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Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia @ if, f | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MSR2N2907AL | - |  | 3796 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/291 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 500 MW | TO-18 (TO-206AA) | - | Alcanzar sin afectado | 150-msr2n2907al | 100 | 60 V | 600 mA | 50NA | PNP | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||
 | CDLL4745/TR | 3.2319 | | 8224 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4745/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 100 na @ 12.2 V | 16 V | 16 ohmios | |||||||||||||||||||||
 | 1 PMT5947AE3/TR7 | 0.7350 | | 9629 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt5947 | 3 W | DO-216AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 62.2 V | 82 V | 160 ohmios | |||||||||||||||||||
 | Jan1n4480dus | 34.6050 | | 6037 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1N4480 | 1.5 W | D-5A | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 50 na @ 34.4 V | 43 V | 40 ohmios | |||||||||||||||||||
 | Jan1N4954US/TR | 9.9450 | | 6711 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | 150-ENERO1N4954US/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 150 µA @ 5.2 V | 6.8 V | 1 ohmios | ||||||||||||||||||||||
 | 1N5342AE3/TR13 | 0.9900 | | 4731 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5342 | 5 W | T-18 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.250 | 1.2 v @ 1 a | 10 µA @ 4.9 V | 6.8 V | 1 ohmios | |||||||||||||||||||
 | Jan1n3037d-1/TR | 19.3515 | | 4729 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N3037D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 35.8 V | 51 V | 95 ohmios | ||||||||||||||||||||
| 2N6546T1 | 349.2000 | | 4788 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | 175 W | TO-204AD (TO-3) | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N6546T1 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 V | 15 A | - | NPN | 5V @ 3a, 15a | 12 @ 5a, 2v | - | |||||||||||||||||||
| Dsb5818/tr | - | | 9598 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do041, axial | Schottky, Polaridad Inversa | Do-41 | - | Alcanzar sin afectado | 150-DSB5818/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 195 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 600 MV @ 1 A | 100 µA @ 30 V | - | 1A | - | ||||||||||||||||||||
| 1N5368AE3/TR13 | 0.9900 | | 7960 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5368 | 5 W | T-18 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.250 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 33.8 V | 47 V | 25 ohmios | |||||||||||||||||||
 | Jantxv1n3825a-1 | 10.6600 | | 4 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Descontinuado en sic | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 12.2 V | 16 V | 16 ohmios | ||||||||||||||||||||
| UPS130L/TR13 | 0.6150 | | 2685 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | UPS130 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 12,000 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Smaj5930ae3/tr13 | 0.6450 | | 4928 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Smaj5930 | 3 W | DO-214AC (SMAJ) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 12.2 V | 16 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||||
 | Jantxv1n3035cur-1/tr | 41.0438 | | 4647 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N3035CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 32.7 V | 43 V | 70 ohmios | ||||||||||||||||||||
| 1N6028UR-1 | 3.1100 | | 5578 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | 1N6028 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | CDLL3051B | 15.3000 | | 6991 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL3051B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 10 µA @ 5.7 V | |||||||||||||||||||||||
 | Jan1n6349us | 15.9300 | | 1372 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 1N6349 | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 84 V | 110 V | 500 ohmios | ||||||||||||||||||||
| 1N2794 | 74.5200 | | 4593 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | Estándar | DO-5 (DO-203AB) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N2794 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.19 v @ 90 A | 5 µs | 10 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 5A | - | |||||||||||||||||||
 | Jantxv1n5540dur-1/tr | 55.0221 | | 9661 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n5540dur-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 18 V | 20 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||||||
 | Jantx1n977cur-1/tr | 13.9384 | | 2377 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N977 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N977CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 36 V | 47 V | 105 ohmios | |||||||||||||||||||
| Jans1n7053-1/tr | 153.2700 | | 7886 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANS1N7053-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| CDLL0.5A30 | 3.0191 | | 1843 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA | CDLL0.5 | Schottky | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 650 MV @ 500 Ma | 10 µA @ 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 500mA | 50pf @ 0v, 1 MHz | ||||||||||||||||||
| Jantx1n5623us/tr | 10.0200 | | 2278 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/429 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sq-melf, un | Estándar | D-5A | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N5623US/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.6 v @ 3 a | 500 ns | 500 na @ 1 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 12V, 1 MHz | ||||||||||||||||||
 | Jantxv1n6843ccu3 | - | | 2902 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/681 | Una granela | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | 3-SMD, Plano Plano | Schottky | U3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.27 v @ 30 a | 10 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 15A | 275pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||||||||||
| Jantxv1n6339c | 37.5300 | | 6490 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N6339C | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 33 V | 43 V | 65 ohmios | |||||||||||||||||||||
| 1N3496 | 5.4750 | | 7324 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | - | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N3496 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
| CDS5522D-1/TR | - | | 7037 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDS5522D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Jans1n4460us | 91.8900 | | 7441 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | A, SQ-Melf | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 10 µA @ 3.72 V | 6.2 V | 4 ohmios | |||||||||||||||||||||
 | Jan1n6345us | 15.9300 | | 8029 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 1N6345 | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 56 V | 75 V | 180 ohmios | |||||||||||||||||||
 | GMP4235-GM1/TR | 3.8100 | | 6639 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Gigamite® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | 0805 (Métrica de 2012) | GMP4235 | 0805 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-GMP4235-GM1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1,000 | 0.6pf @ 10V, 1 MHz | PIN - Single | 250V | 800mohm @ 20 mm, 100MHz |
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