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Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jantxv1n3311rb | - |  | 4340 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/358 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 50 W | Do-5 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 9.1 V | 12 V | 1 ohmios | ||||||||||||||||||||
| 2N7374 | 244.5450 | | 7817 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | A Través del Aguetero | Un 257-3 | 52.5 W | Un 257 | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N7374 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 V | 5 A | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||
 | Jan2n5660u3 | - | | 9621 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/454 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 2N5660 | 2 W | U3 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 V | 2 A | 200NA | NPN | 800mv @ 400mA, 2a | 40 @ 500mA, 5V | - | |||||||||||||||||
| 1N6910UTK2CS/TR | 259.3500 | | 6543 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Thinkey ™ 2 | Schottky, Polaridad Inversa | Thinkey ™ 2 | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N6910UTK2CS/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 15 V | 520 MV @ 25 A | 1.2 Ma @ 15 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 25A | 2000pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||||||||||
 | Jantx1n4133cur-1 | 24.3150 | | 5204 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4133 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 66.2 V | 87 V | 1000 ohmios | ||||||||||||||||||
| 1N3271R | 158.8200 | | 6282 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AB, DO-9, Semento | 1N3271 | Polaridad Inversa Estándar | DO-205AB (DO-9) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 1N3271RMS | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.3 V @ 300 A | 75 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 190 ° C | 275a | - | |||||||||||||||||
 | Jans1n6663us | - | | 6179 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/587 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Sq-melf, un | Estándar | A, SQ-Melf | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1 V @ 400 Ma | -65 ° C ~ 175 ° C | 500mA | - | ||||||||||||||||||||
| 1N1199B | 75.5700 | | 5664 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 1N1199 | Estándar | DO-4 (DO-203AA) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 1N1199BMS | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.2 V @ 30 A | 10 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 12A | - | |||||||||||||||||
 | Jantx1n971d-1 | 7.9800 | | 2187 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N971 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 21 V | 27 V | 41 ohmios | ||||||||||||||||||
| Jan1n4114ur-1 | 5.7000 | | 6859 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4114 | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 15.2 V | 20 V | 150 ohmios | |||||||||||||||||||
| Janhca1n4105d | - | | 1551 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | - | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N4105D | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 8.44 V | 11 V | 200 ohmios | ||||||||||||||||||||
| Jan1n4109dur-1/TR | 16.3058 | | 8233 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N4109DUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 11.4 V | 15 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||||||
| Jan1n990bur-1/TR | - | | 3266 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N990BUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.3 V @ 200 Ma | 500 na @ 122 V | 160 V | 1.7 ohmios | |||||||||||||||||||
| CDLL4683/TR | 3.0989 | | 7874 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4683/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 800 na @ 1 V | 3 V | ||||||||||||||||||||
| Jan1N4571A-1 | 5.3550 | | 2099 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/452 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4571 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||
| Jantxv1n4114cur-1 | 28.8000 | | 1703 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4114 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 15.2 V | 20 V | 150 ohmios | ||||||||||||||||||
 | Apt100s20bg | 5.7200 | | 2 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | Apt100s20 | Schottky | To-247 [b] | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 950 MV @ 100 A | 70 ns | 2 Ma @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 120a | - | ||||||||||||||||
| Jan1N746C-1 | 5.1900 | | 1708 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N746 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 V | 17 ohmios | ||||||||||||||||||
| Jantx1n6340c | 29.2350 | | 2934 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-Jantx1n6340c | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 36 V | 47 V | 75 ohmios | ||||||||||||||||||||
| Jantxv1n750d-1/tr | 12.7680 | | 4202 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N750D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 1.5 V | 4.7 V | 19 ohmios | |||||||||||||||||||
| 1n5711ur-1e3/tr | 11.3250 | | 8416 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/444 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA | Schottky | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N5711UR-1E3/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1 V @ 15 Ma | 200 na @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 33MA | 2pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||||||||
| Jantx1n4370d-1/tr | 12.4089 | | 1480 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N4370D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 µA @ 1 V | 2.4 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||
 | MBR3060CTE3/TU | - | | 7446 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | MBR3060 | Schottky | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 15A | 750 MV @ 15 A | 50 µA @ 60 V | -65 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||
| MSASC100W45HS/TR | 467.1000 | | 3315 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-MSASC100W45HS/TR | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Jan1n3011b | - | | 4084 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/124 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 1N3011 | 10 W | DO-213AA (DO-4) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 114 V | 150 V | 175 ohmios | ||||||||||||||||||
| Jantx1n6769r | - | | 3285 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Un 257-3 | Estándar | Un 257 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.06 v @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 80 V | - | 8A | 150pf @ 5V, 1 MHz | ||||||||||||||||||
| Jans1n4565a-1 | 74.6250 | | 1070 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/452 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 200 ohmios | |||||||||||||||||||||
 | HSM835J/TR13 | 2.0100 | | 5825 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | HSM835 | Schottky | DO-214AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 35 V | 620 MV @ 8 A | 250 µA @ 35 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 8A | - | |||||||||||||||||
 | Apt30d30bctg | 5.1200 | | 87 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Apt30 | Estándar | To-247 [b] | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 300 V | 30A | 1.4 V @ 30 A | 25 ns | 250 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||
 | Jan1n6340us/tr | 16.0800 | | 4270 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | 150-ENERO1N6340US/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 36 V | 47 V | 75 ohmios |
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