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Productos de semiconductoros discretos (6960)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2SD2391T100Q | 0.7600 |  | 548 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2SD2391 | 2 W | MPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 60 V | 2 A | 100NA (ICBO) | NPN | 350mv @ 50 mm, 1a | 120 @ 500mA, 2V | 210MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Edzgte6133b | - | | 6683 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Edz | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | Edzgt | 100 MW | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-edzgte6133btr | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Ptztfte258.2b | 0.6100 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.29% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | 1 W | PMDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 20 µA @ 5 V | 8.75 V | 4 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Ptztfte252.4b | 0.4800 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.25% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | 1 W | PMDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 200 µA @ 1 V | 2.55 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RBR10BM40ATL | 0.8800 | | 686 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RBR10 | Schottky | Un 252 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 40 V | 10A | 620 MV @ 5 A | 120 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | RLZTE-1133A | - | | 6541 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 3% | - | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | LLDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 200 na @ 25 V | 31.1 V | 65 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Edzfhte6133b | - | | 5280 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Edz | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | Edzfht | 100 MW | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-edzfhte6133btr | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RSQ020N03TR | 0.6700 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | RSQ020 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT6 (SC-95) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 2a (TA) | 4V, 10V | 134mohm @ 2a, 10v | 2.5V @ 1MA | 3.1 NC @ 5 V | ± 20V | 110 pf @ 10 V | - | 600MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
 | Dtd543xmt2l | 0.1035 | | 3661 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sot-723 | Dtd543 | 150 MW | VMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 12 V | 500 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 5 Ma, 100 Ma | 140 @ 100mA, 2V | 260 MHz | 4.7 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Scs230ke2c | - | | 4992 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SCS230 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | To-247 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 360 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1 par Cátodo Común | 1200 V | 15a (DC) | 1.6 v @ 15 a | 0 ns | 300 µA @ 1200 V | 175 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Rb075bm40sfhhtl | 0.7200 | | 7398 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Un 252 | - | 1 (ilimitado) | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4620TV2Q | - | | 6906 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 3-SIP | 2SC4620 | 1 W | Canal de televisión Británnico | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 846-2SC4620TV2QTR | 2.500 | 400 V | 100 mA | 10 µA (ICBO) | PNP | 500mv @ 1 mapa, 10 ma | 180 @ 2mA, 6V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| RB521S-40GTE61 | - | | 3051 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | RB521 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-RB521S-40GTE61TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Dtc043emt2l | 0.2400 | | 15 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sot-723 | DTC043 | 150 MW | VMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 V | 100 mA | - | NPN - Pre -Sesgado | 150mv @ 500 µA, 5 mA | 20 @ 5MA, 10V | 250 MHz | 4.7 kohms | 4.7 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
 | RRS070N03TB1 | - | | 7628 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 7a (TA) | 28mohm @ 7a, 10v | - | 11.6 NC @ 5 V | 900 pf @ 10 V | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | RB715FM-40FHT106 | 0.5100 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | RB715 | Schottky | Sot-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Cátodo Común | 40 V | 30mera | 370 MV @ 1 MA | 1 µA @ 10 V | 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB061US-30TR | 0.8900 | | 587 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 8-SMD | RB061 | Schottky | TSMD8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 30 V | 2A | 400 MV @ 2 A | 900 µA @ 15 V | 125 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | DAP202KFHT146 | 0.4900 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | DAP202 | Estándar | Smd3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Ánodo Común | 80 V | 100mA | 1.2 V @ 100 Ma | 4 ns | 100 na @ 70 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bzx84b24vlt116 | - | | 3617 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 2.08% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 250 MW | SSD3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 17 V | 24 V | 70 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SA2007E | 2.6300 | | 397 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | 2SA2007 | 25 W | Un 220FN | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | 60 V | 12 A | 10 µA (ICBO) | PNP | 500mv @ 400mA, 8a | 320 @ 2a, 2v | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC848BWT106 | 0.3900 | | 8381 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BC848 | 200 MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 200 @ 2mA, 5V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB225NS-40FHTL | 1.5500 | | 370 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | RB225 | Schottky | LPDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 40 V | 30A | 630 MV @ 15 A | 27.4 ns | 500 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | TT8U2TCR | - | | 3621 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | TT8U2 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-TSST | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 2.4a (TA) | 1.5V, 4.5V | 105mohm @ 2.4a, 4.5V | 1V @ 1MA | 6.7 NC @ 4.5 V | ± 10V | 850 pf @ 10 V | Diodo Schottky (Aislado) | 1.25W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
 | HP8M31TB1 | 2.4200 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | HP8M31 | Mosfet (Óxido de metal) | 3W (TA) | 8-HSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 60V | 8.5A (TA) | 65mohm @ 8.5a, 10v, 70mohm @ 8.5a, 10v | 3V @ 1MA | 12.3nc @ 10V, 38nc @ 10V | 470pf @ 30V, 2300pf @ 30V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| RB085BGE-40TL | 1.2500 | | 110 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RB085 | Schottky | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 40 V | 10A | 550 MV @ 5 A | 200 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| TT8K1TR | 0.2345 | | 1093 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | TT8K1 | Mosfet (Óxido de metal) | 1W | 8-TSST | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 2.5a | 72mohm @ 2.5a, 4.5V | 1V @ 1MA | 3.6nc @ 4.5V | 260pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico, Transmisión de 1.5V | ||||||||||||||||||||||||||||
 | R8003KNXC7G | 2.4900 | | 477 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | R8003 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 800 V | 3a (TA) | 10V | 1.8ohm @ 1.5a, 10V | 4.5V @ 2mA | 11.5 NC @ 10 V | ± 20V | 300 pf @ 100 V | - | 36W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| Rb088bm150fhtl | 1.3900 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RB088 | Schottky | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 150 V | 10A | 880 MV @ 5 A | 10.7 ns | 15 µA @ 150 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | R6025JNZC8 | 7.8800 | | 13 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Bolsa | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | R6025 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 360 | N-canal | 600 V | 25A (TC) | 15V | 182mohm @ 12.5a, 15V | 7V @ 4.5mA | 57 NC @ 15 V | ± 30V | 1900 pf @ 100 V | - | 85W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | RB060M-30DDTR | 0.2955 | | 9608 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SOD-123F | RB060 | Schottky | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 490 MV @ 2 A | 50 µA @ 30 V | 150 ° C (Máximo) | 2A | - |
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