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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) | Corriente del Regulador (Max) | Voltaje - Limitante (Max) |
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Jansf2n2906a | 102.0806 | ![]() | 3144 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/291 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 500 MW | TO-18 (TO-206AA) | - | Alcanzar sin afectado | 150-Jansf2n2906a | 1 | 60 V | 600 mA | 50NA | PNP | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
Jantxv1n5522c-1/tr | 20.8544 | ![]() | 9437 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N5522C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 2 V | 4.7 V | 22 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n6325cus | 57.1050 | ![]() | 9970 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n6325cus | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 1 µA @ 8.5 V | 11 V | 7 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
CDLL3043A | 15.3000 | ![]() | 2707 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL3043 | 1 W | DO-213AB | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 69.2 V | 91 V | 250 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CD3031B | 3.6043 | ![]() | 6001 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 1 W | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD3031B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 22.8 V | 30 V | 40 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1n6642ub2/tr | 18.9400 | ![]() | 3414 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MNS2N3501 | 6.3840 | ![]() | 1300 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-MNS2N3501 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4734PE3/TR8 | 0.9150 | ![]() | 4692 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4734 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 2 V | 5.6 V | 5 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx1n2823rb | - | ![]() | 3790 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A-204AD | 1N2823 | 10 W | TO-204AD (TO-3) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 22.8 V | 30 V | 3 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n756dur-1 | 23.9550 | ![]() | 8797 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N756 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 6 V | 8.2 V | 8 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSASC25W100KV/TR | 252.1950 | ![]() | 8483 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Thinkey ™ 2 | Schottky | Thinkey ™ 2 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-MSASC25W100KV/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 910 MV @ 25 A | 500 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 25A | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Smaj4759ae3/tr13 | 0.6450 | ![]() | 5212 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Smaj4759 | 2 W | DO-214AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 47.1 V | 62 V | 125 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
CDLL5262A | 2.9400 | ![]() | 4682 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL5262 | 10 MW | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 39 V | 51 V | 125 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Janhca1n4622 | 12.1695 | ![]() | 8322 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N4622 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 2 V | 3.9 V | 1650 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5744D | 4.6800 | ![]() | 6087 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5744 | 500 MW | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 15 V | 22 V | 55 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6864/TR | 139.2150 | ![]() | 5872 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/620 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | B, axial | Schottky | B, axial | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N6864/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 80 V | 700 MV @ 3 A | 150 µA @ 80 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL3827/TR | 9.1371 | ![]() | 9033 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 1 W | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL3827/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 3 µA @ 1 V | 5.6 V | 5 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx1n5287ur-1 | 38.2650 | ![]() | 2227 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5287 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 363 µA | 1V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ4762E3/TR13 | 0.4350 | ![]() | 6071 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ4762 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 62.2 V | 82 V | 200 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3020B-1 | - | ![]() | 4300 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N3020 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 25 µA @ 7.6 V | 10 V | 7 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n3893 | 366.6000 | ![]() | 4442 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/304 | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | 1N3893 | Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.5 V @ 20 A | 200 ns | 10 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 12A | 115pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Aptgt35a120t1g | 57.4906 | ![]() | 4889 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SP1 | Aptgt35 | 208 W | Estándar | SP1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Medio puente | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 55 A | 2.1V @ 15V, 35a | 250 µA | Si | 2.5 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||
![]() | Jan2n2906aub | 7.9667 | ![]() | 8560 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/291 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | 2N2906 | 500 MW | UB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 600 mA | 50NA | PNP | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n4972dus | 51.1200 | ![]() | 2599 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n4972dus | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 29.7 V | 39 V | 14 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR8050 | 131.4300 | ![]() | 7579 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | SBR8050 | Schottky | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SBR8050-NDR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 740 MV @ 80 A | 2 Ma @ 50 V | 80A | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n974dur-1/TR | 12.7680 | ![]() | 7131 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N974DUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 27 V | 36 V | 70 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jans1n4477 | 83.8650 | ![]() | 7906 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.5 W | Do-41 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 50 na @ 26.4 V | 33 V | 25 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5304UR-1/TR | 22.0050 | ![]() | 9121 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5304 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N5304UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.98mA | 1.75V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx1n5194/tr | - | ![]() | 2677 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/118 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | Do-35 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N5194/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 70 V | 1 V @ 100 Ma | 25 na @ 70 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 50mera | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4739AP/TR12 | 1.8900 | ![]() | 1504 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4739 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 7 V | 9.1 V | 5 ohmios |
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