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Productos de semiconductoros discretos (6960)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
BZX84C27VLT116 Rohm Semiconductor BZX84C27VLT116 0.2300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños ± 7.04% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250 MW SSD3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 100 na @ 19 V 27 V 80 ohmios
SP8K1FRATB Rohm Semiconductor Sp8k1fratb 1.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor rohm Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) SP8K1 Mosfet (Óxido de metal) 1.4W (TA) 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 30V 5A (TA) 51mohm @ 5a, 10v 2.5V @ 1MA 5.5nc @ 5V 230pf @ 10V -
UFZVTE-1710B Rohm Semiconductor Ufzvte-1710b 0.3000
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo ± 2.77% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F Ufzvte 500 MW Umd2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 200 na @ 7 V 10 V 8 ohmios
RB541VM-40TE-17 Rohm Semiconductor RB541VM-40TE-17 0.3500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-90, SOD-323F RB541 Schottky Umd2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 40 V 610 MV @ 100 Ma 100 µA @ 40 V 125 ° C (Máximo) 200 MMA -
BZX84B20VLT116 Rohm Semiconductor Bzx84b20vlt116 0.2600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250 MW SSD3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 100 na @ 14 V 20 V 55 ohmios
RGCL80TS60GC11 Rohm Semiconductor RGCL80TS60GC11 4.6100
RFQ
 ECAD 420 0.00000000 Semiconductor rohm - Una granela No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 RGCL80 Estándar 148 W To-247n descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 450 400V, 40a, 10ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 600 V 65 A 160 A 1.8V @ 15V, 40A 1.11mj (Encendido), 1.68mj (apaguado) 98 NC 53ns/227ns
RGCL80TK60GC11 Rohm Semiconductor RGCL80TK60GC11 5.3700
RFQ
 ECAD 4129 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3PFM, SC-93-3 RGCL80 Estándar 57 W To-3pfm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 450 400V, 40a, 10ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 600 V 35 A 160 A 1.8V @ 15V, 40A 1.11mj (Encendido), 1.68mj (apaguado) 98 NC 53ns/227ns
RGT30TM65DGC9 Rohm Semiconductor RGT30TM65DGC9 2.8400
RFQ
 ECAD 944 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Rgt30 Estándar 32 W Un 220nfm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 400V, 15a, 10ohm, 15V 55 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 14 A 45 A 2.1V @ 15V, 15a - 32 NC 18ns/64ns
RGT30NL65DGTL Rohm Semiconductor Rgt30nl65dgtl 2.7400
RFQ
 ECAD 4694 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Rgt30 Estándar 133 W LPDS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 400V, 15a, 10ohm, 15V 55 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 30 A 45 A 2.1V @ 15V, 15a - 32 NC 18ns/64ns
UMZ1NFHATR Rohm Semiconductor Umz1nfhatr 0.4800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiconductor rohm Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 UMZ1 150MW UMT6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 150 Ma 100NA (ICBO) NPN, PNP 400mv @ 5 mm, 50 mm / 500mv @ 5 mm, 50 mA 120 @ 1 MMA, 6V 180MHz, 140MHz
R6547KNZ4C13 Rohm Semiconductor R6547KNZ4C13 15.3400
RFQ
 ECAD 7294 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 R6547 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-R6547KNZ4C13 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 47a (TC) 10V 80mohm @ 25.8a, 10V 5V @ 1.72MA 100 NC @ 10 V ± 20V 4100 pf @ 25 V - 480W (TC)
R6076KNZ4C13 Rohm Semiconductor R6076KNZ4C13 20.3900
RFQ
 ECAD 9926 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 R6076 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-R6076KNZ4C13 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 76a (TC) 10V 42mohm @ 44.4a, 10V 5V @ 1MA 165 nc @ 10 V ± 20V 7400 pf @ 25 V - 735W (TC)
R6047KNZ4C13 Rohm Semiconductor R6047KNZ4C13 14.2000
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 R6047 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-R6047KNZ4C13 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 47a (TC) 10V 72mohm @ 25.8a, 10v 5V @ 1MA 100 NC @ 10 V ± 20V 4300 pf @ 25 V - 481W (TC)
PTZTFTE2536B Rohm Semiconductor Ptztfte2536b 0.4600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor rohm Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5.56% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA Ptztfte2536 1 W PMDS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 10 µA @ 27 V 38 V 20 ohmios
RF201L4SDDTE25 Rohm Semiconductor RF201L4SDDTE25 0.7600
RFQ
 ECAD 644 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA RF201 Estándar PMDS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.2 V @ 1.5 A 30 ns 1 µA @ 400 V 150 ° C 1.5a -
RRU1LAM4STFTR Rohm Semiconductor Rru1lam4stftr 0.5800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños Montaje en superficie SOD-128 Rru1lam4 Estándar PMDT descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-rru1lam4stfct EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 800 Ma 400 ns 10 µA @ 400 V 150 ° C 1A -
