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Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) | Corriente del Regulador (Max) | Voltaje - Limitante (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N4372A | 3.0900 |  | 5530 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4372 | 500 MW | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1N4372ams | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 µA @ 1 V | 3 V | 29 ohmios | |||||||||||||||||||
 | Jantx1n4553rb | - | | 7932 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/358 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 50 W | Do-5 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 20 µA @ 1 V | 5.6 V | 0.12 ohmios | ||||||||||||||||||||||
 | CDLL4754 | 3.4650 | | 8147 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL4754 | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 100 na @ 29.7 V | 39 V | 60 ohmios | |||||||||||||||||||||
 | Jans1n5283ur-1/tr | 130.3050 | | 6419 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jans1n5283ur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 242 µA | 1V | ||||||||||||||||||||||
 | UZ5824 | 32.2650 | | 6835 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | B, axial | 5 W | B, axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-UZ5824 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 18.2 V | 24 V | 5 ohmios | |||||||||||||||||||||||
 | Jans1n6487cus | - | | 2356 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | A, SQ-Melf | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 35 µA @ 1 V | 3.9 V | 9 ohmios | ||||||||||||||||||||||
 | 1N4249 | - | | 6969 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | A, axial | Estándar | A, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.3 V @ 3 A | 5 µs | 1 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||
| 1N4248 | - | | 1741 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | A, axial | Estándar | A, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.3 V @ 3 A | 5 µs | 1 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||
| CDLL758A | 4.9350 | | 9022 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL758 | 500 MW | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 8 V | 10 V | 17 ohmios | ||||||||||||||||||||
 | Jantxv1n5195ur/tr | - | | 2500 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/118 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA | Estándar | DO-213AA | - | 150-jantxv1n5195ur/tr | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 180 V | 1 V @ 100 Ma | 1 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 200 MMA | - | ||||||||||||||||||||||||
| Jans1n7055ur-1/TR | 163.0650 | | 6071 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jans1n7055ur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantx2n6338 | 113.2894 | | 2392 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/509 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | 200 W | A 3 | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 50 µA | 50 µA | NPN | 1.8v @ 2.5a, 25a | 30 @ 10a, 2v | - | |||||||||||||||||||||
| BZV55C8V2 | 2.9400 | | 7170 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 6% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | BZV55C8V2 | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 700 na @ 5 V | 8.2 V | ||||||||||||||||||||||
| Jan1n3330b | - | | 2378 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/158 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 1N3330 | 50 W | Do-5 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 35.8 V | 47 V | 5 ohmios | ||||||||||||||||||||
| 1N2983RB | - | | 3810 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Descontinuado en sic | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | 1N2983 | 10 W | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 14 V | 19 V | 4 ohmios | ||||||||||||||||||||
 | Jantx1n963dur-1 | 27.5550 | | 9254 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N963 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 9.1 V | 12 V | 11.5 ohmios | ||||||||||||||||||||
| UZ5822 | 32.2650 | | 1236 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | B, axial | 5 W | B, axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-UZ5822 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 15.8 V | 22 V | 5 ohmios | |||||||||||||||||||||||
 | 1 PMT5933/TR13 | 2.2200 | | 4542 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt5933 | 3 W | DO-216AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 16.7 V | 22 V | 17.5 ohmios | ||||||||||||||||||||
| CDLL5278A/TR | 3.7800 | | 9606 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5278A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 250 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 123 V | 170 V | 1900 ohmios | |||||||||||||||||||||||
| 1N3891R | 50.8800 | | 6958 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/304 | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 1N3891 | Polaridad Inversa Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 1N3891RMS | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.5 V @ 38 A | 200 ns | 10 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 12A | - | ||||||||||||||||||
| Jans1n4994c | - | | 9740 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | E, axial | 5 W | E, axial | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 251 V | 330 V | 1175 ohmios | ||||||||||||||||||||||
| 1N6009ur-1 | 3.5850 | | 2982 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | 1N6009 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Jantx1n750dur-1 | 15.2100 | | 6804 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N750 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 1.5 V | 4.7 V | 19 ohmios | ||||||||||||||||||||
 | 2N3778 | - | | 4900 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Descontinuado en sic | - | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | Un 5 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
 | 1N4123/TR | 2.3408 | | 7776 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4123/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 29.65 V | 39 V | 200 ohmios | |||||||||||||||||||||
 | Jans2n3637 | 85.4100 | | 421 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/357 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N3637 | 1 W | To-39 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 175 V | 1 A | 10 µA | PNP | 600mv @ 5 mm, 50 Ma | 100 @ 50 mm, 10v | - | ||||||||||||||||||
| CDLL5913B-1 | 3.9300 | | 1459 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1.25 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5913B-1 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 100 µA @ 1 V | 3.3 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||||||||
| 1N3664R | 41.6850 | | 7440 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | DO-208AA | Polaridad Inversa Estándar | DO-21 | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N3664R | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 1.1 V @ 35 A | 10 µA @ 500 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 35a | - | |||||||||||||||||||||
 | 1N5358Be3/TR8 | 2.6850 | | 1995 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5358 | 5 W | T-18 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 15.8 V | 22 V | 3.5 ohmios | ||||||||||||||||||||
| 1N5352A/TR8 | - | | 2988 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5352 | 5 W | T-18 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 1 µA @ 10.8 V | 15 V | 2.5 ohmios |
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