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Productos de semiconductoros discretos (6960)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Dta024xubtl | 0.0488 |  | 6589 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Dta024x | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-85 | Dta024 | 200 MW | UMT3F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 150mv @ 500 µA, 5 mA | 80 @ 5 MMA, 10V | 250 MHz | 22 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
 | UDZVTE-1713B | 0.2700 | | 28 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Udzvte | 200 MW | Umd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 10 V | 13 V | 37 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Dtd143echzgt116 | 0.2500 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Dtd143 | 200 MW | SST3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 500 mA | - | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 2.5 mA, 50 mA | 47 @ 50mA, 5V | 200 MHz | 4.7 kohms | 4.7 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | R6006andtl | 1.1794 | | 2047 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | R6006 | Mosfet (Óxido de metal) | CPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 600 V | 6a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 3a, 10v | 4.5V @ 1MA | 15 NC @ 10 V | ± 30V | 460 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | Rlzte-1115a | - | | 8771 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 3% | - | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | LLDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 200 na @ 11 V | 14.3 V | 16 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TDZTR9.1 | 0.1088 | | 4543 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | TDZTR9.1 | 500 MW | Tumd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µA @ 5.5 V | 9.1 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | EM6K33T2R | 0.5100 | | 54 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | EM6K33 | Mosfet (Óxido de metal) | 150MW | EMT6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 2 Canal N (Dual) | 50V | 200 MMA | 2.2ohm @ 200 MMA, 4.5V | 1V @ 1MA | - | 25pf @ 10V | Puerta de Nivel de Lógica, Transmisión de 1.2v | ||||||||||||||||||||||||||||
 | R6520ENZ4C13 | 5.7900 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | R6520 | Mosfet (Óxido de metal) | To-247g | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-R6520ENZ4C13 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 20A (TC) | 10V | 205mohm @ 9.5a, 10V | 4V @ 630 µA | 61 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 231W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | Rblq30nl10sfhtl | 3.0000 | | 6935 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | RBLQ30 | Schottky | To-263l | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 860 MV @ 30 A | 150 µA @ 100 V | 150 ° C | 30A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Emz6.8nfhtl | 0.5100 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 4.93% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | EMZ6.8 | 150 MW | EMD3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 par Ánodo Común | 500 na @ 3.5 V | 6.8 V | 40 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rbr2vwm60atr | 0.5100 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | RBR2VWM | Schottky | PMDE | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 650 MV @ 2 A | 75 µA @ 60 V | 150 ° C | 2a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Yfzvfhtr8.2b | 0.4300 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2.57% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | Yfzvfhtr8.2 | 500 MW | Tumd2m | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 500 na @ 5 V | 7.99 V | 8 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TFZGTR3.9B | 0.0886 | | 1780 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | - | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | TFZGTR3.9 | 500 MW | Tumd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 5 µA @ 1 V | 3.9 V | 50 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TFZGTR4.7B | 0.0886 | | 5419 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | - | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | TFZGTR4.7 | 500 MW | Tumd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 5 µA @ 1 V | 4.7 V | 25 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ydzvfhtr5.1 | 0.1020 | | 8229 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 9.8% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | Ydzvfhtr5.1 | 500 MW | Tumd2m | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µA @ 1.5 V | 5.1 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rq5e050attcl | 0.6900 | | 14 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-96 | RQ5E050 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 5A (TA) | 4.5V, 10V | 26mohm @ 5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 19.4 NC @ 10 V | ± 20V | 880 pf @ 15 V | - | 760MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
 | Rb168lam100tftr | 0.4500 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | RB168 | Schottky | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 400 na @ 100 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB058L150DDTE25 | 0.5900 | | 410 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | RB058 | Schottky | PMDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 850 MV @ 3 A | 3 µA @ 150 V | 150 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Rblq30nl10stl | 2.5000 | | 3825 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | RBLQ30 | Schottky | To-263l | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 860 MV @ 30 A | 150 µA @ 100 V | 150 ° C | 30A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Rb088lam100tftr | 0.5800 | | 14 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | RB088 | Schottky | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 3 µA @ 100 V | 150 ° C (Máximo) | 5A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Udzste-179.1b | 0.0616 | | 5513 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Udzste | 200 MW | Umd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 500 na @ 6 V | 9.1 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MP6M14TCR | - | | 4723 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-smd, planos de cables | MP6M14 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | Mpt6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Vecino del canal | 30V | 8a, 6a | 25mohm @ 8a, 10v | 2.5V @ 1MA | 7.3nc @ 5V | 470pf @ 10V | Puerta de Nivel de Lógica, Unidad de 4V | ||||||||||||||||||||||||||||
| RB088B150TL | - | | 2111 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Schottky | CPD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 150 V | 10A | 880 MV @ 5 A | 15 µA @ 150 V | 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RHU002N06FRAT106 | 0.4200 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | RHU002 | Mosfet (Óxido de metal) | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 200MA (TA) | 4V, 10V | 2.4ohm @ 200 MMA, 10V | 2.5V @ 1MA | 4.4 NC @ 10 V | ± 20V | 15 pf @ 10 V | - | 200MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
| Rf505bm6stl | 1.6300 | | 310 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RF505 | Estándar | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.7 V @ 5 A | 30 ns | 10 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 5A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| R6022ynxc7g | 4.4600 | | 6907 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | R6022 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | 1 (ilimitado) | 846-R6022YNXC7G | 50 | N-canal | 600 V | 13a (TC) | 10V, 12V | 165mohm @ 6.5a, 12V | 6V @ 1.8MA | 33 NC @ 10 V | ± 30V | 1400 pf @ 100 V | - | 65W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Mtzjt-7236b | - | | 2228 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | MTZ J | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 3% | - | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | Mtzjt-72 | 500 MW | MSD | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Mtzjt7236b | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 27 V | 36 V | 75 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SCS210AJHRTLL | 7.1800 | | 3963 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SCS210 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Un 263ab | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.55 v @ 10 a | 0 ns | 200 µA @ 600 V | 175 ° C (Máximo) | 10A | 365pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Mtzjt-7210b | - | | 9403 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | MTZ J | Cinta y Caja (TB) | Activo | ± 2.54% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | Mtzjt-72 | 500 MW | MSD | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 846-MTZJT-7210BTB | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 7 V | 9.66 V | 20 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1807TLP | - | | 5253 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 2SA1807 | 1 W | CPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 600 V | 1 A | 10 µA (ICBO) | PNP | 1V @ 60 mm, 300 mA | 82 @ 100 mapa, 5V | 15MHz |
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