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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
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![]() | 1SR139-600T-31 | - | ![]() | 8843 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-41 mini, axial | 1SR139 | Estándar | MSR | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1SR139600T31 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.1 v @ 1 a | 10 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Stz6.8tfht146 | 0.4400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 4.93% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Stz6.8 | 200 MW | Smd3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 par Ánodo Común | 500 na @ 3.5 V | 6.8 V | 40 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rfuh20tb4s | 0.7725 | ![]() | 7255 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | No hay para Nuevos Diseños | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Rfuh20 | Estándar | Un 220FN | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 430 V | 1.7 V @ 20 A | 25 ns | 10 µA @ 430 V | 150 ° C (Máximo) | 20A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dtd513zmt2l | 0.0955 | ![]() | 4729 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sot-723 | Dtd513 | 150 MW | VMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 12 V | 500 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 5 Ma, 100 Ma | 140 @ 100mA, 2V | 260 MHz | 1 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Um6k31nfhatcn | 0.4900 | ![]() | 4516 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | UM6K31 | Mosfet (Óxido de metal) | 150MW | UMT6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 250 mA (TA) | 2.4ohm @ 250 mA, 10V | 2.3V @ 1MA | - | 15pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | US6X5TR | 0.2628 | ![]() | 8378 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-smd, planos de cables | US6X5 | 1 W | Tumt6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 12 V | 2 A | 100NA (ICBO) | NPN | 180mv @ 50 mm, 1a | 270 @ 200MA, 2V | 360MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT3160KW7TL | 11.2700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA | SCT3160 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | Un 263-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 1200 V | 17a (TC) | 208mohm @ 5a, 18V | 5.6V @ 2.5MA | 42 NC @ 18 V | +22V, -4V | 398 pf @ 800 V | - | 100W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UDZWTE-172.4B | - | ![]() | 6274 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Umd2 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGW40TK65GVC11 | 5.4100 | ![]() | 1287 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3PFM, SC-93-3 | RGW40 | Estándar | 61 W | To-3pfm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RGW40TK65GVC11 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 20a, 10ohm, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 27 A | 80 A | 1.9V @ 15V, 20a | 330 µJ (Encendido), 300 µJ (apaguado) | 59 NC | 33ns/76ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB095BGE-90TL | 0.9200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RB095 | Schottky | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | - | 1 par Cátodo Común | 90 V | 6A | 750 MV @ 3 A | 150 µA @ 90 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB225T100 | 1.2437 | ![]() | 9181 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | No hay para Nuevos Diseños | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | RB225 | Schottky | Un 220FN | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 110 V | 15A | 860 MV @ 15 A | 400 µA @ 100 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rbs5lam40atr | 0.4700 | ![]() | 610 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | Rbs5lam40 | Schottky | PMDT | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 490 MV @ 5 A | 800 µA @ 20 V | 125 ° C | 5A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGS00TS65EHRC11 | 9.6400 | ![]() | 7821 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Rgs00 | Estándar | 326 W | To-247n | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RGS00TS65EHRC11 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 50A, 10ohm, 15V | 113 ns | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 88 A | 150 A | 2.1V @ 15V, 50A | - | 58 NC | 36NS/115NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ufzvte-1736b | 0.3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2.61% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 500 MW | Umd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 na @ 27 V | 34.12 V | 75 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6027ynxc7g | 5.5800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | 1 (ilimitado) | 846-R6027YNXC7G | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 14a (TC) | 10V, 12V | 135mohm @ 7a, 12v | 6V @ 2mA | 40 NC @ 10 V | ± 30V | 1670 pf @ 100 V | - | 70W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rcd080n25tl | 1.7100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RCD080 | Mosfet (Óxido de metal) | CPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 250 V | 8a (TA) | 10V | 300mohm @ 4a, 10v | 5V @ 1MA | 25 NC @ 10 V | ± 30V | 1440 pf @ 25 V | - | 850MW (TA), 20W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dtc143ze3tl | 0.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Dta143z | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | DTC143 | 150 MW | EMT3 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB088NS100TL | 1.6600 | ![]() | 198 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | RB088 | Schottky | LPDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 5A | 870 MV @ 5 A | 5 µA @ 100 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C3V6LYT116 | 0.4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.56% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 5 µA @ 1 V | 3.6 V | 90 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Sp8m24fratb | 1.8100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SP8M24 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 45V | 4.5a (TA), 3.5a (TA) | 46mohm @ 4.5a, 10v, 63mohm @ 3.5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 9.6nc @ 5V, 18.2nc @ 5V | 550pf @ 10V, 1700pf @ 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB168L100DDTE25 | 0.4800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | RB168 | Schottky | PMDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 810 MV @ 1 A | 400 na @ 100 V | 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UDZWTE-173.3B | - | ![]() | 7586 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Umd2 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSD080N06TL | 0.5586 | ![]() | 4806 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RSD080 | Mosfet (Óxido de metal) | CPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 8a (TA) | 4V, 10V | 80mohm @ 8a, 10v | 2.5V @ 1MA | 9.4 NC @ 10 V | ± 20V | 380 pf @ 10 V | - | 15W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rb088bm200tl | 1.7200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RB088 | Schottky | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 10A | 880 MV @ 5 A | 7 µA @ 200 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6004enx | 1.6400 | ![]() | 109 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | R6004 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 4A (TC) | 10V | 980mohm @ 1.5a, 10V | 4V @ 1MA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 250 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Edzfhte615.6b | - | ![]() | 9101 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Edz | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | Edzfht | 100 MW | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-edzfhte615.6btr | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dan222mfht2l | 0.3700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | Sot-723 | Dan222 | Estándar | VMD3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Cátodo Común | 80 V | 100mA | 1.2 V @ 100 Ma | 4 ns | 100 na @ 70 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Kdztftr5.6b | 0.1996 | ![]() | 5600 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | - | - | Montaje en superficie | SOD-123F | Kdztftr5.6 | 1 W | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 20 µA @ 1.5 V | 5.6 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EMN11T2R | 0.4300 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | EMN11 | Estándar | EMD6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 2 par Cátodo Común | 80 V | 100mA | 1.2 V @ 100 Ma | 4 ns | 100 na @ 70 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rq5h030tntl | 0.6700 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-96 | RQ5H030 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 45 V | 3a (TA) | 2.5V, 4.5V | 67mohm @ 3a, 4.5V | 1.5V @ 1MA | 6.2 NC @ 4.5 V | ± 12V | 510 pf @ 10 V | - | 700MW (TA) |
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