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Productos de semiconductoros discretos (6960)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2sar512rtl | 0.5500 |  | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-96 | 2Sar512 | 1 W | TSMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 30 V | 2 A | 1 µA (ICBO) | PNP | 400mv @ 35mA, 700 mA | 200 @ 100 mapa, 2v | 430MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | TDZTR11 | 0.1088 | | 7121 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 10% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | TDZTR11 | 500 MW | Tumd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µA @ 7 V | 11 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SA1759T100P | - | | 4664 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2SA1759 | 2 W | MPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400 V | 100 mA | 10 µA (ICBO) | PNP | 500mv @ 2 mm, 20 mm | 82 @ 10mA, 10V | 12MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1SR124-400AT-81 | - | | 7095 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1SR124 | Estándar | GSR | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1SR124400AT81 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 1 A | 400 ns | 10 µA @ 400 V | -60 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | RQ3E180GNTB | 0.7100 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | RQ3E180 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-HSMT (3.2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 18a (TA) | 4.5V, 10V | 4.3mohm @ 18a, 10v | 2.5V @ 1MA | 22.4 NC @ 10 V | ± 20V | 1520 pf @ 15 V | - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
 | Bzx84c15vlfht116 | 0.1600 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 6.12% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 250 MW | SSD3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 10 V | 14.7 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | R6020knjtl | 3.4900 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | R6020 | Mosfet (Óxido de metal) | LPTS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 20A (TC) | 10V | 196mohm @ 9.5a, 10V | 5V @ 1MA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 1550 pf @ 25 V | - | 231W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | 2SD2687STP | - | | 1143 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | SC-72 Peques Formados | 2SD2687 | 400 MW | SPT | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 846-2SD2687STPTR | 5,000 | 12 V | 5 A | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 1 mapa, 10 ma | 180 @ 2mA, 6V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Rq1a070zphzgtr | 0.5900 | | 6467 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | TSMT8 | - | 1 (ilimitado) | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Sh8m51gzetb | 1.7100 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sh8m51 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4W (TA) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 100V | 3A (TA), 2.5A (TA) | 170mohm @ 3a, 10v, 290mohm @ 2.5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 8.5nc @ 5V, 12.5nc @ 5V | 610pf @ 25V, 1550pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Dtc123jmfhat2l | 0.2600 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sot-723 | DTC123 | 150 MW | VMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 100 mA | - | NPN - Pre -Sesgado | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 80 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Edzvfht2r3.6b | 0.3700 | | 277 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 3.4% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | Edzvfht2 | 150 MW | EMD2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 10 µA @ 1 V | 3.6 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rf4e100ajtcr | 0.8700 | | 11 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powerudfn | RF4E100 | Mosfet (Óxido de metal) | Huml2020l8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 10a (TA) | 4.5V | 12.4mohm @ 10a, 4.5V | 1.5V @ 1MA | 13 NC @ 4.5 V | ± 12V | 1460 pf @ 15 V | - | 2W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | CDZFHT2RA18B | 0.4100 | | 7 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotive, AEC-Q101, CDZFH | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 2.2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sod-923 | CDZFHT2 | 100 MW | Vmn2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 13 V | 17.96 V | 65 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Dtc114tmfhat2l | 0.0668 | | 7465 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | Sot-723 | Dtc114 | 150 MW | VMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 V | 100 mA | 500NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 1 mapa, 10 ma | 100 @ 1 mapa, 5v | 250 MHz | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | R6011knx | 1.9600 | | 420 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | R6011 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 11a (TC) | 10V | 390mohm @ 3.8a, 10V | 5V @ 1MA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 740 pf @ 25 V | - | 53W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| RCX700N20 | 3.9000 | | 127 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | RCX700 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 200 V | 70A (TC) | 10V | 42.7mohm @ 35a, 10v | 5V @ 1MA | 125 NC @ 10 V | ± 30V | 6900 pf @ 25 V | - | 2.23W (TA), 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | Rbr1mm30atftr | 0.3800 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | RBR1MM30 | Schottky | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 480 MV @ 1 A | 50 µA @ 30 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Edzte613.3b | - | | 9070 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| R8008AnJGTL | 5.8200 | | 978 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | R8008 | Mosfet (Óxido de metal) | A 263S | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-R8008Anjgtltr | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 800 V | 8a (TC) | 10V | 1.03ohm @ 4a, 10v | 5V @ 1MA | 38 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | 195W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| TDZTR24 | 0.3800 | | 207 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | TDZTR24 | 500 MW | Tumd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µA @ 16 V | 24 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Umd12ntr | 0.4700 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | UMD12 | 150MW | UMT6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100mA | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5MA, 5V | 250MHz | 47 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SA1577T106Q | 0.3300 | | 14 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 2SA1577 | 200 MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 32 V | 500 mA | 1 µA (ICBO) | PNP | 600mv @ 30 mA, 300 mA | 120 @ 100 mapa, 3V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | EMZ51T2R | 0.4700 | | 8999 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | EMZ51 | 150MW | EMT6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 20V | 200 MMA | 100NA (ICBO) | NPN, PNP | 300mv @ 10 Ma, 100 Ma | 120 @ 1 MMA, 6V | 400MHz, 350MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | RBR10BM40ATL | 0.8800 | | 686 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RBR10 | Schottky | Un 252 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 40 V | 10A | 620 MV @ 5 A | 120 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD2391T100Q | 0.7600 | | 548 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2SD2391 | 2 W | MPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 60 V | 2 A | 100NA (ICBO) | NPN | 350mv @ 50 mm, 1a | 120 @ 500mA, 2V | 210MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | RLZTE-1133A | - | | 6541 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 3% | - | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | LLDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 200 na @ 25 V | 31.1 V | 65 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mtzjt-724.7b | - | | 1708 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | MTZ J | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 3% | - | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | Mtzjt-72 | 500 MW | MSD | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Mtzjt724.7b | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 1 V | 4.7 V | 80 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RBR3LB30BTBR1 | 0.6400 | | 6970 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | RBR3LB | Schottky | SMBP | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 530 MV @ 3 A | 80 µA @ 30 V | 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RBR15BM60ATL | 0.6600 | | 6566 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RBR15 | Schottky | Un 252 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 7.5a | 580 MV @ 7.5 A | 400 µA @ 60 V | 150 ° C |
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