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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RB851Y7HMT2R | - | ![]() | 3443 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-75-4, SOT-543 | Schottky | EMD4 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RB851Y7HMT2RTR | Obsoleto | 8,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 2 Independientes | 3 V | 30 mA (DC) | 460 MV @ 1 MA | 700 na @ 1 V | 125 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EMB60T2R | 0.3900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | EMB60 | 150MW | EMT6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50V | 100mA | 500NA | 2 PNP Pre-Sesgado (Dual) | 150mv @ 500 µA, 5 mA | 80 @ 5 MMA, 10V | 250MHz | 2kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C5V1LYT116 | 0.4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.88% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 2 µA @ 2 V | 5.1 V | 60 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UMZ18NT106 | 0.1075 | ![]() | 3998 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2.19% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | UMZ18 | 200 MW | Umd3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 par Ánodo Común | 100 na @ 13 V | 18 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6076ENZ4C13 | 20.3900 | ![]() | 479 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | R6076 | Mosfet (Óxido de metal) | To-247 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-R6076ENZ4C13 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 76a (TC) | 10V | 42mohm @ 44.4a, 10V | 4V @ 1MA | 260 NC @ 10 V | ± 20V | 6500 pf @ 25 V | - | 735W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
MTZJT-773.0B | - | ![]() | 5143 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | MTZ J | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 3% | - | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | 500 MW | MSD | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Mtzjt773.0b | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 3 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rbs2lam40btr | 0.1360 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | Rbs2lam40 | Schottky | PMDT | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RBS2LAM40BCT | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 410 MV @ 2 A | 500 µA @ 20 V | 125 ° C | 2A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rbr5lam40atftr | 0.6600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | RBR5LAM40 | Schottky | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 200 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | 5A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SS400SMT2R | 0.2400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 1SS400 | Estándar | EMD2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 80 V | 1.2 V @ 100 Ma | 4 ns | 100 na @ 80 V | 150 ° C (Máximo) | 100mA | 3PF @ 0.5V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR586D3TL1 | 1.0000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 2SCR586 | 10 W | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 80 V | 5 A | 1 µA (ICBO) | NPN | 300mv @ 100 mm, 2a | 120 @ 500 Ma, 3V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | US6U37TR | 0.2938 | ![]() | 6394 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-smd, planos de cables | US6U37 | Mosfet (Óxido de metal) | Tumt6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 1.5a (TA) | 2.5V, 4.5V | 240mohm @ 1.5a, 4.5V | 1.5V @ 1MA | 2.2 NC @ 4.5 V | ± 12V | 80 pf @ 10 V | - | 700MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bzx84c27vlfht116 | 0.1600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 7.04% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 250 MW | SSD3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 19 V | 27 V | 80 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCS215AJHRTLL | 9.5300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SCS215 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Un 263ab | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.55 V @ 15 A | 0 ns | 300 µA @ 600 V | 175 ° C (Máximo) | 15A | 550pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IMX3T108 | 0.1522 | ![]() | 6885 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-74, SOT-457 | IMX3 | 300MW | Smt6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | 2 NPN (dual) | 400mv @ 5 Ma, 50 Ma | 120 @ 1 MMA, 6V | 180MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bav199hmfht116 | 0.2600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAV199 | Estándar | SSD3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 80 V | 215MA (DC) | 1.25 V @ 150 Ma | 3 µs | 5 na @ 75 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rf071l4ste25 | 0.1009 | ![]() | 4779 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | RF071 | Estándar | PMDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.25 V @ 700 Ma | 25 ns | 10 µA @ 400 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
MTZJT-7220C | - | ![]() | 2404 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | MTZ J | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 3% | - | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | Mtzjt-72 | 500 MW | MSD | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | MTZJT7220C | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 20 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB706UM-40FHTL | 0.3900 | ![]() | 7766 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SC-85 | RB706 | Schottky | Umd3f | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | Conexión de la Serie de 1 par | 40 V | 30mera | 370 MV @ 1 MA | 1 µA @ 30 V | 125 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RTL035N03TR | 0.6400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-smd, planos de cables | RTL035 | Mosfet (Óxido de metal) | Tumt6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 3.5a (TA) | 2.5V, 4.5V | 56mohm @ 3.5a, 4.5V | 1.5V @ 1MA | 6.4 NC @ 4.5 V | ± 12V | 350 pf @ 10 V | - | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | UFZVTE-175.6B | 0.3900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2.5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 500 MW | Umd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 5 µA @ 2.5 V | 5.6 V | 13 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rfc02mm2str | 0.4700 | ![]() | 4691 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | RFC02 | Estándar | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 200 V | 750 MV @ 100 Ma | 35 ns | 1 µA @ 200 V | 150 ° C | 200 MMA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBR20NS60ATL | 0.7845 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | RBR20 | Schottky | LPDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RBR20NS60ATLCT | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 10A | 640 MV @ 10 A | 400 µA @ 60 V | 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||
Sh8m41gzetb | 1.4800 | ![]() | 5107 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sh8m41 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 80V | 3.4a, 2.6a | 130mohm @ 3.4a, 10v | 2.5V @ 1MA | 9.2NC @ 5V | 600pf @ 10V | Puerta de Nivel de Lógica, Unidad de 4V | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EMD30T2R | 0.1084 | ![]() | 8273 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | EMD30 | 150MW | EMT6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50V, 30V | 200 MMA | 500NA | 1 PNP Pre-Sesgado, 1 NPN | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5MA, 5V / 140 @ 100MA, 2V | 260MHz | 10 kohms, 1 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
Mtzjt-774.7c | - | ![]() | 6764 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | MTZ J | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 3% | - | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | 500 MW | MSD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 1 V | 4.7 V | 80 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
Rlzte-1124b | - | ![]() | 3331 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 3% | - | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | RLZTE-1124 | 500 MW | LLDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 200 na @ 19 V | 23.2 V | 35 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UMT4403U3HZGT106 | 0.6100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | UMT4403 | 200 MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 V | 600 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 750mv @ 50 mm, 500 mA | 100 @ 150mA, 1V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fml9t148 | 0.2350 | ![]() | 7983 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | Fml9t148 | 200 MW | Smt5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 V | 1.5 A | 100NA (ICBO) | Npn + diodo (aislado) | 200 MV a 25 mm, 500 Ma | 270 @ 200MA, 2V | 400MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RT1C060UNTR | 0.2213 | ![]() | 7445 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | RT1C060 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-TSST | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 6a (TA) | 1.5V, 4.5V | 28mohm @ 6a, 4.5V | 1V @ 1MA | 11 NC @ 4.5 V | ± 10V | 870 pf @ 10 V | - | 650MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Umh25ntn | 0.3600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | UMH25 | 150MW | UMT6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100mA | 500NA | 2 NPN - Precializado (dual) | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 80 @ 10mA, 5V | 250MHz | 4.7 kohms | 47 kohms |
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