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Productos de semiconductoros discretos (6960)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	TUPO	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Condición de PrueBa	Actual	Voltaje	Voltaje - Aislamiente	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Real - Corte de Coleción (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Resistencia - Base (R1)	Resistencia - Base de Emisor (R2)
Dan202umtl	0.2800	RFQ	13	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SC-85		Dan202		Estándar		Umd3f	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad																1 par Cátodo Común	80 V	100mA	1.2 V @ 100 Ma	4 ns	100 na @ 70 V	150 ° C (Máximo)
RB238T-60NZC9	2.0100	RFQ	1	Semiconductor rohm	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero		RB238		Schottky		Un 220FN	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)																1 par Cátodo Común	60 V	40A	860 MV @ 20 A		12 µA @ 60 V	150 ° C (Máximo)
CDZVT2R11B	0.2700	RFQ	7	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-	150 ° C	Montaje en superficie	2-SMD, Plano Plano		CDZVT2			100 MW	Vmn2m	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	8,000																							100 na @ 8 V													11 V	30 ohmios
RK7002AT116	-	RFQ	1406	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3		RK7002		Mosfet (Óxido de metal)		SST3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000			N-canal					60 V	300 mA (TA)	4V, 10V	1ohm @ 300mA, 10V	2.5V @ 1MA	6 NC @ 10 V	± 20V	33 pf @ 10 V	-	200MW (TA)
SCT4045DW7HRTL	15.1500	RFQ	1	Semiconductor rohm	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo		175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA				Sicfet (CARBURO DE SILICIO)		Un 263-7L	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal					750 V	31a (TC)	18V	59mohm @ 17a, 18V	4.8v @ 8.89 mA	63 NC @ 18 V	+21V, -4V	1460 pf @ 500 V	-	93W
Edzfjte613.6b	-	RFQ	1995	Semiconductor rohm	Edz	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-	-55 ° C ~ 125 ° C	Montaje en superficie			Edzfjt			100 MW		descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		846-edzfjte613.6btr	EAR99	8541.10.0050	3.000
UDZWTE-176.2B	-	RFQ	5168	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	SC-90, SOD-323F						Umd2	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		Obsoleto	0000.00.0000	3.000
Rbr3lam60atr	0.5300	RFQ	8	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SOD-128		RBR3LAM60		Schottky		Pmdtm	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)																	60 V		660 MV @ 3 A		100 µA @ 60 V	150 ° C (Máximo)	3A	-
BM63963S-VC	22.8600	RFQ	6019	Semiconductor rohm	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Módulo de 25 Potencias (1.327 ", 33.70 mm)	IGBT	BM63963					descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	60	Inversor de 3 fase				10 A	600 V	1500 VRMS
RH6R025BHTB1	1.8900	RFQ	3	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8Powervdfn		RH6R025		Mosfet (Óxido de metal)		8-HSMT (3.2x3)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000			N-canal					150 V	25A (TA)	6V, 10V	60mohm @ 25A, 10V	4V @ 1MA	16.7 NC @ 10 V	± 20V	1010 pf @ 75 V	-	2W (TA), 59W (TC)
RB521S-30FTE61	-	RFQ	5168	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	SC-79, SOD-523		RB521		Schottky		EMD2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad																	30 V		500 MV @ 200 Ma		30 µA @ 10 V	125 ° C (Máximo)	200 MMA	-
Dtc143ecat116	0.2800	RFQ	41	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3		DTC143			200 MW	SST3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																												50 V	100 mA						500NA			NPN - Pre -Sesgado	300mv @ 500 µA, 10 mA	30 @ 10mA, 5V	250 MHz	4.7 kohms	4.7 kohms
RXH100N03TB1	1.5300	RFQ	2	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo		150 ° C	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)		RXH100		Mosfet (Óxido de metal)		8-SOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500			N-canal					30 V	10a (TA)	4V, 10V	13mohm @ 10a, 10v	2.5V @ 1MA	11 NC @ 5 V	± 20V	800 pf @ 10 V	-	2W (TA)
2sar564f3tr	0.9000	RFQ	3	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	3-udfn almohadilla exposición					1 W	Huml2020l3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	3.000																												80 V	4 A						1 µA (ICBO)			PNP	360mv @ 100 mm, 2a	120 @ 500 Ma, 3V	220MHz
RRS100P03TB1	-	RFQ	7588	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)				Mosfet (Óxido de metal)		8-SOP	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500			Canal P					30 V	10a (TA)		-	-				-	-
