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Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) | Corriente del Regulador (Max) | Voltaje - Limitante (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jantxv1n6489dus | - |  | 5715 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | A, SQ-Melf | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 4 µA @ 1 V | 4.7 V | 8 ohmios | ||||||||||||||||||||||
 | 1 PMT4128/TR13 | 0.9600 | | 5951 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | PowerMite® | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt4128 | 1 W | DO-216 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 45.6 V | 60 V | 250 ohmios | ||||||||||||||||||||
 | 1N4921 | 90.1500 | | 1769 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -25 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4921 | 500 MW | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 19.2 V | 300 ohmios | ||||||||||||||||||||||
 | Jantxv1n6347us | 22.3050 | | 4623 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 1N6347 | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 69 V | 91 V | 270 ohmios | ||||||||||||||||||||
 | Jans1n4621dur-1 | 207.1350 | | 4415 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 3.5 µA @ 2 V | 3.6 V | 1700 ohmios | ||||||||||||||||||||||
 | Jantxv1n4484us/tr | 17.7750 | | 9777 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | - | 150-JantXv1N4484US/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 250 na @ 49.6 V | 62 V | 80 ohmios | |||||||||||||||||||||||
| 2N5598 | 43.0350 | | 1723 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO13AA, TO-66-2 | 20 W | TO-66 (TO-213AA) | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N5598 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 2 A | - | PNP | 850MV @ 200 µA, 1 Ma | - | - | ||||||||||||||||||||
 | Jans1n4486c | 207.1050 | | 6417 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.5 W | Do-41 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 250 na @ 60 V | 75 V | 130 ohmios | ||||||||||||||||||||||
| 1N4372A | 3.0900 | | 5530 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4372 | 500 MW | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1N4372ams | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 µA @ 1 V | 3 V | 29 ohmios | |||||||||||||||||||
| Jantx1n4553rb | - | | 7932 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/358 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 50 W | Do-5 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 20 µA @ 1 V | 5.6 V | 0.12 ohmios | ||||||||||||||||||||||
 | CDLL4754 | 3.4650 | | 8147 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL4754 | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 100 na @ 29.7 V | 39 V | 60 ohmios | |||||||||||||||||||||
 | Jans1n5283ur-1/tr | 130.3050 | | 6419 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jans1n5283ur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 242 µA | 1V | ||||||||||||||||||||||
 | UZ5824 | 32.2650 | | 6835 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | B, axial | 5 W | B, axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-UZ5824 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 18.2 V | 24 V | 5 ohmios | |||||||||||||||||||||||
| Jans1n6487cus | - | | 2356 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | A, SQ-Melf | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 35 µA @ 1 V | 3.9 V | 9 ohmios | ||||||||||||||||||||||
 | 1N4249 | - | | 6969 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | A, axial | Estándar | A, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.3 V @ 3 A | 5 µs | 1 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||
| 1N4248 | - | | 1741 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | A, axial | Estándar | A, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.3 V @ 3 A | 5 µs | 1 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||
| CDLL758A | 4.9350 | | 9022 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL758 | 500 MW | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 8 V | 10 V | 17 ohmios | ||||||||||||||||||||
| Jantxv1n5195ur/tr | - | | 2500 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/118 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA | Estándar | DO-213AA | - | 150-jantxv1n5195ur/tr | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 180 V | 1 V @ 100 Ma | 1 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 200 MMA | - | ||||||||||||||||||||||||
| Jans1n7055ur-1/TR | 163.0650 | | 6071 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jans1n7055ur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BZV55C8V2 | 2.9400 | | 7170 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 6% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | BZV55C8V2 | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 700 na @ 5 V | 8.2 V | ||||||||||||||||||||||
| Jan1n3330b | - | | 2378 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/158 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 1N3330 | 50 W | Do-5 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 35.8 V | 47 V | 5 ohmios | ||||||||||||||||||||
| UZ5822 | 32.2650 | | 1236 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | B, axial | 5 W | B, axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-UZ5822 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 15.8 V | 22 V | 5 ohmios | |||||||||||||||||||||||
| 1 PMT5933/TR13 | 2.2200 | | 4542 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt5933 | 3 W | DO-216AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 16.7 V | 22 V | 17.5 ohmios | ||||||||||||||||||||
| CDLL5278A/TR | 3.7800 | | 9606 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5278A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 250 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 123 V | 170 V | 1900 ohmios | |||||||||||||||||||||||
| Jans1n4994c | - | | 9740 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | E, axial | 5 W | E, axial | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 251 V | 330 V | 1175 ohmios | ||||||||||||||||||||||
| Jantx1n750dur-1 | 15.2100 | | 6804 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N750 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 1.5 V | 4.7 V | 19 ohmios | ||||||||||||||||||||
 | 1N4123/TR | 2.3408 | | 7776 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4123/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 29.65 V | 39 V | 200 ohmios | |||||||||||||||||||||
| CDLL5913B-1 | 3.9300 | | 1459 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1.25 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5913B-1 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 100 µA @ 1 V | 3.3 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||||||||
| 1N3664R | 41.6850 | | 7440 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | DO-208AA | Polaridad Inversa Estándar | DO-21 | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N3664R | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 1.1 V @ 35 A | 10 µA @ 500 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 35a | - | |||||||||||||||||||||
| 1N5358Be3/TR8 | 2.6850 | | 1995 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5358 | 5 W | T-18 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 15.8 V | 22 V | 3.5 ohmios |
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