SIC
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Productos de semiconductoros discretos (41164)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) Corriente del Regulador (Max) Voltaje - Limitante (Max)
APT20M11JLL Microchip Technology Apt20m11jll 70.7400
RFQ
 ECAD 8265 0.00000000 Tecnología de Microchip Power MOS 7® Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Apt20m11 Mosfet (Óxido de metal) ISOTOP® descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 200 V 176a (TC) 11mohm @ 88a, 10v 5V @ 5MA 180 NC @ 10 V 10320 pf @ 25 V -
1N4566AE3 Microchip Technology 1N456666AE3 4.3800
RFQ
 ECAD 8441 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Alcanzar sin afectado 150-1N4566AE3 EAR99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 6.4 V 200 ohmios
SMBG5351B/TR13 Microchip Technology SMBG5351B/TR13 2.2500
RFQ
 ECAD 7165 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB SMBG5351 5 W SMBG (DO-215AA) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 1 a 1 µA @ 10.1 V 14 V 2.5 ohmios
JANTX1N5615 Microchip Technology Jantx1n5615 5.2800
RFQ
 ECAD 5412 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/429 Una granela Activo A Través del Aguetero A, axial 1N5615 Estándar A, axial descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.6 v @ 3 a 150 ns 500 na @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A 45pf @ 12V, 1 MHz
JANTXV1N976C-1/TR Microchip Technology Jantxv1n976c-1/tr 8.0332
RFQ
 ECAD 9023 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/117 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantXV1N976C-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 500 na @ 33 V 43 V 93 ohmios
1N6018UR Microchip Technology 1n6018ur 3.5850
RFQ
 ECAD 3530 0.00000000 Tecnología de Microchip * Una granela Activo 1N6018 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1
JANTX1N3824C-1 Microchip Technology Jantx1n3824c-1 21.9600
RFQ
 ECAD 1213 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/115 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N3824 1 W Do-41 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 1 V 4.3 V 9 ohmios
JANKCA1N5306 Microchip Technology Jankca1n5306 -
RFQ
 ECAD 4678 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/463 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - A Través del Aguetero Do-204AA, do-7, axial 500MW Do-7 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-Jankca1N5306 EAR99 8541.10.0070 1 100V 2.42MA 1.95V
JAN1N964B-1 Microchip Technology Jan1n964b-1 1.9050
RFQ
 ECAD 3536 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/117 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N964 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 500 na @ 9.9 V 13 V 13 ohmios
SMBJ4731AE3/TR13 Microchip Technology SMBJ4731AE3/TR13 0.4350
RFQ
 ECAD 5701 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB SMBJ4731 2 W SMBJ (DO-214AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 1 V 4.3 V 9 ohmios
JANSM2N5002 Microchip Technology Jansm2n5002 -
RFQ
 ECAD 9446 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/534 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje TO10AA, TO-59-4, Stud 2 W TO-59 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 80 V 50 µA 50 µA NPN 1.5V @ 500mA, 5A 30 @ 2.5a, 5V -
JAN2N4854U/TR Microchip Technology Jan2n4854u/tr 195.3105
RFQ
 ECAD 6988 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/421 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-SMD, sin Plomo 2N4854 600MW 6-SMD - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-Enero2N4854U/TR EAR99 8541.21.0095 1 40V 600mA 10 µA (ICBO) NPN, PNP 400mv @ 15 mA, 150 mA 100 @ 150mA, 10V -
JAN2N2904 Microchip Technology Jan2N2904 10.6533
RFQ
 ECAD 8706 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/290 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 2N2904 600 MW To-39 descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 40 V 600 mA 1 µA PNP 1.6v @ 50 mA, 500 mA 35 @ 10mA, 10V -
1N5944APE3/TR8 Microchip Technology 1N5944APE3/TR8 0.9150
RFQ
 ECAD 7652 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N5944 1.5 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 47.1 V 62 V 100 ohmios
JANTXV2N3501 Microchip Technology Jantxv2n3501 15.8403
RFQ
 ECAD 6528 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/366 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 2N3501 1 W TO-39 (TO-205Ad) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 150 V 300 mA 10 µA (ICBO) NPN 400mv @ 15 mA, 150 mA 100 @ 150mA, 10V -