RJU003N03FRAT106 Rohm Semiconductor RJU003N03FRAT106 0.4100
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 RJU003 Mosfet (Óxido de metal) UMT3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 300 mA (TA) 2.5V, 4.5V 1.1ohm @ 300mA, 4.5V 1.5V @ 1MA ± 12V 24 pf @ 10 V - 200MW (TA)
RTQ025P02HZGTR Rohm Semiconductor RTQ025P02HZGTR 0.7400
RFQ
 ECAD 164 0.00000000 Semiconductor rohm Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 RTQ025 Mosfet (Óxido de metal) TSMT6 (SC-95) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 2.5a (TA) 2.5V, 4.5V 100mohm @ 2.5a, 4.5V 2v @ 1 mapa 6.4 NC @ 4.5 V ± 12V 580 pf @ 10 V - 950MW (TA)
BCX19HZGT116 Rohm Semiconductor Bcx19hzgt116 0.3500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor rohm Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCX19 200 MW SST3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) 620mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v
RGW50TK65GVC11 Rohm Semiconductor RGW50TK65GVC11 5.5100
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3PFM, SC-93-3 Estándar 67 W To-3pfm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 450 400V, 25A, 10ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 650 V 30 A 100 A 1.9V @ 15V, 25A 390 µJ (Encendido), 430 µJ (apagado) 73 NC 35NS/102NS
2SCR554PHZGT100 Rohm Semiconductor 2SCR554PHZGT100 0.6900
RFQ
 ECAD 175 0.00000000 Semiconductor rohm Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 500 MW Sot-89 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 80 V 1.5 A 1 µA (ICBO) NPN 300mv @ 25 mm, 500 mA 120 @ 100 mapa, 3V 300MHz
EMB52T2R Rohm Semiconductor EMB52T2R 0.3900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 EMB52 150MW EMT6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 8,000 50V 100mA 500NA 2 PNP Pre-Sesgado (Dual) 150mv @ 500 µA, 5 mA 80 @ 5 MMA, 10V 250MHz 47 kohms 47 kohms
DTA124ECAHZGT116 Rohm Semiconductor DTA124ECAHZGT116 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor rohm Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Dta124 200 MW SST3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 56 @ 5MA, 5V 250 MHz 22 kohms 22 kohms
RGW50TS65GC11 Rohm Semiconductor RGW50TS65GC11 4.7400
RFQ
 ECAD 8799 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar 156 W To-247n descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 450 400V, 25A, 10ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 650 V 50 A 100 A 1.9V @ 15V, 25A 390 µJ (Encendido), 430 µJ (apagado) 73 NC 35NS/102NS
RGTVX2TS65GC11 Rohm Semiconductor RGTVX2TS65GC11 6.7600
RFQ
 ECAD 418 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Rgtvx2 Estándar 319 W To-247n descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-RGTVX2TS65GC11 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 60a, 10ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 650 V 111 A 240 A 1.9V @ 15V, 60A 2.08mj (Encendido), 1.15mj (apagado) 123 NC 49ns/150ns
RGS50TSX2GC11 Rohm Semiconductor RGS50TSX2GC11 8.1700
RFQ
 ECAD 174 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 RGS50 Estándar 395 W To-247n descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-RGS50TSX2GC11 EAR99 8541.29.0095 30 600V, 25A, 10ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 1200 V 50 A 75 A 2.1V @ 15V, 25A 1.4mj (Encendido), 1.65mj (apaguado) 67 NC 37ns/140ns
2SD1963T100Q Rohm Semiconductor 2SD1963T100Q -
RFQ
 ECAD 7702 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 2SD1963 500 MW MPT3 - ROHS3 Cumplante 846-2SD1963T100QTR 1,000 20 V 3 A 500NA (ICBO) PNP 300 mv @ 2.5mA, 25 mA 180 @ 2mA, 6V
SCT3080ARC15 Rohm Semiconductor SCT3080ARC15 11.8400
RFQ
 ECAD 9965 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-4 SCT3080 SIC (Transistor de Unión de CARBURO de Silicio) To-247-4l descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 846-SCT3080ARC15 EAR99 8541.29.0095 450 N-canal 650 V 30A (TJ) 18V 104mohm @ 10a, 18V 5.6V @ 5 mm 48 NC @ 18 V +22V, -4V 571 pf @ 500 V - 134W
RX3P07CBHC16 Rohm Semiconductor RX3P07CBHC16 5.6500
RFQ
 ECAD 9794 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Rx3p07 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 846-RX3P07CBHC16 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 120A (TA), 70A (TC) 6V, 10V 5.2mohm @ 70a, 10v 4V @ 1MA 73 NC @ 10 V ± 20V 4650 pf @ 50 V - 135W (TC)
SCT3060ARHRC15 Rohm Semiconductor SCT3060ARHRC15 15.2000
RFQ
 ECAD 6091 0.00000000 Semiconductor rohm Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-4 SCT3060 Mosfet (Óxido de metal) To-247-4l descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 846-SCT3060ArHRC15 EAR99 8541.29.0095 450 N-canal 650 V 39A (TC) 18V 78mohm @ 13a, 18V 5.6V @ 6.67MA 58 NC @ 18 V +22V, -4V 852 pf @ 500 V - 165W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

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AD9208BBPZ-3000

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