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Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N6330 | 8.4150 |  | 4779 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N6330 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 14 V | 18 V | 14 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantxv1n3017dur-1/tr | 51.2449 | | 7918 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N3017DUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 100 µA @ 5.7 V | 7.5 V | 4 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N4736E3/TR13 | 0.8100 | | 9630 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4736 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 4 V | 6.8 V | 3.5 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5994/TR | 3.5850 | | 5333 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5994/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 264 | 1.1 V @ 200 Ma | 3 µA @ 1.5 V | 5.6 V | 70 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jan2n5666 | 15.5211 | | 9012 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/455 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 2N5666 | 1.2 W | A-5 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 V | 5 A | 200NA | NPN | 1v @ 1a, 5a | 40 @ 1a, 5v | - | ||||||||||||||||||||||||||
| 1N5341CE3/TR13 | - | | 8058 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5341 | 5 W | T-18 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.250 | 1.2 v @ 1 a | 1 µA @ 3 V | 6.2 V | 1 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N4246 | 3.7800 | | 8631 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | A, axial | 1N4246 | Estándar | A, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 3 A | 5 µs | 1 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | CDLL5231B | 2.7300 | | 2932 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL5231 | 10 MW | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 2 V | 5.1 V | 17 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
 | UFS170JE3/TR13 | 0.9000 | | 7377 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214BA | UFS170 | Estándar | DO-214BA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 700 V | 1.2 v @ 1 a | 60 ns | 20 µA @ 700 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | 1 PMT5931AE3/TR13 | 0.7350 | | 8245 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1PMT5931 | 3 W | DO-216AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 13.7 V | 18 V | 12 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Jan1n5416 | 6.6300 | | 4320 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/411 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | B, axial | 1N5416 | Estándar | B, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.5 v @ 9 a | 150 ns | 1 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | Jantx1n5537bur-1 | 14.7600 | | 2946 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N5537 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 15.3 V | 17 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Jans2n5795a | 403.6818 | | 3603 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/496 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-78-6 METAL CAN | 2N5795 | 600MW | Un 78-6 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 600mA | 10 µA (ICBO) | 2 PNP (dual) | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||
| Jans1n5622 | 59.9100 | | 5966 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/427 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | A, axial | Estándar | A, axial | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1.3 V @ 3 A | 2 µs | 500 na @ 1000 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4570AUR-1 | 5.9250 | | 1823 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 1N4570 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Jantx1n6347c | 29.2350 | | 8379 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-Jantx1n6347c | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 69 V | 91 V | 270 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | MBR3060CTE3/TU | - | | 7446 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | MBR3060 | Schottky | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 15A | 750 MV @ 15 A | 50 µA @ 60 V | -65 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||||||||
| CDLL5248 | 2.8650 | | 1507 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL5248 | 10 MW | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 14 V | 18 V | 21 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Jans2n2484 | 52.7104 | | 2651 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/376 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N2484 | 360 MW | TO-18 (TO-206AA) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 50 Ma | 2NA | NPN | 300mV @ 100 µA, 1 mA | 225 @ 10mA, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||
| 1N5931CE3/TR13 | - | | 4699 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5931 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 13.7 V | 18 V | 12 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
 | TN2124K1-G | 0.8600 | | 941 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | TN2124 | Mosfet (Óxido de metal) | TO36AB (SOT23) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 240 V | 134MA (TJ) | 3V, 4.5V | 15ohm @ 120mA, 4.5V | 2v @ 1 mapa | ± 20V | 50 pf @ 25 V | - | 360MW (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | Jan1n4967d | 18.6750 | | 8258 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | E, axial | 1N4967 | 5 W | E, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 18.2 V | 24 V | 5 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantxv2n918ub | 29.3265 | | 5341 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/301 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 2N918 | 200 MW | UB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 V | 50 Ma | 1 µA (ICBO) | NPN | 400mv @ 1 mapa, 10 ma | 20 @ 3mA, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||||
| 1N4756CPE3/TR12 | 1.1550 | | 8604 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4756 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 35.8 V | 47 V | 80 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantx1n3049dur-1/tr | - | | 4011 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1.25 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | 150-JantX1N3049DUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 121.6 V | 160 V | 1100 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Jantx1n6912utk2 | - | | 3130 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/723 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Thinkey ™ 2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Thinkey ™ 2 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 45 V | 640 MV @ 25 A | 1.2 Ma @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 25A | 1000PF @ 5V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
| CDLL5712/TR | 12.4050 | | 2993 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA | CDLL5712 | Schottky | DO-213AA | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 16 V | 1 V @ 35 Ma | 150 na @ 16 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 75 Ma | 2pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
| Jantxv1n4121cur-1 | 28.8000 | | 6760 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4121 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 25.1 V | 33 V | 200 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantx1n6324cus | 47.0100 | | 3173 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 1N6324 | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 1 µA @ 8 V | 10 V | 6 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
| Jantx1n6306 | - | | 2884 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | Estándar | Do-5 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 1.18 V @ 150 A | 60 ns | 25 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 70a |
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