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Productos de semiconductoros discretos (6960)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DA2JF8100L | - |  | 7617 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-DA2JF8100LTR | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | UDZVTE-1718B | 0.3000 | | 66 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Udzvte | 200 MW | Umd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 13 V | 18 V | 65 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Rb075bm40sfnstl | 0.6000 | | 6505 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Un 252 | - | 1 (ilimitado) | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SCS310AHGC9 | 6.5500 | | 407 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | SCS310 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Un 220acp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.5 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | 175 ° C (Máximo) | 10A | 500pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
| UDZVTE-177.5B | 0.2700 | | 8 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Udzvte | 200 MW | Umd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 500 na @ 4 V | 7.5 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Um6j1ntn | 0.4800 | | 19 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | UM6J1 | Mosfet (Óxido de metal) | 150MW | UMT6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 200 MMA | 1.4ohm @ 200 MMA, 10V | 2.5V @ 1MA | - | 30pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||
 | Rsx068mp2str | 0.5100 | | 4355 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | Schottky | SOD-123FL | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 890 MV @ 2 A | 100 na @ 200 V | 175 ° C | 2A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TFZVTR27B | 0.3700 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | TFZVTR27 | 500 MW | Tumd2m | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 na @ 21 V | 27 V | 45 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB238NS-30FHTL | 2.3700 | | 9959 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | RB238 | Schottky | LPDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 30 V | 40A | 750 MV @ 20 A | 12 µA @ 30 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84C4V3LYT116 | 0.4200 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.98% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 3 µA @ 1 V | 4.3 V | 90 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84C9V1LT116 | 0.2300 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 6.04% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 250 MW | SSD3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 500 na @ 6 V | 9.1 V | 15 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rbs1mm40atr | 0.4800 | | 7 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | RBS1MM40 | Schottky | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 380 MV @ 1 A | 400 µA @ 20 V | 125 ° C (Máximo) | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Rbr2lam60atr | 0.5300 | | 9429 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | RBR2LAM60 | Schottky | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 650 MV @ 2 A | 75 µA @ 60 V | 150 ° C (Máximo) | 2A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | CDZVT2R24B | 0.2400 | | 7 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2.21% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sod-923 | CDZVT2 | 100 MW | Vmn2m | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 19 V | 24 V | 120 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Rbr2mm30atftr | 0.3900 | | 5540 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | RBR2MM30 | Schottky | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 530 MV @ 2 A | 50 µA @ 30 V | 150 ° C (Máximo) | 2A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| R6020YNZ4C13 | 6.5700 | | 600 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | R6020 | Mosfet (Óxido de metal) | To-247 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-R6020YNZ4C13 | 30 | N-canal | 600 V | 20A (TC) | 10V, 12V | 185mohm @ 6a, 12v | 6V @ 1.65 Ma | 28 NC @ 10 V | ± 30V | 1200 pf @ 100 V | - | 182W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| RB238NS150FHTL | 2.5700 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | RB238 | Schottky | LPDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 150 V | 40A | 920 MV @ 20 A | 20.2 ns | 30 µA @ 150 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||||||||||||
| Bzx84b12vlt116 | 0.2600 | | 779 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 1.66% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 250 MW | SSD3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 8 V | 12 V | 25 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rb451umfhtl | - | | 9359 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SC-85 | RB451 | Schottky | Umd3f | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 40 V | 450 MV @ 100 Ma | 90 µA @ 40 V | 125 ° C (Máximo) | 100mA | 6pf @ 10V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | 2sara41chzgt116r | 0.5000 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 2sara41 | 200 MW | SST3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 120 V | 50 Ma | 500NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 1 mapa, 10 ma | 180 @ 2mA, 6V | 140MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | R5013AnXFU6 | - | | 8121 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 500 V | 13a (TA) | 10V | 380mohm @ 6.5a, 10v | 4.5V @ 1MA | 35 NC @ 10 V | ± 30V | 1300 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| RBR2MM40BTFTR | 0.4300 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | RBR2MM40 | Schottky | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 550 MV @ 2 A | 80 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | 2A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84C2V4LYFHT116 | 0.3800 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 8.33% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 50 µA @ 1 V | 2.4 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rlzte-1116b | - | | 2821 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 3% | - | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | LLDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 200 na @ 12 V | 16 V | 18 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | VDZT2R27B | 0.4100 | | 140 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | * | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Rblq2mm10tr | 0.4500 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | RBLQ2 | Schottky | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 770 MV @ 2 A | 10 µA @ 100 V | 175 ° C | 2A | 50pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
| RB162LAM-40TFTR | 0.4700 | | 8385 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | RB162 | Schottky | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 100 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB531SM-40T2R | 0.3900 | | 7 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | RB531 | Schottky | EMD2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 40 V | 610 MV @ 100 Ma | 100 µA @ 40 V | 125 ° C | 100mA | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | RB205T-60NZC9 | 2.6200 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | RB205 | Schottky | Un 220FN | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RB205T-60NZC9 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 15A | 580 MV @ 7.5 A | 600 µA @ 60 V | 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||
| Udzste-1736b | 0.0687 | | 4389 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 3% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Udzste | 200 MW | Umd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 27 V | 36 V | 300 ohmios |
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