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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
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Apt50m75b2llg | 21.0600 | ![]() | 7827 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Power MOS 7® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Variatura a 247-3 | Apt50m75 | Mosfet (Óxido de metal) | T-Max ™ [B2] | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 500 V | 57a (TC) | 10V | 75mohm @ 28.5a, 10V | 5V @ 2.5MA | 125 NC @ 10 V | ± 30V | 5590 pf @ 25 V | - | 570W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL7054 | 68.1450 | ![]() | 6245 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | CDLL70 | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL7054 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N5247B/TR | 3.6442 | ![]() | 6270 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N5247B/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 13 V | 17 V | 19 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Apt60m75jvr | 82.3510 | ![]() | 3362 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Power Mos V® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | Apt60m75 | Mosfet (Óxido de metal) | ISOTOP® | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 V | 62a (TC) | 10V | 75mohm @ 500 mA, 10V | 4V @ 5MA | 1050 NC @ 10 V | ± 30V | 19800 pf @ 25 V | - | 700W (TC) | |||||||||||||||||||||||
SG2023J-883B | - | ![]() | 7788 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | - | SG2023 | - | 16-CDIP | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 95V | 500mA | - | 7 NPN Darlington | 1.6V @ 500 µA, 350 mA | 1000 @ 350MA, 2V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5793U | 71.0700 | ![]() | 1451 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-SMD, sin Plomo | 2N5793 | 600MW | U | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N5793U | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 40V | 600mA | 10 µA (ICBO) | 2 NPN (dual) | 900mv @ 30 mA, 300 mA | 40 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
Jan1n3021d-1 | 25.4550 | ![]() | 8316 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N3021 | 1 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 8.4 V | 11 V | 8 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||
Jantxv1n6487us | - | ![]() | 9115 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | A, SQ-Melf | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 35 µA @ 1 V | 3.9 V | 9 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ5915B/TR13 | 1.5600 | ![]() | 6016 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ5915 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 25 µA @ 1 V | 3.9 V | 7.5 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
Jan1n4465c | 16.7700 | ![]() | 6859 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4465 | 1.5 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 300 na @ 8 V | 10 V | 5 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5810 | 10.9200 | ![]() | 9248 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Axial | Estándar | Axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5810 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 875 MV @ 4 A | - | 6A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N2994RB | 36.9900 | ![]() | 8342 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 1N2994 | 10 W | DO-4 (DO-203AA) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N2994RB | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 33 V | 45 V | 13 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||
Jans1n4989us/tr | 108.9908 | ![]() | 7590 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 5 W | D-5B | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4989us/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 152 V | 200 V | 550 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S34120 | 39.0750 | ![]() | 4526 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | S34 | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | S341 | Estándar | Do-5 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 1.15 V @ 90 A | 10 µA @ 1200 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 45a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Apt40dq100bctg | - | ![]() | 4165 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Apt40 | Estándar | To-247 [b] | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 1000 V | 40A | 3 V @ 40 A | 250 ns | 100 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||
Jan2n3634 | 10.5070 | ![]() | 2468 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/357 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N3634 | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 140 V | 1 A | 10 µA | PNP | 600mv @ 5 mm, 50 Ma | 50 @ 50 mapa, 10v | - | ||||||||||||||||||||||||||||
1N6345US | 14.6400 | ![]() | 2728 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 1N6345 | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 56 V | 75 V | 180 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5812R | 65.0400 | ![]() | 5664 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/478 | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 1N5812 | Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 950 MV @ 20 A | 35 ns | 10 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 20A | 300pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
Jantx1n4995cus | - | ![]() | 2787 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 5 W | D-5B | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 274 V | 360 V | 1400 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
1N979A | 2.0700 | ![]() | 6653 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N979 | 500 MW | Do-7 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 42.6 V | 56 V | 150 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CD4153 | 1.3433 | ![]() | 2393 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Morir | Estándar | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD4153 | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 50 V | 880 MV @ 20 Ma | 4 ns | 50 na @ 50 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 20 Ma | 2pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3288ar | 102.2400 | ![]() | 7449 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AA, DO-8, Semento | 1N3288 | Polaridad Inversa Estándar | DO-205AA (DO-8) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 1N3288 brazos | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.1 v @ 200 a | 50 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 150a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx1n7048ur-1 | 10.8150 | ![]() | 7326 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Jantx1n4566a-1 | 5.9700 | ![]() | 7268 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/452 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4566 | 500 MW | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 200 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
Jan1N5527D-1 | 17.6700 | ![]() | 6988 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5527 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 6.8 V | 7.5 V | 35 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1n6677ur-1 | 9.4000 | ![]() | 91 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA | 1N6677 | Schottky | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 40 V | 500 MV @ 200 Ma | 5 µA @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 200 MMA | 50pf @ 0v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S4240TS | 57.8550 | ![]() | 6006 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AA, DO-8, Semento | S4240 | Estándar | DO-205AA (DO-8) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.2 v @ 200 a | 50 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 125a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Janhca1n4130 | 13.2734 | ![]() | 6645 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N4130 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 51.68 V | 68 V | 700 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||
Jans1n6491cus | - | ![]() | 1561 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Sq-melf, un | 1N6491 | 1.5 W | D-5A | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 500 na @ 2 V | 5.6 V | 5 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSCSM170AM029T6LIAG | - | ![]() | 1769 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Caja | Activo | descascar | 150-mscsm170am029t6liag | 1 |
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