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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Actual | Voltaje | Voltaje - Aislamiente | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
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![]() | RD3L140SPTL1 | 1.7200 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RD3L140 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 60 V | 14a (TA) | 4V, 10V | 84mohm @ 14a, 10v | 3V @ 1MA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 1900 pf @ 10 V | - | 20W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2sc2411kt146q | 0.4100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 2SC2411 | 200 MW | Smt3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 32 V | 500 mA | 1 µA (ICBO) | NPN | 600mv @ 50 mA, 500 mA | 120 @ 100 mapa, 3V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dta123eu3hzgt106 | 0.3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | DTA123 | 200 MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 20 @ 20MA, 5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 2.2 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VT6T12T2R | 0.4200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-smd, planos de cables | VT6T12 | 150MW | VMT6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50V | 100mA | 100NA (ICBO) | 2 PNP (dual) | 400mv @ 5 Ma, 50 Ma | 120 @ 1 MMA, 6V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UFZVTE-179.1B | 0.3900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2.66% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 500 MW | Umd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 500 na @ 6 V | 8.87 V | 8 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | QH8K51TR | 1.0600 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | QH8K51 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1W (TA) | TSMT8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 100V | 2a (TA) | 325mohm @ 2a, 10v | 2.5V @ 1MA | 4.7nc @ 5V | 290pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rbr5l40ate25 | 0.3972 | ![]() | 2571 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | RBR5L40 | Schottky | PMDS | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 530 MV @ 5 A | 200 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | 5A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB520S-309HKTE61 | - | ![]() | 9545 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | RB520 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-RB520S-309HKTE61TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1767T100Q | 0.6700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2SD1767 | 500 MW | MPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 80 V | 700 Ma | 500NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 50 mA, 500 mA | 120 @ 100 mapa, 3V | 120MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB088T-60NZC9 | 1.1500 | ![]() | 920 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | RB088 | Schottky | Un 220FN | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 10A | 830 MV @ 5 A | 3 µA @ 60 V | 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB088NS100TL | 1.6600 | ![]() | 198 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | RB088 | Schottky | LPDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 5A | 870 MV @ 5 A | 5 µA @ 100 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RLZTE-115.6A | - | ![]() | 7172 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 3% | - | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | LLDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 5 µA @ 2.5 V | 5.6 V | 13 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR542PFRAT100 | 0.6100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2Sar542 | 500 MW | MPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 30 V | 5 A | 1 µA (ICBO) | PNP | 400mv @ 100 mm, 2a | 200 @ 500mA, 2V | 240MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSX101MM-30TR | 0.4400 | ![]() | 36 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | RSX101 | Schottky | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 390 MV @ 1 A | 200 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Rrs090p03hzgtb | 1.6500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | RRS090 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 9a (TA) | 4V, 10V | 15.4mohm @ 9a, 10v | 2.5V @ 1MA | 30 NC @ 5 V | ± 20V | 3000 pf @ 10 V | - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB161M-20TR | 0.4500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SOD-123F | RB161 | Schottky | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 350 MV @ 1 A | 700 µA @ 20 V | 125 ° C (Máximo) | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dtc015tebtl | 0.1900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | DTC015 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 150mv @ 250 µA, 5 mA | 100 @ 5 MMA, 10V | 250 MHz | 100 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rgpz10bm40fhtl | 1.0665 | ![]() | 1008 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RGPZ10 | Estándar | 107 W | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 300V, 8A, 100OHM, 5V | - | 460 V | 20 A | 2.0V @ 5V, 10a | - | 14 NC | 500NS/4 µs | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Umt1nfhatn | 0.4800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | UMT1 | 150MW | UMT6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | 2 PNP (dual) | 500mV @ 5 mm, 50 Ma | 120 @ 1 MMA, 6V | 140MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MTZJT-775.1C | - | ![]() | 7139 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | MTZ J | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 3% | - | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | 500 MW | MSD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 1.5 V | 5.1 V | 70 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N4148T-77 | - | ![]() | 9782 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4148 | Estándar | GSD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 5,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 75 V | 1 V @ 10 Ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 150 Ma | 4PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dan202fmt106 | 0.4100 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Dan202 | Estándar | Umd3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Cátodo Común | 80 V | 100mA | 1.2 V @ 100 Ma | 4 ns | 100 na @ 70 V | 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB520S-40FHTE61 | - | ![]() | 4291 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | RB520 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-RB520S-40FHTE61TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGW80TS65GC11 | 5.4600 | ![]() | 152 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | RGW80 | Estándar | 214 W | To-247n | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 40a, 10ohm, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 78 A | 160 A | 1.9V @ 15V, 40A | 760 µJ (Encendido), 720 µJ (apagado) | 110 NC | 44ns/143ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Mtzjt-726.8b | - | ![]() | 2665 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | MTZ J | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 3% | - | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | Mtzjt-72 | 500 MW | MSD | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Mtzjt726.8b | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 2 µA @ 3.5 V | 6.8 V | 20 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB078RSM10STFTL1 | 1.1800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | RB078 | Schottky | Un 277a | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 840 MV @ 5 A | 1.3 µA @ 100 V | 175 ° C | 5A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BM63763S-VC | 20.0347 | ![]() | 6247 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Módulo de 25 Potencias (1.327 ", 33.70 mm) | IGBT | BM63763 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-BM63763S-VC | EAR99 | 8542.39.0001 | 60 | Inversor de 3 fase | 10 A | 600 V | 1500 VRMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RTQ025P02TR | 0.2451 | ![]() | 1205 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | RTQ025 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT6 (SC-95) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 2.5a (TA) | 2.5V, 4.5V | 100mohm @ 2.5a, 4.5V | 2v @ 1 mapa | 6.4 NC @ 4.5 V | ± 12V | 580 pf @ 10 V | - | 1.25W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dta123jkat246 | 0.0360 | ![]() | 9353 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | Sot-346 | DTA123 | 200 MW | Sot-346 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 50 V | 100 mA | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 80 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6530KNX3C16 | 6.3600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | R6530 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-R6530KNX3C16 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 V | 30A (TC) | 10V | 140mohm @ 14.5a, 10v | 5V @ 960 µA | 56 NC @ 10 V | ± 20V | 2350 pf @ 25 V | - | 307W (TC) |
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