RB532HS-30T15R	0.3800	RFQ	9	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	0201 (0603 Métrica)		RB532		Schottky		DSN0603-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	15,000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad																	30 V		500 MV @ 100 Ma		100 µA @ 30 V	150 ° C	200 MMA	-
2SD1963T100Q	-	RFQ	7702	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-243AA		2SD1963			500 MW	MPT3	-	ROHS3 Cumplante			846-2SD1963T100QTR			1,000																												20 V	3 A						500NA (ICBO)			PNP	300 mv @ 2.5mA, 25 mA	180 @ 2mA, 6V
Rd3p100snfratl	1.6300	RFQ	617	Semiconductor rohm	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		Rd3p100		Mosfet (Óxido de metal)		Un 252	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500			N-canal					100 V	10a (TA)	4V, 10V	133mohm @ 5a, 10v	2.5V @ 1MA	18 NC @ 10 V	± 20V	700 pf @ 25 V	-	20W (TC)
PDZVTR2.2B	0.4000	RFQ	5	Semiconductor rohm	PDZV	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5.68%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-128		PDZVTR2.2			1 W	Pmdtm	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000																							200 µA @ 700 MV													2.2 V	20 ohmios
Bzx84c10vlyt116	0.4200	RFQ	8	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 6%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3					250 MW	Sot-23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000																							200 na @ 7 V													10 V	20 ohmios
Dta015tubtl	0.0536	RFQ	5225	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SC-85		DTA015			200 MW	UMT3F	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																												50 V	100 mA						500NA (ICBO)			PNP - Pre -Sesgado	250mv @ 250 µA, 5 mA	100 @ 5 MMA, 10V	250 MHz	100 kohms
Sp8m9fu6tb	-	RFQ	7434	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)		SP8M9		Mosfet (Óxido de metal)	2W	8-SOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500	Vecino del canal							30V	9a, 5a		18mohm @ 9a, 10v	2.5V @ 1MA	21NC @ 5V		1190pf @ 10V	Puerta de Nivel Lógico
Rf073m2str	0.1708	RFQ	8947	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños			Montaje en superficie	SOD-123F		RF073		Estándar		Pmdu	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)																	200 V		890 MV @ 700 Ma	20 ns	10 µA @ 200 V	150 ° C (Máximo)	700mA	-
Udzste-1733b	0.3500	RFQ	4	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	± 3%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-90, SOD-323F		Udzste			200 MW	Umd2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000																							100 na @ 25 V													33 V	250 ohmios
R6520EnJTL	6.2900	RFQ	100	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		R6520		Mosfet (Óxido de metal)		LPTS	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal					650 V	20A (TC)	10V	205mohm @ 9.5a, 10V	4V @ 630 µA	61 NC @ 10 V	± 20V	1400 pf @ 25 V	-	231W (TC)
BZX84C2V7LFHT116	0.1600	RFQ	1	Semiconductor rohm	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	± 5.56%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3		BZX84			250 MW	SSD3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000																							20 µA @ 1 V													2.7 V	90 ohmios
R6530ENZ4C13	6.8600	RFQ	486	Semiconductor rohm	-	Tubo	Activo		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3		R6530		Mosfet (Óxido de metal)		To-247g	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	846-R6530ENZ4C13	EAR99	8541.29.0095	30			N-canal					650 V	30A (TC)	10V	140mohm @ 14.5a, 10v	4V @ 960 µA	90 NC @ 10 V	± 20V	2100 pf @ 25 V	-	305W (TC)
Rgt30nl65dgtl	2.7400	RFQ	4694	Semiconductor rohm	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Rgt30	Estándar		133 W	LPDS	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000				400V, 15a, 10ohm, 15V																		55 ns					Parada de Campo de Trinchera	650 V	30 A	45 A	2.1V @ 15V, 15a	-	32 NC	18ns/64ns
RBQ10NS65AFHTL	0.4851	RFQ	6340	Semiconductor rohm	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		RBQ10		Schottky		LPDS	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)																1 par Cátodo Común	65 V	10A	690 MV @ 5 A		70 µA @ 65 V	150 ° C (Máximo)
Scs240ke2c	-	RFQ	8510	Semiconductor rohm	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO-247-3		SCS240		Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY		To-247	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Scs240ke2cz	EAR99	8541.10.0080	360		Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)																1 par Cátodo Común	1200 V	20A (DC)		0 ns	400 µA @ 1200 V	175 ° C (Máximo)