1N5953B Microchip Technology 1N5953B 3.4050
RFQ
 ECAD 7429 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do041, axial 1N5953 1.25 W Do-41 descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N5953BMS EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 114 V 150 V 600 ohmios
1N5348CE3/TR12 Microchip Technology 1N5348CE3/TR12 3.3900
RFQ
 ECAD 9142 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero T-18, axial 1N5348 5 W T-18 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 1 a 5 µA @ 8 V 11 V 2.5 ohmios
JANS1N4099CUR-1 Microchip Technology Jans1n4099cur-1 97.9650
RFQ
 ECAD 8851 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 500 MW DO-213AA - Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 1 µA @ 5.2 V 6.8 V 200 ohmios
JAN1N978D-1/TR Microchip Technology Jan1N978D-1/TR 5.8919
RFQ
 ECAD 4941 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/117 Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-ENERO1N978D-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 500 na @ 39 V 51 V 125 ohmios
APTMC120AM20CT1AG Microchip Technology APTMC120AM20CT1AG -
RFQ
 ECAD 6497 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SP1 APTMC120 CARBURO DE SILICIO (SIC) 600W SP1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 2 N Canal (Pierna de Fase) 1200V (1.2kv) 143A (TC) 17mohm @ 100a, 20V 2.3V @ 2MA (typ) 360nc @ 20V 5960pf @ 1000V -
JANTXV2N5663 Microchip Technology Jantxv2n5663 -
RFQ
 ECAD 9077 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/454 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN 2N5663 1 W A-5 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 300 V 2 A 200NA NPN 800mv @ 400mA, 2a 25 @ 500mA, 5V -
JANS1N5614/TR Microchip Technology Jans1n5614/tr 31.9800
RFQ
 ECAD 6747 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/427 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero A, axial Estándar A, axial - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-jans1n5614/tr EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 3 A 2 µs 500 na @ 200 V -65 ° C ~ 200 ° C 1A -
JANS1N5295-1 Microchip Technology Jans1n5295-1 99.8700
RFQ
 ECAD 7856 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/463 Una granela Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - A Través del Aguetero Do-204AA, do-7, axial 1N5295 500MW Do-7 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1 100V 902 µA 1.25V
UES1105SMHR2 Microchip Technology UES1105SMHR2 68.6250
RFQ
 ECAD 9510 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo - Rohs no conforme No Aplicable Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1
1N5533C Microchip Technology 1N5533C 11.3550
RFQ
 ECAD 9424 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - Alcanzar sin afectado 150-1N5533C EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 11.7 V 13 V 90 ohmios
CDLL5518/TR Microchip Technology CDLL5518/TR 5.9052
RFQ
 ECAD 9666 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 20% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Do-213ab, melf 500 MW DO-213AB - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-CDLL5518/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 5 µA @ 900 MV 3.3 V 26 ohmios
JANTXV1N4981US/TR Microchip Technology Jantxv1n4981us/tr 16.1250
RFQ
 ECAD 7935 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/356 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, B 5 W E-Mada - 150-jantxv1n4981us/tr EAR99 8541.10.0050 100 1.5 v @ 1 a 2 µA @ 69.2 V 91 V 90 ohmios
JANTXV1N4575AUR-1 Microchip Technology Jantxv1n4575aur-1 8.9100
RFQ
 ECAD 3854 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/452 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 1N4575 500 MW DO-213AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 6.4 V 50 ohmios
JANTX2N5582 Microchip Technology Jantx2n5582 9.1105
RFQ
 ECAD 9264 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/423 Una granela Activo -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-206AB, TO-46-3 METAL CAN 2N5582 500 MW A-46-3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 50 V 800 Ma 10 µA (ICBO) NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 150mA, 10V -
1N4746AGE3 Microchip Technology 1N4746A3 3.4314
RFQ
 ECAD 9644 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1 W Do-41 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-1n4746age3 EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 13.7 V 18 V 20 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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