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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) | Corriente del Regulador (Max) | Voltaje - Limitante (Max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Jan1n4617cur-1 | 16.7700 | ![]() | 5900 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4617 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 1 V | 2.4 V | 1400 ohmios | ||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n6673 | - | ![]() | 6545 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/617 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | TO-254-3, TO-254AA (CLIENTES POTENCADES RECTOS) | 1N6673 | Estándar | Un 254AA | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 400 V | 15A | 1.55 V @ 20 A | 35 ns | 50 µA @ 320 V | -65 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||
![]() | 2N656 | 35.8169 | ![]() | 6680 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | 2N656 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5314-1 | 18.8100 | ![]() | 7911 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5314 | 500MW | Do-7 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 5.17MA | 2.9V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n647ur-1 | - | ![]() | 9663 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/240 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA | Estándar | DO-213AA | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1 V @ 400 Ma | -65 ° C ~ 175 ° C | 400mA | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx2n6989u | - | ![]() | 1659 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/559 | Una granela | Descontinuado en sic | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 20-Clcc | 2N6989 | 1W | 20-Clcc | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 50V | 800mA | 10 µA (ICBO) | 4 NPN (Quad) | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||
Jantxv1n6323d | 45.0600 | ![]() | 7440 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-Jantxv1n6323d | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 1 µA @ 7 V | 9.1 V | 6 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Jans1n4582aur-1 | 123.7500 | ![]() | 8041 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/452 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 25 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5367C/TR12 | 3.3900 | ![]() | 6621 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5367 | 5 W | T-18 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 31 V | 43 V | 20 ohmios | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3345RB | 49.3800 | ![]() | 2973 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | 1N3345 | 50 W | Do-5 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 114 V | 140 V | 60 ohmios | ||||||||||||||||||||||
Jan1N747A-1 | 2.0250 | ![]() | 4907 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 3 µA @ 1 V | 3.6 V | 22 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4741CPE3/TR8 | 1.1550 | ![]() | 6432 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4741 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 8.4 V | 11 V | 8 ohmios | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5928AP/TR8 | 1.8600 | ![]() | 4149 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5928 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 9.9 V | 13 V | 7 ohmios | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5926P/TR8 | 1.8600 | ![]() | 6821 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5926 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 8.4 V | 11 V | 5.5 ohmios | ||||||||||||||||||||||
Jantx1n4488cus | - | ![]() | 3913 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Descontinuado en sic | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 250 na @ 72.8 V | 91 V | 200 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL4689E3/TR | 3.9150 | ![]() | 1343 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4689E3/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 242 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 µA @ 3 V | 5.1 V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ4755E3/TR13 | 0.4350 | ![]() | 7382 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ4755 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 32.7 V | 43 V | 70 ohmios | ||||||||||||||||||||||
![]() | Apt2x100dq100j | 24.6700 | ![]() | 3936 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | Apt2x100 | Estándar | ISOTOP® | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 1000 V | 100A | 2.7 V @ 100 A | 290 ns | 100 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||
![]() | Jans1n4954 | 181.4550 | ![]() | 1676 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | B, axial | 5 W | B, axial | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 150 µA @ 5.2 V | 6.8 V | 1 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
Jantx2n5238s | 21.7588 | ![]() | 2607 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/394 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N5238 | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 170 V | 10 A | 10 µA | NPN | 2.5V @ 1a, 10a | 40 @ 5a, 5v | - | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N2971B | 36.9900 | ![]() | 1452 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | 1N2971 | 10 W | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 100 µA @ 5.7 V | 7.5 V | 1.3 ohmios | ||||||||||||||||||||||
Jan2n4237 | 39.7936 | ![]() | 8124 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/581 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N4237 | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 V | 1 A | 100NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 100 mm, 1a | 30 @ 250 Ma, 1V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | CDLL5229D/TR | 8.5950 | ![]() | 1855 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5229D/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 110 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 1 V | 4.3 V | 22 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
Jan1n6857-1 | - | ![]() | 3155 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/444 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Schottky | DO-35 (DO-204AH) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 16 V | 750 MV @ 35 Ma | 150 na @ 16 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 150 Ma | 4.5pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5539B | 3.0750 | ![]() | 8792 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5539 | 500 MW | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 17.1 V | 19 V | 106 ohmios | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4743CPE3/TR8 | 1.1550 | ![]() | 4106 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4743 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 9.9 V | 13 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n984cur-1 | 11.3850 | ![]() | 9522 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N984 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 69 V | 91 V | 400 ohmios | ||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n3305rb | - | ![]() | 6340 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/358 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 50 W | Do-5 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 300 µA @ 4.5 V | 6.8 V | 0.2 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
Jantxv2n5582 | - | ![]() | 6409 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/423 | Una granela | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AB, TO-46-3 METAL CAN | 500 MW | A-46-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 V | 800 Ma | 10 µA (ICBO) | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | Jan2n7372 | - | ![]() | 7853 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/612 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-254-3, TO-254AA (CLIENTES POTENCADES RECTOS) | 2N7372 | 4 W | Un 254AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 5 A | 50 µA | PNP | 1.5V @ 500mA, 5A | 70 @ 2.5a, 5V | - |
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