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Productos de semiconductoros discretos (41164)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Resistencia - RDS (ON) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) Corriente del Regulador (Max) Voltaje - Limitante (Max)
1N5417-1/TR Microchip Technology 1N5417-1/TR 5.0250
RFQ
 ECAD 6540 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Axial Polaridad Inversa Estándar B - Alcanzar sin afectado 150-1N5417-1/TR EAR99 8541.10.0080 188 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.5 v @ 9 a 150 ns 1 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
JANTX1N3047DUR-1 Microchip Technology Jantx1n3047dur-1 -
RFQ
 ECAD 4653 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/115 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TA) Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) 1.5 W DO-213AB (Melf, LL41) - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 98.8 V 130 V 700 ohmios
APT6010JFLL Microchip Technology Apt6010jfll 50.8000
RFQ
 ECAD 1003 0.00000000 Tecnología de Microchip Power MOS 7® Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Apt6010 Mosfet (Óxido de metal) ISOTOP® descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 600 V 47a (TC) 100mohm @ 23.5a, 10v 5V @ 2.5MA 150 NC @ 10 V 6710 pf @ 25 V -
1N3269R Microchip Technology 1N3269R 158.8200
RFQ
 ECAD 5287 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje DO-205AB, DO-9, Semento 1N3269 Polaridad Inversa Estándar DO-205AB (DO-9) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N3269RMS EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 V @ 300 A 75 µA @ 600 V -65 ° C ~ 190 ° C 275a -
CDLL5268D/TR Microchip Technology CDLL5268D/TR 8.5950
RFQ
 ECAD 4555 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA 10 MW DO-213AA - Alcanzar sin afectado 150-CDLL5268D/TR EAR99 8541.10.0050 110 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 62 V 82 V 330 ohmios
UFT5015A Microchip Technology UFT5015A 94.8750
RFQ
 ECAD 5179 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo A Través del Aguetero TO-204AA, TO-3 Estándar TO-204AA (TO-3) - Alcanzar sin afectado 150-Uft5015a EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 150 V 50A 1 V @ 25 A 35 ns 15 µA @ 150 V -65 ° C ~ 175 ° C
JANS1N5802URS Microchip Technology Jans1n5802urs 118.4100
RFQ
 ECAD 4850 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/477 Una granela Activo A Través del Aguetero A, axial Estándar A, axial - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 975 MV @ 2.5 A 25 ns -65 ° C ~ 175 ° C 2A 25pf @ 10V, 1 MHz
JAN1N2982RB Microchip Technology Jan1n2982rb -
RFQ
 ECAD 4692 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/124 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje DO-203AA, DO-4, semento 10 W DO-213AA (DO-4) - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 2 a 10 µA @ 13.7 V 18 V 4 ohmios
1N5352A/TR12 Microchip Technology 1N5352A/TR12 2.6250
RFQ
 ECAD 2040 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero T-18, axial 1N5352 5 W T-18 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 1 a 1 µA @ 10.8 V 15 V 2.5 ohmios
2N2919 Microchip Technology 2N2919 34.7396
RFQ
 ECAD 5795 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-78-6 METAL CAN 2N291 350MW Un 78-6 - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 60V 30mera 10 µA (ICBO) 2 NPN (dual) 300mV @ 100 µA, 1 mA 150 @ 1 MMA, 5V -
1N5927CP/TR12 Microchip Technology 1N5927CP/TR12 2.2800
RFQ
 ECAD 5246 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N5927 1.5 W DO-204Al (DO-41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 9.1 V 12 V 6.5 ohmios
JANTX1N5802US Microchip Technology Jantx1n5802us 17.3100
RFQ
 ECAD 6232 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/477 Una granela Activo Montaje en superficie Sq-melf, un 1N5802 Estándar D-5A descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 875 MV @ 1 A 25 ns 1 µA @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A 25pf @ 10V, 1 MHz
1N5415 Microchip Technology 1N5415 6.5250
RFQ
 ECAD 6253 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo A Través del Aguetero B, axial 1N5415 Estándar B, axial descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.5 v @ 9 a 150 ns 1 µA @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
JAN1N3027DUR-1 Microchip Technology Jan1n3027dur-1 40.7250
RFQ
 ECAD 9684 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/115 Una granela Activo ± 1% -55 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) 1N3027 1 W DO-213AB (Melf, LL41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 15.2 V 20 V 22 ohmios
1N5371BE3/TR12 Microchip Technology 1N5371BE3/TR12 2.6850
RFQ
