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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Actual | Voltaje | Voltaje - Aislamiente | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia @ if, f | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
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Jan1n4957c | 16.7700 | ![]() | 7914 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | E, axial | 1N4957 | 5 W | E, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 25 µA @ 6.9 V | 9.1 V | 2 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
1N5232A/TR | 1.8088 | ![]() | 2758 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N5232A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 5 µA @ 2.9 V | 5.6 V | 11 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
2N1893S | 25.9217 | ![]() | 2842 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N1893 | 3 W | TO-39 (TO-205Ad) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 500 mA | 10 µA (ICBO) | NPN | 5V @ 15 Ma, 150 Ma | 40 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv2n3439ua/tr | 187.4236 | ![]() | 3445 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/368 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | 800 MW | Ua | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv2n3439ua/tr | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 350 V | 1 A | 2 µA | NPN | 500mv @ 4mA, 50 mA | 40 @ 20MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | UM4306SM | - | ![]() | 2612 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Mel | - | - | Alcanzar sin afectado | 150-UM4306SMTR | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 15 W | 2.2pf @ 100V, 1 MHz | PIN - Single | 600V | 1.5ohm @ 100 mA, 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
Jantx2n5238 | 21.7588 | ![]() | 6167 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/394 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 2N5238 | 1 W | A-5 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 170 V | 10 A | 10 µA | NPN | 2.5V @ 1a, 10a | 40 @ 5a, 5v | - | ||||||||||||||||||||||||||
Jans1n6635cus | - | ![]() | 7116 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 5 W | D-5B | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 25 µA @ 1 V | 4.3 V | 2 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CD6346 | 2.1014 | ![]() | 7139 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | - | Montaje en superficie | Morir | Morir | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD6346 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6002D/TR | 4.7747 | ![]() | 8377 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N6002D/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 9.1 V | 12 V | 22 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UFT3130 | 63.3000 | ![]() | 1392 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | UFT3130 | Estándar | TO-204AD (TO-3) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.1 V @ 15 A | 50 ns | 15 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 30A | 115pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL4912 | 124.1850 | ![]() | 6965 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | CDLL4912 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 8 V | 12.8 V | 25 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n6353dus | - | ![]() | 1006 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 122 V | 151 V | 1200 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx1n6766 | - | ![]() | 1784 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | TO-254-3, TO-254AA (CLIENTES POTENCADES RECTOS) | Estándar | Un 254 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.55 V @ 12 A | 60 ns | 10 µA @ 320 V | - | 12A | 300pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6018B | 2.0700 | ![]() | 2565 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N6018 | 500 MW | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1N6018BMS | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 43 V | 56 V | 200 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n647ur-1 | - | ![]() | 1058 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/240 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA | Estándar | DO-213AA | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1 V @ 400 Ma | -65 ° C ~ 175 ° C | 400mA | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDS647UR-1/TR | - | ![]() | 2273 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-cds647ur-1/tr | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UES704R | 59.5650 | ![]() | 8796 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | Estándar | DO-203AA (DO-4) | - | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.25 V @ 20 A | 50 ns | - | 20A | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jans1n7050-1/tr | 153.2700 | ![]() | 3879 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANS1N7050-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UPS5817E3/TR7 | 0.5000 | ![]() | 3164 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-216AA | UPS5817 | Schottky | PowerMite 1 (DO216-AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 450 MV @ 1 A | 1 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||
1N6621 | 13.3200 | ![]() | 6328 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | A, axial | 1N6621 | Estándar | A, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 440 V | 1.4 V @ 1.2 A | 30 ns | 500 na @ 440 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1.2a | 10pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | S42120A | 102.2400 | ![]() | 3137 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AA, DO-8, Semento | Estándar | DO-205AA (DO-8) | - | Alcanzar sin afectado | 150-S42120A | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 1.2 v @ 200 a | 50 µA @ 1200 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 125a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
Jantx1n975b-1 | 2.5950 | ![]() | 8321 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N975 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 30 V | 39 V | 80 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT5931/TR13 | 2.2200 | ![]() | 2600 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1PMT5931 | 3 W | DO-216AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 13.7 V | 18 V | 12 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
Jantx2n5679 | 25.8020 | ![]() | 1240 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/582 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 10 µA | 10 µA | PNP | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 40 @ 250mA, 2V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5083 | 287.8650 | ![]() | 5733 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje | TO10AA, TO-59-4, Stud | 20 W | TO-59 | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N5083 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 10 A | - | PNP | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Aptlgt300a1208g | 594.5333 | ![]() | 7829 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Módulo de 6-Powersip | IGBT | Aptlgt300 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Medio puente | 440 A | 1.2 kV | 2500 VRMS | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n3044bur-1/tr | 16.1196 | ![]() | 5993 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N3044BUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 76 V | 100 V | 350 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LSM545GE3/TR13 | 0.7500 | ![]() | 1774 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-215AB, Ala de Gaviota SMC | LSM545 | Schottky | DO-215AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 520 MV @ 5 A | 2 Ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | ||||||||||||||||||||||||||
APTDF400AA170G | 212.9600 | ![]() | 1987 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | LP4 | Aptdf400 | Estándar | Sp6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 1700 V | 480a | 2.5 V @ 400 A | 572 ns | 750 µA @ 1700 V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n6642ubcc | 23.9400 | ![]() | 8547 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/578 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 1N6642 | Estándar | UB | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 75 V | 1.2 V @ 100 Ma | 5 ns | 500 na @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 300mA | 5PF @ 0V, 1MHz |
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