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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Actual | Voltaje | Voltaje - Aislamiente | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RGT00TS65DGC13 | 11.3000 | ![]() | 1829 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Rgt00 | Estándar | 277 W | To-247g | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RGT00TS65DGC13 | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | 400V, 50A, 10ohm, 15V | 54 ns | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 85 A | 150 A | 2.1V @ 15V, 50A | - | 94 NC | 42ns/137ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dtc123eu3t106 | 0.2000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | DTC123 | 200 MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | - | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 20 @ 20MA, 5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 2.2 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rd3p05battl1 | 2.6500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RD3P05 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | descascar | 1 (ilimitado) | 2.500 | Canal P | 100 V | 50A (TA) | 6V, 10V | 41mohm @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 4620 pf @ 50 V | - | 101W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCS220AEC | - | ![]() | 4758 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SCS220 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | To-247 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 360 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.55 V @ 20 A | 0 ns | 400 µA @ 600 V | 175 ° C (Máximo) | 20A | 730pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rv3ca01zpt2cl | 0.5500 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-xfdfn | RV3CA01 | Mosfet (Óxido de metal) | VML0604 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | Canal P | 20 V | 100 mA (TA) | 1.5V, 4.5V | 3.8ohm @ 100 mm, 4.5V | 1V @ 100 µA | ± 10V | 7.5 pf @ 10 V | - | 100MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DA221MT2L | - | ![]() | 2867 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | Sot-723 | DA221 | Estándar | VMD3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | Conexión de la Serie de 1 par | 20 V | 100mA | 1 V @ 10 Ma | 100 na @ 15 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SR139-400T-32 | - | ![]() | 7521 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-41 mini, axial | 1SR139 | Estándar | MSR | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 v @ 1 a | 10 µA @ 400 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ufzvte-1727b | 0.3000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2.53% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Ufzvte | 500 MW | Umd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 na @ 21 V | 27 V | 45 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R5021ANX | 3.3797 | ![]() | 4461 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | R5021 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 500 V | 21a (TC) | 10V | 210mohm @ 10.5a, 10v | 4.5V @ 1MA | 64 NC @ 10 V | ± 30V | 2300 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB705DT146 | 0.4300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | RB705 | Schottky | Smd3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Cátodo Común | 40 V | 15 Ma | 370 MV @ 1 MA | 1 µA @ 10 V | 125 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1386T100Q | 0.6100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2SB1386 | 2 W | MPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 20 V | 5 A | 500NA (ICBO) | PNP | 1v @ 100 mapa, 4a | 120 @ 500mA, 2V | 120MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Umb3nfhatn | 0.3300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | UMB3 | 150MW | UMT6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100mA | 500NA (ICBO) | 2 PNP Pre-Sesgado (Dual) | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 100 @ 1 mapa, 5v | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UDZLVTE-17130 | 0.3000 | ![]() | 913 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Udzlvte | 200 MW | Sod-323fl | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 na @ 102 V | 130 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
R6020ENZC17 | 6.1700 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | R6020 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-R6020ENZC17 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 20A (TC) | 10V | 196mohm @ 9.5a, 10V | 4V @ 1MA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 120W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF081MM2STFTR | 0.4500 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | RF081 | Estándar | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 980 MV @ 1 A | 25 ns | 10 µA @ 200 V | 150 ° C (Máximo) | 800mA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Mtzjt-7722c | - | ![]() | 1243 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | MTZ J | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 3% | - | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | 500 MW | MSD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 17 V | 22 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1776TV2Q | - | ![]() | 7190 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 3-SIP | 2SA1776 | 1 W | Canal de televisión Británnico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 400 V | 500 mA | 1 µA (ICBO) | PNP | 1V @ 10 Ma, 100 Ma | 120 @ 50mA, 5V | 12MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rf305b6stl | - | ![]() | 6017 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RF305 | Estándar | CPD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 150 ° C (Máximo) | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rfn2lam6stftr | 0.6100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | Rfn2lam6 | Estándar | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.55 V @ 1.5 A | 35 ns | 1 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 1.5a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4102T106R | 0.4000 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 2SC4102 | 200 MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 120 V | 50 Ma | 500NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 1 mapa, 10 ma | 180 @ 2mA, 6V | 140MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dtc024eBtl | 0.1900 | ![]() | 122 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | DTC024 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 30 Ma | - | NPN - Pre -Sesgado | 150mv @ 500 µA, 5 mA | 60 @ 5 mm, 10v | 250 MHz | 22 kohms | 22 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Rs3l140gngzetb | 2.8300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Rs3l | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 14a (TA) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 14a, 10v | 2.7V @ 500 µA | 58 NC @ 10 V | ± 20V | 2980 pf @ 30 V | - | 1.4W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDZVTR18B | 0.4100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | PDZV | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.01% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-128 | PDZVTR18 | 1 W | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µA @ 13 V | 18 V | 12 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDZVT2R2.2B | 0.2700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | CDZV | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 150 ° C | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | CDZVT2 | 100 MW | Vmn2m | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 120 µA @ 700 MV | 2.2 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IMH9AT110 | 0.3800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-74, SOT-457 | IMH9 | 300MW | Smt6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100mA | 500NA | 2 NPN - Precializado (dual) | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 68 @ 5MA, 5V | 250MHz | 10 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDZFHT2RA27B | 0.0649 | ![]() | 8297 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotive, AEC-Q101, CDZFH | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 2.49% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sod-923 | CDZFHT2 | 100 MW | Vmn2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 21 V | 26.86 V | 150 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB168VYM-30FHTR | 0.4300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | RB168 | Schottky | Tumd2m | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 730 MV @ 1 A | 4.7 ns | 300 na @ 30 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dtd743zmt2l | 0.1035 | ![]() | 4373 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | Sot-723 | Dtd743 | 150 MW | VMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 30 V | 200 MA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 2.5 mA, 50 mA | 140 @ 100mA, 2V | 260 MHz | 4.7 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BM63563S-VC | 22.8600 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Módulo de 25 Potencias (1.327 ", 33.70 mm) | IGBT | BM63563 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 60 | Inversor de 3 fase | 10 A | 600 V | 1500 VRMS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDZVT2R13B | 0.2400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2.23% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | CDZVT2 | 100 MW | Vmn2m | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 10 V | 13 V | 37 ohmios |
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