SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Relación de la capacidad Condición de Relación de Capacitancia Q @ VR, F Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) Corriente del Regulador (Max) Voltaje - Limitante (Max)
TN0104N3-G-P003 Microchip Technology TN0104N3-G-P003 0.9800
RFQ
ECAD 2284 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) TN0104 Mosfet (Óxido de metal) Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 40 V 450mA (TA) 3V, 10V 1.8ohm @ 1a, 10v 1.6V @ 500 µA ± 20V 70 pf @ 20 V - 1W (TC)
CDLL3043B Microchip Technology CDLL3043B 15.3000
RFQ
ECAD 6067 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Do-213ab, melf CDLL3043 1 W DO-213AB descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 69.2 V 91 V 250 ohmios
1N6643U/TR Microchip Technology 1N6643U/TR 7.5450
RFQ
ECAD 7403 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SQ-Melf, B Polaridad Inversa Estándar B, SQ-Melf - Alcanzar sin afectado 150-1N6643U/TR EAR99 8541.10.0070 125 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 75 V 1.2 V @ 100 Ma 6 ns 500 na @ 50 V -65 ° C ~ 200 ° C 300mA 5PF @ 0V, 1MHz
JAN1N962DUR-1 Microchip Technology Jan1n962dur-1 14.2500
RFQ
ECAD 6248 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/117 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 1N962 500 MW DO-213AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 1 µA @ 8.4 V 11 V 9.5 ohmios
CDLL4783A Microchip Technology CDLL4783A 153.2550
RFQ
ECAD 8519 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA CDLL4783 500 MW DO-213AA descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 10 µA @ 6 V 8.5 V 100 ohmios
CDLL759A Microchip Technology CDLL759A 2.8800
RFQ
ECAD 3094 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Do-213ab, melf CDLL759 500 MW DO-213AB descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 1 µA @ 9 V 12 V 30 ohmios
APT50GR120B2 Microchip Technology Apt50gr120b2 10.8900
RFQ
ECAD 2166 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Apt50gr120 Estándar 694 W To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 600V, 50A, 4.3OHM, 15V Escrutinio 1200 V 117 A 200 A 3.2V @ 15V, 50A 2.14mj (Encendido), 1.48mj (apaguado) 445 NC 28ns/237ns
MV21002-P00 Microchip Technology MV21002-P00 -
RFQ
ECAD 2186 0.00000000 Tecnología de Microchip - Banda Activo -55 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Morir Chip - Alcanzar sin afectado 150-MV21002-P00 EAR99 8541.10.0040 1 0.4pf @ 4V, 1MHz Soltero 30 V 3.1 C0/C30 7500 @ 4V, 50MHz
JANTX1N6761-1/TR Microchip Technology Jantx1n6761-1/tr -
RFQ
ECAD 7859 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/586 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Schottky Do-41 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantX1N6761-1/TR EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 690 MV @ 1 A 100 µA @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A 70pf @ 5V, 1MHz
CDS976B-1/TR Microchip Technology CDS976B-1/TR -
RFQ
ECAD 4179 0.00000000 Tecnología de Microchip * Tape & Reel (TR) Activo - Alcanzar sin afectado 150-CDS976B-1/TR EAR99 8541.10.0050 50
JANTX1N4133D-1 Microchip Technology Jantx1n4133d-1 16.9800
RFQ
ECAD 6718 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N4133 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 66.2 V 87 V 1000 ohmios
JANSD2N3439 Microchip Technology Jansd2n3439 270.2400
RFQ
ECAD 3352 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/368 Una granela Activo -55 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 800 MW TO-39 (TO-205Ad) - Alcanzar sin afectado 150-Jansd2n3439 1 350 V 1 A 2 µA NPN 500mv @ 4mA, 50 mA 40 @ 20MA, 10V -
SMBG5376BE3/TR13 Microchip Technology SMBG5376BE3/TR13 1.1400
RFQ
ECAD 9133 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB SMBG5376 5 W SMBG (DO-215AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 1 a 500 na @ 63 V 87 V 75 ohmios
SMBJ5381CE3/TR13 Microchip Technology SMBJ5381CE3/TR13 1.0800
RFQ
ECAD 5741 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB SMBJ5381 5 W SMBJ (DO-214AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 1 a 500 na @ 93.6 V 130 V 190 ohmios
CDLL4583A/TR Microchip Technology CDLL4583A/TR 18.6900
RFQ
ECAD 8527 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo - -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie DO-213AA 500 MW DO-213AA descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-CDLL4583A/TR EAR99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 25 ohmios
