHTE-17DKR | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 mA | 1.2pf @ 6V, 1 MHz | PIN - Single | 35V | 900mohm @ 2mA, 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB168VAM-60TR | 0.4800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | RB168 | Schottky | Tumd2m | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 820 MV @ 1 A | 1 µA @ 60 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R5016anx | 3.7684 | ![]() | 9811 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | R5016 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 500 V | 16a (TA) | 10V | 270mohm @ 8a, 10v | 4.5V @ 1MA | 50 NC @ 10 V | ± 30V | 1800 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Rs3e180attb1 | 2.7700 | ![]() | 2172 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Rs3e | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 18a (TA) | 4.5V, 10V | 5.4mohm @ 18a, 10v | 2.5V @ 5MA | 160 NC @ 10 V | ± 20V | 7200 pf @ 15 V | - | 1.4W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Edzfjte618.2b | - | ![]() | 7866 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Edz | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | Edzfjt | 100 MW | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-edzfjte618.2btr | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 |
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