 ECAD 7334 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero T-18, axial 1N5371 5 W T-18 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 1 a 500 na @ 43 V 60 V 40 ohmios
JANTX1N6081 Microchip Technology Jantx1n6081 -
RFQ
 ECAD 9091 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/503 Una granela Descontinuado en sic A Través del Aguetero A, axial Estándar A-pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 1.5 V @ 37.7 A 30 ns 5 µA @ 150 V -65 ° C ~ 155 ° C 2A -
JANSR2N3019S Microchip Technology Jansr2n3019s 129.6708
RFQ
 ECAD 4980 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/391 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 2N3019 800 MW TO-39 (TO-205Ad) - Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 80 V 1 A 10 µA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mA, 500 mA 50 @ 500 mA, 10V -
JANTXV2N3634UB/TR Microchip Technology Jantxv2n3634ub/tr 17.8486
RFQ
 ECAD 7913 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/357 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo 1 W UB - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 140 V 10 µA 10 µA PNP 600mv @ 5 mm, 50 Ma 50 @ 50 mapa, 10v -
JANTXV1N5288-1/TR Microchip Technology Jantxv1n5288-1/tr 36.5700
RFQ
 ECAD 1450 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/463 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - A Través del Aguetero Do-204AA, do-7, axial 1N5288 500MW Do-7 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantXV1N5288-1/TR EAR99 8541.10.0070 1 100V 429 µA 1.05V
JANTXV1N3313B Microchip Technology Jantxv1n3313b -
RFQ
 ECAD 1472 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/358 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje Do-203ab, do-5, semental 1N3313 50 W Do-5 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 11.4 V 14 V 1.2 ohmios
CDLL6355 Microchip Technology CDLL6355 14.6400
RFQ
 ECAD 2226 0.00000000 Tecnología de Microchip * Una granela Activo - Alcanzar sin afectado 150-CDLL6355 EAR99 8541.10.0050 1
JAN1N965D-1 Microchip Technology Jan1n965d-1 6.0900
RFQ
 ECAD 5928 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/117 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N965 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 500 na @ 11 V 15 V 16 ohmios
CDLL5525/TR Microchip Technology CDLL5525/TR 5.9052
RFQ
 ECAD 2023 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 20% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Do-213ab, melf 500 MW DO-213AB - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-CDLL5525/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 1 µA @ 4.5 V 6.2 V 30 ohmios
JANTX1N757DUR-1/TR Microchip Technology Jantx1n757dur-1/tr 15.9999
RFQ
 ECAD 8634 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/127 Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 500 MW DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantX1N757DUR-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 1 µA @ 7 V 9.1 V 10 ohmios
1N3024BUR-1/TR Microchip Technology 1N3024Bur-1/TR 15.4500
RFQ
 ECAD 5505 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) 1 W DO-213AB (Melf, LL41) - EAR99 8541.10.0050 100 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 11.4 V 15 V 14 ohmios
JANTX1N5298UR-1/TR Microchip Technology Jantx1n5298ur-1/tr 38.4300
RFQ
 ECAD 3176 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/463 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) 1N5298 500MW DO-213AB (Melf, LL41) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantX1N5298UR-1/TR EAR99 8541.10.0070 1 100V 1.21mA 1.4V
CDLL5249B/TR Microchip Technology CDLL5249B/TR 2.7132
RFQ
 ECAD 8632 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Do-213ab, melf 10 MW DO-213AB descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-CDLL5249B/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 14 V 19 V 23 ohmios
2N5114 Microchip Technology 2N5114 35.8169
RFQ
 ECAD 7505 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-206AA, a 18-3 Lata de metal 2N5114 500 MW TO-18 (TO-206AA) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2n5114ms EAR99 8541.21.0095 1 Canal P 30 V 25pf @ 15V 30 V 90 mA @ 18 V 10 V @ 1 Na 75 ohmios
1N5356A/TR8 Microchip Technology 1N5356A/TR8 2.6250
RFQ
 ECAD 8844 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero T-18, axial 1N5356 5 W T-18 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 1 a 500 na @ 13.7 V 19 V 3 ohmios
UFR3140R Microchip Technology UFR3140R 69.3150
RFQ
 ECAD 7722 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje DO-203AA, DO-4, semento UFR3140 Polaridad Inversa Estándar DO-203AA (DO-4) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.25 V @ 30 A 50 ns 15 µA @ 400 V -65 ° C ~ 175 ° C 30A 115pf @ 10V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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