1N4477D Microchip Technology 1N4477D 15.2684
RFQ
ECAD 1162 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1.5 W Do-41 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-1N4477D EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 50 na @ 26.4 V 33 V 25 ohmios
JANTX1N4627-1 Microchip Technology Jantx1n4627-1 5.3850
RFQ
ECAD 7174 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N4627 500 MW Do-35 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 10 µA @ 5 V 6.2 V 1200 ohmios
CD5249B Microchip Technology CD5249B 1.4497
RFQ
ECAD 4076 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Morir 500 MW Morir descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-CD5249B EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 14 V 19 V 23 ohmios
1PMT4119CE3/TR13 Microchip Technology 1 PMT4119CE3/TR13 0.4950
RFQ
ECAD 3612 0.00000000 Tecnología de Microchip PowerMite® Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-216AA 1pmt4119 1 W DO-216 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 12,000 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 21.28 V 28 V 200 ohmios
1N5926BE3/TR13 Microchip Technology 1N5926Be3/TR13 -
RFQ
ECAD 6507 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N5926 1.5 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 8.4 V 11 V 5.5 ohmios
JANS1N5711UBD/TR Microchip Technology Jans1n5711ubd/tr 161.2800
RFQ
ECAD 3439 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/444 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo Schottky UB - Alcanzar sin afectado 150-Jans1n5711ubd/TR EAR99 8541.10.0070 50 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 50 V 1 V @ 15 Ma 200 na @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C 33MA 2pf @ 0V, 1 MHz
1N5539B/TR Microchip Technology 1N5539B/TR 2.8861
RFQ
ECAD 2699 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-1N5539B/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 17.1 V 19 V 106 ohmios
JANTXV1N4485DUS Microchip Technology Jantxv1n4485dus 56.4150
RFQ
ECAD 8751 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Sq-melf, un 1.5 W D-5A - Alcanzar sin afectado 150-jantxv1n4485dus EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 250 na @ 54.4 V 68 V 100 ohmios
1PMT5937/TR13 Microchip Technology 1 PMT5937/TR13 2.2200
RFQ
ECAD 7329 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 20% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-216AA 1PMT5937 3 W DO-216AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 12,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 25.1 V 33 V 33 ohmios
1N5285UR-1 Microchip Technology 1N5285ur-1 21.8250
RFQ
ECAD 5107 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) 1N5285 500MW DO-213AB (Melf, LL41) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1 100V 297 µA 1V
JANTXV1N979DUR-1 Microchip Technology Jantxv1n979dur-1 24.2250
RFQ
ECAD 4111 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/117 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 1N979 500 MW DO-213AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 500 na @ 43 V 56 V 150 ohmios
CDLL5528D Microchip Technology CDLL5528D 16.2000
RFQ
ECAD 3383 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AA 500 MW DO-213AA - Alcanzar sin afectado 150-CDLL5528D EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 500 na @ 7.5 V 8.2 V 40 ohmios
1N2979RD Microchip Technology 1N2979º 184.9050
RFQ
ECAD 6507 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje DO-203AA, DO-4, semento 1N2979 10 W DO-4 (DO-203AA) descascar Alcanzar sin afectado 150-1N2979 ° EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 2 a 10 µA @ 11.4 V 15 V 3 ohmios
JANS1N6329DUS/TR Microchip Technology Jans1n6329dus/tr 527.7150
RFQ
ECAD 5052 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, B 500 MW B, SQ-Melf - Alcanzar sin afectado 150-jans1n6329dus/tr EAR99 8541.10.0050 50 1.4 v @ 1 a 50 na @ 12 V 16 V 12 ohmios
1N5342AE3/TR13 Microchip Technology 1N5342AE3/TR13 0.9900
RFQ
ECAD 4731 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero T-18, axial 1N5342 5 W T-18 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.250 1.2 v @ 1 a 10 µA @ 4.9 V 6.8 V 1 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock