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Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jan2n2604ub | - |  | 3387 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/354 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | 2N2604 | 400 MW | UB | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 30 Ma | 10NA | PNP | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 60 @ 500 µA, 5V | - | |||||||||||||||
 | Jan1n4475cus | 27.6750 | | 9210 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1N4475 | 1.5 W | D-5A | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 50 na @ 21.6 V | 27 V | 18 ohmios | ||||||||||||||||
 | R307020F | 49.0050 | | 7523 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-R307020F | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Jantxv1n4482dus | 56.4150 | | 1109 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | - | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n4482dus | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 50 na @ 40.8 V | 51 V | 60 ohmios | ||||||||||||||||||
| Jantxv1n4968c | 22.2000 | | 5566 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | E, axial | 1N4968 | 5 W | E, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 20.6 V | 27 V | 6 ohmios | ||||||||||||||||
 | 2N6326 | 376.5762 | | 8665 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | 200 W | A 3 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 30 A | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||
 | Jans1n4988/tr | 97.1600 | | 5436 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | B, axial | 5 W | B, axial | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4988/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 136.8 V | 180 V | 450 ohmios | |||||||||||||||||
 | Jantx1n752aur-1 | 4.3050 | | 8649 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 1N752 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 2.5 V | 5.6 V | 8 ohmios | ||||||||||||||||
 | 1N5927P/TR12 | 1.8600 | | 9777 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5927 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 9.1 V | 12 V | 6.5 ohmios | ||||||||||||||||
 | Jan1N4938-1 | - | | 6608 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/169 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4938 | Estándar | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 175 V | 1 V @ 100 Ma | 50 ns | 100 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 100mA | - | ||||||||||||||
 | 1 PMT5949BE3/TR7 | 0.7350 | | 2260 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt5949 | 3 W | DO-216AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 76 V | 100 V | 250 ohmios | ||||||||||||||||
| Jantx1n4578aur-1 | 22.1550 | | 5444 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/452 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4578 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 3 V | 50 ohmios | |||||||||||||||||
 | 1N5802/TR | 7.2000 | | 8568 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | A, axial | Estándar | A, axial | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N5802/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 875 MV @ 1 A | 25 ns | 1 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 25pf @ 10V, 1 MHz | |||||||||||||||
 | Jantxv1n6352dus/tr | - | | 9419 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | 150-jantxv1n6352dus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 114 V | 150 V | 1000 ohmios | |||||||||||||||||||
 | Jantxv1n4104c-1 | 23.1600 | | 6702 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4104 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 7.6 V | 10 V | 200 ohmios | ||||||||||||||||
| Jan1n2975b | - | | 6735 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/124 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 10 W | DO-213AA (DO-4) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 8.4 V | 11 V | 3 ohmios | ||||||||||||||||||
| UT8160 | 398.3350 | | 2314 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Semental | Estándar | Axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-UT8160 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1 v @ 8 a | 10 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 12A | - | |||||||||||||||||
 | CDLL4749 | 3.4650 | | 4827 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL4749 | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 100 na @ 18.2 V | 24 V | 25 ohmios | |||||||||||||||||
 | 1N4896/TR | 24.3450 | | 8941 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -25 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 400 MW | Do-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4896/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 12.8 V | 400 ohmios | |||||||||||||||||||
| 1N5342B/TR8 | 2.6850 | | 3148 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5342 | 5 W | T-18 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 10 µA @ 4.9 V | 6.8 V | 1 ohmios | ||||||||||||||||
 | Jantx2n2219al | 15.1886 | | 3614 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/251 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N2219 | 800 MW | To-39 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 V | 800 Ma | 10NA | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||
 | Jan1n3824dur-1/TR | 39.5143 | | 3948 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N3824DUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 1 V | 4.3 V | 9 ohmios | |||||||||||||||||
| Jantxv1n4133ur-1 | 11.2500 | | 1449 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4133 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 66.2 V | 87 V | 1000 ohmios | ||||||||||||||||
| 2N6671 | - | | 8246 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | 150 W | A 3 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 V | 8 A | - | PNP | - | 10 @ 8a, 300V | - | |||||||||||||||
| 1N5531B/TR | 1.9950 | | 4992 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5531B/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 477 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 9.9 V | 11 V | 80 ohmios | ||||||||||||||||||
| CDLL3029A | 15.3000 | | 7778 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL3029 | 1 W | DO-213AB | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 18.2 V | 24 V | 25 ohmios | ||||||||||||||||
| Jantxv1n6353c | - | | 2764 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | B, axial | 500 MW | B, axial | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 122 V | 151 V | 1200 ohmios | ||||||||||||||||||
| Jan1n645ur-1/TR | - | | 7350 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/240 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA | Estándar | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1n645ur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 225 V | 1 V @ 400 Ma | -65 ° C ~ 175 ° C | 400mA | - | |||||||||||||||||
 | Jantxv2n3468l | - | | 3374 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/348 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 1 W | A-5 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 50 V | 1 A | 100 µA (ICBO) | PNP | 1.2v @ 100 mA, 1A | 25 @ 500mA, 1V | 150MHz | ||||||||||||||||
| 1N4743ur-1 | 3.0723 | | 1369 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4743ur-1 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 9.9 V | 13 V | 10 ohmios |
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