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Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia @ if, f | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SMBJ5935CE3/TR13 | 1.3350 |  | 4178 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ5935 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 20.6 V | 27 V | 23 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
 | Jan2n6058 | 48.6115 | | 1420 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/502 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 3 | 2N6058 | 150 W | TO-3 (TO-204AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 12 A | 1mera | NPN - Darlington | 3V @ 120mA, 12A | 1000 @ 6a, 3V | - | |||||||||||||||||||||||||
 | Jantx1n976cur-1/tr | 15.6142 | | 1541 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N976CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 33 V | 43 V | 93 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
| 2N7369 | 324.9000 | | 4273 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 254-3, un 254AA | 115 W | Un 254AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N7369 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 10 A | 5 mm | PNP | 1V @ 500 Ma, 5a | 50 @ 1a, 2v | - | |||||||||||||||||||||||||||
| GC4321-00 | - | | 3756 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Banda | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | Morir | Chip | - | Alcanzar sin afectado | 150-GC4321-00 | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | 0.1pf @ 10V, 1 MHz | PIN - Single | 200V | 1.2ohm @ 20 mm, 1 GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantxv1n4129dur-1 | 36.0000 | | 8781 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4129 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 47.1 V | 62 V | 500 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
 | Jantxv2n2219 | 9.6159 | | 2859 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/251 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N2219 | 800 MW | TO-205Ad | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 30 V | 800 Ma | 10NA | NPN | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||
| Jan2N3507U4 | - | | 2878 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/349 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 1 W | U4 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 50 V | 1 µA | 1 µA | NPN | 1.5V @ 250 Ma, 2.5a | 35 @ 500mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||
| Jans2n6193 | 95.9904 | | 3439 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/561 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N6193 | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 5 A | 100 µA | PNP | 1.2V @ 500 Ma, 5a | 60 @ 2a, 2v | - | |||||||||||||||||||||||||
 | 1 PMT4121E3/TR13 | 0.4950 | | 1497 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | PowerMite® | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt4121 | 1 W | DO-216 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 25.08 V | 33 V | 200 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
 | CDLL5935B | 3.9300 | | 7414 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL5935 | 1.25 W | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 20.6 V | 27 V | 23 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
| Jantx1n4619ur-1 | 12.1800 | | 2138 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 1N4619 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 400 na @ 1 V | 3 V | 1600 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
 | Jan2n3486a | - | | 1044 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/392 | Una granela | Descontinuado en sic | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AB, TO-46-3 METAL CAN | 400 MW | A-46 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 600 mA | 10 µA (ICBO) | PNP | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||
| Jantx1n985cur-1 | 15.5700 | | 3263 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N985 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 76 V | 100 V | 500 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
| 1 PMT5953C/TR13 | 2.7600 | | 7865 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt5953 | 3 W | DO-216AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 114 V | 150 V | 600 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
| 1 PMT5931AE3/TR13 | 0.7350 | | 8245 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1PMT5931 | 3 W | DO-216AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 13.7 V | 18 V | 12 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
| Jantx2n6212 | - | | 4560 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/461 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO13AA, TO-66-2 | 3 W | TO-66 (TO-213AA) | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 V | 2 A | 5 mm | PNP | 1.6V @ 125mA, 1A | 30 @ 1a, 5v | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | Apt1001rbvrg | 14.0900 | | 6639 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Power Mos V® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Apt1001 | Mosfet (Óxido de metal) | To-247 [b] | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 1000 V | 11a (TC) | 1ohm @ 500 mA, 10V | 4V @ 1MA | 225 NC @ 10 V | 3660 pf @ 25 V | - | |||||||||||||||||||||||||
 | Jantxv1n3821a-1 | 12.5550 | | 8078 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N3821 | 1 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 75 µA @ 1 V | 3.3 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
 | Jan2n2222al | 7.0490 | | 4467 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/255 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N2222 | 500 MW | TO-18 (TO-206AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 V | 800 Ma | 50NA | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||
| Jans2n2222aubc | 187.2500 | | 3879 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/255 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 2N2222 | 500 MW | 3-SMD | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 V | 800 Ma | 50NA | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||
| MSASC75W80FS/TR | - | | 5625 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-MSASC75W80FS/TR | 100 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N3027Bur-1 | - | | 4026 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 1N3027 | 1 W | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 15.2 V | 20 V | 22 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
| MSASC75W80F/TR | - | | 7988 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-MSASC75W80F/TR | 100 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jantxv1n3311rb | - | | 4340 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/358 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 50 W | Do-5 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 9.1 V | 12 V | 1 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N6332US | - | | 4233 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Descontinuado en sic | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 17 V | 22 V | 500 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N3725 | 14.7098 | | 2962 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | 2N3725 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 2N3725MS | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantxv1n5416us | 12.9600 | | 3344 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/411 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 1N5416 | Estándar | D-5B | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.5 v @ 9 a | 150 ns | 1 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||
| 1N5254Bur-1 | 2.9400 | | 3674 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 1N5254 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 21 V | 27 V | 41 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
| Jans2n3636 | - | | 2663 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/357 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 175 V | 10 µA | 10 µA | PNP | 600mv @ 5 mm, 50 Ma | 50 @ 50 mapa, 10v | - |
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