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Productos de semiconductoros discretos (6960)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Current - Max | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia @ if, f | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RB218T-40NZC9 | 1.5400 |  | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | RB218 | Schottky | Un 220FN | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 40 V | 20A | 770 MV @ 10 A | 5 µA @ 40 V | 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | EMB11T2R | 0.3900 | | 26 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | EMB11 | 150MW | EMT6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50V | 100mA | 500NA | 2 PNP - Precializado (dual) | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 20 @ 5MA, 5V | 250MHz | 10 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1SS390FTE61 | - | | 7440 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 125 ° C (TJ) | SC-79, SOD-523 | 1SS390 | EMD2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-1SS390FTE61TR | Obsoleto | 3.000 | 100 mA | 1.2pf @ 6V, 1 MHz | - | 35V | 900mohm @ 2mA, 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CDZT2RA13B | 0.0841 | | 2402 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | CDZ | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Sod-923 | CDZT2 | 100 MW | Vmn2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 10 V | 13 V | 37 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | QS5Y2FSTR | 0.6400 | | 19 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-5 Delgado, TSOT-23-5 | QS5Y2 | 500MW | TSMT5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 3A | 1 µA (ICBO) | NPN, PNP (emisor acoplado) | 350mv @ 50 mm, 1a / 400mv @ 50mA, 1A | 180 @ 50mA, 3V | 320MHz, 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC846BT116 | 0.3800 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 200 MW | SST3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 65 V | 120 Ma | 15NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 5 Ma, 100 Ma | 200 @ 2mA, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CDZFHT2RA30B | 0.4800 | | 7 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotive, AEC-Q101, CDZFH | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 2.5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sod-923 | CDZFHT2 | 100 MW | Vmn2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 23 V | 30 V | 200 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RSX205LAM30TR | 0.4700 | | 17 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | RSX205 | Schottky | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 490 MV @ 2 A | 200 µA @ 30 V | 150 ° C (Máximo) | 2A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TDZTR12 | 0.3800 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | TDZTR12 | 500 MW | Tumd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µA @ 8 V | 12 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SP8K52HZGTB | 1.8000 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SP8K52 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W (TA) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 100V | 3a (TA) | 170mohm @ 3a, 10v | 2.5V @ 1MA | 8.5nc @ 5V | 610pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Edzvfht2r3.3b | 0.3400 | | 8 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 3.18% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | Edzvfht2 | 150 MW | EMD2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 20 µA @ 1 V | 3.3 V | 120 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | EML17T2R | 0.1216 | | 4977 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | 6-SMD (5 cables), Plano Plano | EML17 | 120 MW | EMT5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 V | 30 Ma | 500NA | PNP - Precializado + Diodo | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 47 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB551VM-40TE-17 | 0.4200 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | RB551 | Schottky | Umd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 40 V | 430 MV @ 200 Ma | 300 µA @ 40 V | 125 ° C | 200 MMA | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Rfn1lam6str | 0.4300 | | 40 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | Rfn1lam6 | Estándar | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.45 V @ 800 Ma | 35 ns | 1 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 800mA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RDX050N50FU6 | - | | 1179 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | RDX050 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 500 V | 5A (TA) | 10V | 1.5ohm @ 2.5a, 10V | 4V @ 1MA | 16 NC @ 10 V | ± 30V | 500 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RLZTE-114.3C | - | | 9094 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 3% | - | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | LLDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 5 µA @ 1 V | 4.3 V | 40 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RB751S-40FTE61 | - | | 2506 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | RB751 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-RB751S-40FTE61TR | Obsoleto | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RGWS80TS65DGC13 | 6.5200 | | 7126 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | RGWS80 | Estándar | 202 W | To-247g | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RGWS80TS65DGC13 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 40a, 10ohm, 15V | 88 ns | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 71 A | 120 A | 2V @ 15V, 40A | 700 µJ (Encendido), 660 µJ (apagado) | 83 NC | 40ns/114ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FMG4AT148 | 0.5200 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | Fmg4 | 300MW | Smt5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100mA | - | 2 NPN - Precializado (dual) | 300mv @ 1 mapa, 10 ma | 100 @ 1 mapa, 5v | 250MHz | 10 kohms | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | R6509KND3TL1 | 1.8500 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | R6509 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 650 V | 9A (TC) | 10V | 585mohm @ 2.8a, 10V | 5V @ 230 µA | 16.5 NC @ 10 V | ± 20V | 540 pf @ 25 V | - | 94W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDZVTR13B | 0.4500 | | 171 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | PDZV | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.01% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-128 | PDZVTR13 | 1 W | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µA @ 10 V | 14.15 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RA1C030LDT5CL | 0.4800 | | 14 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-xfdfn | Mosfet (Óxido de metal) | DSN1006-3 | descascar | 1 (ilimitado) | 846-RA1C030LDT5CLCT | EAR99 | 8541.29.0095 | 15,000 | N-canal | 20 V | 3a (TA) | 1.8V, 4.5V | 140mohm @ 3a, 4.5V | 1.5V @ 1MA | 1.5 NC @ 4.5 V | +7V, -0.2V | 150 pf @ 10 V | - | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RBR10BM30ATL | 1.0900 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RBR10 | Schottky | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 30 V | 5A | 550 MV @ 5 A | 100 µA @ 30 V | 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bzx84b13vlt116 | 0.2600 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 2.3% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 250 MW | SSD3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 8 V | 13 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SAR533P5T100 | 0.4600 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2Sar533 | 500 MW | MPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 50 V | 3 A | 1 µA (ICBO) | PNP | 400mv @ 50 mm, 1a | 180 @ 50mA, 3V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDZVTR36B | 0.4100 | | 8 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | PDZV | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.26% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-128 | PDZVTR36 | 1 W | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µA @ 27 V | 38 V | 20 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RB521S-303TTE61 | - | | 4654 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | RB521 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-RB521S-303TTE61TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RGS80TSX2GC11 | 10.6500 | | 21 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | RGS80 | Estándar | 555 W | To-247n | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RGS80TSX2GC11 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V, 40A, 10ohm, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 80 A | 120 A | 2.1V @ 15V, 40A | 3MJ (Encendido), 3.1MJ (apagado) | 104 NC | 49ns/199ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Rru1lam4str | 0.4300 | | 81 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SOD-128 | Rru1lam4 | Estándar | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 800 Ma | 400 ns | 10 µA @ 400 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Udzste-1710b | 0.0687 | | 4553 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Udzste | 200 MW | Umd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 7 V | 10 V | 30 ohmios |
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