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Productos de semiconductoros discretos (6960)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Fml9t148 | 0.2350 |  | 7983 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | Fml9t148 | 200 MW | Smt5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 V | 1.5 A | 100NA (ICBO) | Npn + diodo (aislado) | 200 MV a 25 mm, 500 Ma | 270 @ 200MA, 2V | 400MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bzx84c11vlfht116 | 0.1600 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 5.45% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 250 MW | SSD3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 8 V | 11 V | 20 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RLZTE-116.2B | - | | 2618 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 3% | - | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | LLDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 5 µA @ 3 V | 6.2 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TT8J3TR | 0.6300 | | 29 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | TT8J3 | - | 1.25W | 8-TSST | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 2.5a | 84mohm @ 2.5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 4.8nc @ 5V | 460pf @ 15V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | EMF7T2R | - | | 5744 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | EMF7 | 150MW | EMT6 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 846-EMF7T2RTR | 8,000 | 50V, 12V | 100 Ma, 500 Ma | 500NA, 100NA (ICBO) | 1 NPN Pre-Sesgado, 1 NPN | 300mv @ 500 µA, 10 mm / 250mv @ 10 mA, 200 mA | 20 @ 20MA, 5V / 270 @ 10MA, 2V | 250MHz, 320MHz | 2.2 kohms | 2.2 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | R6030KNZ1C9 | - | | 9483 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | R6030 | Mosfet (Óxido de metal) | To-247 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 30A (TC) | 10V | 130mohm @ 14.5a, 10v | 5V @ 1MA | 56 NC @ 10 V | ± 20V | 2350 pf @ 25 V | - | 305W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RGW80TS65GC11 | 5.4600 | | 152 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | RGW80 | Estándar | 214 W | To-247n | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 40a, 10ohm, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 78 A | 160 A | 1.9V @ 15V, 40A | 760 µJ (Encendido), 720 µJ (apagado) | 110 NC | 44ns/143ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bzx84b15vlyfht116 | 0.4200 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 10 V | 15 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RQ3E080GNTB | 0.5300 | | 3876 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | RQ3E080 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-HSMT (3.2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 8a (TA) | 4.5V, 10V | 16.7mohm @ 8a, 10v | 2.5V @ 1MA | 5.8 NC @ 10 V | ± 20V | 295 pf @ 15 V | - | 2W (TA), 15W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB055LA-409HKTR | - | | 9426 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SOD-128 | Schottky | PMDT | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 846-RB055LA-409HKTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 620 MV @ 3 A | 100 µA @ 40 V | 150 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RB520S-309HLTE61 | - | | 3101 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | RB520 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-RB520S-309HLTE61TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RBQ20BGE65ATL | 2.1500 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RBQ20 | Schottky | Un 252GE | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 65 V | 20A | 630 MV @ 10 A | 200 µA @ 65 V | 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rd3g07battl1 | 2.3900 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Rd3g07 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 40 V | 70A (TA) | 4.5V, 10V | 7.1mohm @ 70a, 10v | 2.5V @ 1MA | 105 NC @ 10 V | ± 20V | 5550 pf @ 20 V | - | 101W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Dta143tu3hzgt106 | 0.3800 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | DTA143 | 200 MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 100 @ 1 mapa, 5v | 250 MHz | 4.7 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Ptztfte2522b | 0.6100 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.38% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | 1 W | PMDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 10 µA @ 17 V | 23.25 V | 14 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Edzvfht2r3.0b | 0.3400 | | 8768 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 3.5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | Edzvfht2 | 150 MW | EMD2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 50 µA @ 1 V | 3 V | 120 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Dta124xmfhat2l | 0.0668 | | 1035 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | Sot-723 | Dta124 | 150 MW | VMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 V | 100 mA | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 22 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mtzjt-7718b | - | | 7129 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | MTZ J | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 3% | - | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | 500 MW | MSD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 13 V | 18 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Scs220ke2hrc | - | | 6362 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SCS220 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | To-247 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 360 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1 par Cátodo Común | 650 V | 10a (DC) | 1.55 v @ 10 a | 200 µA @ 600 V | 175 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Umf17ntr | - | | 6657 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | UMF17 | 150MW | UMT6 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 846-UMF17NTR | 3.000 | 50V | 100 Ma, 150 Ma | 500NA, 100NA (ICBO) | 1 NPN - Precializado, 1 PNP | 300mV @ 500 µA, 10 mm / 500mv @ 5 mA, 50 mA | 20 @ 20MA, 5V / 180 @ 1 MA, 6V | 250MHz, 140MHz | 2.2 kohms | 2.2 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Scs210aJtll | 5.4900 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SCS210 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Un 263ab | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.55 v @ 10 a | 0 ns | 200 µA @ 600 V | 175 ° C (Máximo) | 10A | 365pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RB520S-30FSTE61 | - | | 7772 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | RB520 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-RB520S-30FSTE61TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rs1e220attb1 | 2.7700 | | 7 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Rs1e | Mosfet (Óxido de metal) | 8-HSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 22a (TA), 76a (TC) | 4.5V, 10V | 4.1mohm @ 22a, 10v | 2.5V @ 2mA | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 5850 pf @ 15 V | - | 3W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTZJT-772.2B | - | | 4872 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | MTZ J | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 3% | - | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | 500 MW | MSD | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Mtzjt772.2b | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 2.2 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Kdzvtftr16b | 0.4700 | | 23 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotive, AEC-Q101, KDZVTF | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.56% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123F | Kdzvtftr16 | 1 W | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µA @ 12 V | 17.25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Umz18kfhtl | 0.3500 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 2.2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-82A, SOT-343 | UMZ18 | 200 MW | Umd4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 2 Independientes | 100 na @ 13 V | 17.96 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84C6V8LFHT116 | 0.1600 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 5.88% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 250 MW | SSD3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 2 µA @ 4 V | 6.8 V | 15 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Dtc115ee3hzgtl | 0.4100 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | DTC115 | 150 MW | EMT3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 82 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 100 kohms | 100 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LP8M3FP8TB1 | - | | 6873 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | LP8M3 | - | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-LP8M3FP8TB1TR | Obsoleto | 2.500 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2sar564f3tr | 0.9000 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-udfn almohadilla exposición | 1 W | Huml2020l3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 80 V | 4 A | 1 µA (ICBO) | PNP | 360mv @ 100 mm, 2a | 120 @ 500 Ma, 3V | 220MHz |
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