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Productos de semiconductoros discretos (6960)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | R6035KNZ1C9 | - |  | 6824 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | R6035 | Mosfet (Óxido de metal) | To-247 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 35A (TC) | 10V | 102mohm @ 18.1a, 10v | 5V @ 1MA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 3000 pf @ 25 V | - | 379W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Kdzvtr2.4b | 0.4300 | | 10 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.25% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123F | KDZVTR2.4 | 1 W | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 µA @ 1 V | 2.4 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RBR5RSM40BTFTL1 | 1.2100 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | Schottky | Un 277a | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 530 MV @ 5 A | 120 µA @ 40 V | 150 ° C | 5A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SCT4013DEC11 | 37.7600 | | 14 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | To-247n | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-SCT4013DEC11 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 750 V | 105A (TJ) | 18V | 16.9mohm @ 58a, 18V | 4.8V @ 30.8 Ma | 170 NC @ 18 V | +21V, -4V | 4580 pf @ 500 V | - | 312W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RBQ5RSM10BTL1 | 1.0800 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | Schottky | Un 277a | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 700 MV @ 5 A | 140 µA @ 100 V | 150 ° C | 5A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UT6KE5TCR | 0.6800 | | 3681 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-Powerudfn | UT6KE5 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W (TA) | Huml2020l8 | - | 1 (ilimitado) | 3.000 | 2 Canal | 100V | 2a (TA) | 207mohm @ 2a, 10v | 2.5V @ 1MA | 2.8nc @ 10V | 90pf @ 50V | Estándar | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RCJ160N20TL | 1.7800 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | RCJ160 | Mosfet (Óxido de metal) | LPTS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 200 V | 16a (TC) | 10V | 180mohm @ 8a, 10v | 5.25V @ 1MA | 26 NC @ 10 V | ± 30V | 1370 pf @ 25 V | - | 1.56W (TA), 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Sh8m3tb1 | 1.0500 | | 594 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sh8m3 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 30V | 5a, 4.5a | 51mohm @ 5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 3.9nc @ 5V | 230pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB088BM-30FHTL | 1.2000 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RB088 | Schottky | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 30 V | 10A | 720 MV @ 5 A | 3 µA @ 30 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pdzvtftr18b | 0.4400 | | 3295 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotive, AEC-Q101, PDZVTF | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.39% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-128 | Pdzvtftr18 | 1 W | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µA @ 13 V | 19.15 V | 12 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SAR293P5T100 | 0.3900 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2Sar293 | 500 MW | MPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 30 V | 1 A | 100NA (ICBO) | PNP | 350mv @ 25 mm, 500 mA | 270 @ 100mA, 2V | 320MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Dtc123ee3hzgtl | 0.4100 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | DTC123 | 150 MW | EMT3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-DTC123EE3HZGTLCT | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 20 @ 20MA, 5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 2.2 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Udzste-1711b | 0.3900 | | 11 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Udzste | 200 MW | Umd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 8 V | 11 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | QST2TR | 0.7000 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | QST2 | 1.25 W | TSMT6 (SC-95) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 12 V | 6 A | 100NA (ICBO) | PNP | 250 mv a 60 mm, 3a | 270 @ 500mA, 2V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rj1l08cgntll | 2.5800 | | 40 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | RJ1L08 | Mosfet (Óxido de metal) | LPTL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 80a (TA) | 4.5V, 10V | 7.7mohm @ 80a, 10v | 2.5V @ 50 µA | 55 NC @ 10 V | ± 20V | 2600 pf @ 30 V | - | 96W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SCS210AGC17 | 5.2700 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Un 220ACFP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-SCS210AGC17 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.55 v @ 10 a | 0 ns | 200 µA @ 600 V | 175 ° C | 10A | 365pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GDZ8EPT2R14 | - | | 3714 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-GDZ8EPT2R14TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RBR1L40AdDTE25 | 0.5900 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | RBR1L40 | Schottky | PMDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 520 MV @ 1 A | 50 µA @ 40 V | 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RB521ZS-3AZT2R | - | | 8384 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | RB521 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-RB521ZS-3AZT2RTR | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RBQ20T45AnZC9 | 1.5000 | | 995 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Cinta de Corte (CT) | Activo | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | RBQ20 | Schottky | Un 220FN | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 10A | 650 MV @ 10 A | 140 µA @ 45 V | 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ufzvfhte-1722b | 0.3100 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2.61% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Ufzvfhte | 500 MW | Umd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 na @ 17 V | 22 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ptzte2522a | 0.2014 | | 7867 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 5.38% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Ptzte2522 | 1 W | PMDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 10 µA @ 17 V | 23.25 V | 14 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RGTH80TS65DGC11 | 2.9139 | | 3193 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | RGTH80 | Estándar | 234 W | To-247n | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 40a, 10ohm, 15V | 58 ns | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 70 A | 160 A | 2.1V @ 15V, 40A | - | 79 NC | 34ns/120ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rf4l040attcr | 0.9100 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-Powerudfn | RF4L040 | Mosfet (Óxido de metal) | Huml2020l8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 4A (TA) | 4.5V, 10V | 89mohm @ 4a, 10v | 2.5V @ 1MA | 17.3 NC @ 10 V | ± 20V | 850 pf @ 30 V | - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Edz8hrte6112b | - | | 2665 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Edz | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | Edz8hrt | 100 MW | EMD2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-edz8hrte6112btr | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Pdzvtftr22b | 0.4400 | | 7 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotive, AEC-Q101, PDZVTF | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.68% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-128 | Pdzvtftr22 | 1 W | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µA @ 17 V | 23.25 V | 14 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rs1e170gntb | 0.6300 | | 6593 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Rs1e | Mosfet (Óxido de metal) | 8-HSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 17a (TA), 40a (TC) | 4.5V, 10V | 6.7mohm @ 17a, 10v | 2.5V @ 1MA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 720 pf @ 15 V | - | 3W (TA), 23W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tfzgtr11b | 0.0886 | | 5094 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | - | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | TFZGTR11 | 500 MW | Tumd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 na @ 8 V | 11 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RSD050N10TL | 0.4733 | | 7552 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RSD050 | Mosfet (Óxido de metal) | CPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 5A (TA) | 4V, 10V | 190mohm @ 5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 530 pf @ 25 V | - | 15W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BA12004BF-E2 | - | | 3056 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | BA12004 | 620MW | 16-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 60V | 500mA | - | 7 NPN Darlington | 1.6V @ 500 µA, 350 mA | 1000 @ 350MA, 2V | - |
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