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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Dta143te3tl | 0.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Dtc114t | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | DTA143 | 150 MW | EMT3 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 1 mapa, 10 ma | 100 @ 1 mapa, 5v | 250 MHz | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6004JNXC7G | 2.4400 | ![]() | 851 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | R6004 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 4A (TC) | 15V | 1.43ohm @ 2a, 15v | 7V @ 450 µA | 10.5 NC @ 15 V | ± 30V | 260 pf @ 100 V | - | 35W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dtb113ect116 | 0.3700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Dtb113 | 200 MW | SST3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 500 mA | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 2.5 mA, 50 mA | 33 @ 50mA, 5V | 200 MHz | 1 kohms | 1 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC807-25T116 | 0.0878 | ![]() | 3843 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | - | - | BC807 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 45 V | 500 mA | - | PNP | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 160 @ 100mA, 1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SST6839T116 | 0.0973 | ![]() | 1778 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SST6839 | 200 MW | SST3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 V | 200 MA | 500NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 10 Ma, 100 Ma | 100 @ 1 mapa, 5v | 140MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RZQ050P01TR | 0.8800 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | RZQ050 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT6 (SC-95) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 5A (TA) | 1.5V, 4.5V | 26mohm @ 5a, 4.5V | 1V @ 1MA | 35 NC @ 4.5 V | ± 10V | 2850 pf @ 6 V | - | 600MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6012fnjtl | 1.9948 | ![]() | 1245 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | R6012 | Mosfet (Óxido de metal) | LPTS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 12a (TC) | 10V | 510mohm @ 6a, 10v | 5V @ 1MA | 35 NC @ 10 V | ± 30V | 1300 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | EM6J1T2CR | - | ![]() | 2540 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | * | Tape & Reel (TR) | Activo | EM6J1 | - | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-EM6J1T2CRTR | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ptzte2516a | 0.2014 | ![]() | 4229 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 6% | - | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Ptzte2516 | 1 W | PMDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 10 µA @ 12 V | 16 V | 12 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UDZVFHTE-1710B | 0.3900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2.2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Udzvfhte | 200 MW | Umd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 7 V | 10 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
Rlzte-1115a | - | ![]() | 8771 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 3% | - | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | LLDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 200 na @ 11 V | 14.3 V | 16 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
Rs3e135bngzetb | 1.0800 | ![]() | 75 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Rs3e | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 9.5a (TA) | 10V | 14.6mohm @ 9.5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 8.3 NC @ 4.5 V | ± 20V | 680 pf @ 15 V | - | 2W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Umn1nfhtr | 0.4500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | UMN1 | Estándar | Umd5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 2 par Cátodo Común | 80 V | 25 Ma | 900 MV @ 5 Ma | 4 ns | 100 na @ 70 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||||||||||||||
Sp8m3hzgtb | 1.5600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sp8m3 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W (TA) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 30V | 5A (TA), 4.5A (TA) | 51mohm @ 5a, 10v, 56mohm @ 4.5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 3.9nc @ 5V, 8.5nc @ 5V | 230pf @ 10V, 850pf @ 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C3V0LFHT116 | 0.1600 | ![]() | 159 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 6.67% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 250 MW | SSD3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µA @ 1 V | 3 V | 95 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
Rss100n03hzgtb | 1.5800 | ![]() | 990 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | RSS100 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 10a (TA) | 4V, 10V | 13.3mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 1MA | 20 NC @ 5 V | ± 20V | 1070 pf @ 10 V | - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | UMT4401U3HZGT106 | 0.6100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | UMT4401 | 200 MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 846-UMT4401U3HZGT106TR | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 V | 600 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 750mv @ 50 mm, 500 mA | 100 @ 150mA, 1V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB218NS150TL | 1.9100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | RB218 | Schottky | LPDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 150 V | 20A | 880 MV @ 10 A | 20 µA @ 150 V | 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR372P5T100R | 0.6300 | ![]() | 975 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2Sar372 | 500 MW | MPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 120 V | 700 Ma | 1 µA (ICBO) | PNP | 360mv @ 50 mm, 500 mA | 120 @ 100 mapa, 5V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RX3P10BBHC16 | 7.8900 | ![]() | 7397 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Rx3p10 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 846-RX3P10BBHC16 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 170A (TA), 100A (TC) | 6V, 10V | 3.3mohm @ 90a, 10v | 4V @ 1MA | 135 NC @ 10 V | ± 20V | 8600 pf @ 50 V | - | 189W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Edzfhte6116b | - | ![]() | 8143 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Edz | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | Edzfht | 100 MW | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-edzfhte6116btr | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSTA14T116 | - | ![]() | 5226 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SSTA14 | SST3 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 846-SSTA14T116TR | 3.000 | 30 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | - | - | 20000 @ 100MA, 5V | 125MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pdzvtftr6.2b | 0.4400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotive, AEC-Q101, PDZVTF | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.45% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-128 | Pdzvtftr6.2 | 1 W | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 20 µA @ 3 V | 6.6 V | 6 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GDZT2R6.2B | - | ![]() | 3672 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Gdz | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5.4% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 0201 (0603 Métrica) | Gdzt2r | 100 MW | Gmd2 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-GDZT2R6.2BTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 1 µA @ 3 V | 6.2 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Edz8hrte619.1b | - | ![]() | 4113 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Edz | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | Edz8hrt | 100 MW | EMD2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-edz8hrte619.1btr | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2sar512rtl | 0.5500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-96 | 2Sar512 | 1 W | TSMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 30 V | 2 A | 1 µA (ICBO) | PNP | 400mv @ 35mA, 700 mA | 200 @ 100 mapa, 2v | 430MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzx84c15vlfht116 | 0.1600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 6.12% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 250 MW | SSD3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 10 V | 14.7 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB550AFHTR | 0.4300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOT-23-5 Delgado, TSOT-23-5 | RB550 | Schottky | TSMD5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 30 V | 700mA | 490 MV @ 700 Ma | 10.7 ns | 50 µA @ 30 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dta123ju3t106 | 0.2000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | DTA123 | 200 MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 100 mA | - | PNP - Pre -Sesgado | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 80 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rfn10bm3stl | 1.3000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RFN10 | Estándar | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 350 V | 1.5 V @ 10 A | 30 ns | 10 µA @ 350 V | 150 ° C (Máximo) | 10A | - |
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