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Productos de semiconductoros discretos (41164)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Resistencia - RDS (ON) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
JANTX1N649UR-1/TR Microchip Technology Jantx1n649ur-1/tr -
RFQ
 ECAD 1723 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/240 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-213AA DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantX1N649UR-1/TR EAR99 8541.10.0070 1 1 V @ 400 Ma 50 na @ 600 V
JANTX1N4625C-1/TR Microchip Technology Jantx1n4625c-1/tr 9.1770
RFQ
 ECAD 3198 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantX1N4625C-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 5 µA @ 3 V 5.1 V 1500 ohmios
JAN1N4975CUS/TR Microchip Technology Jan1n4975cus/tr 21.0273
RFQ
 ECAD 3430 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/356 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie SQ-Melf, E 5 W D-5B - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-Enero1n4975cus/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µA @ 38.8 V 51 V 27 ohmios
JANS2N918UB Microchip Technology Jans2n918ub 220.1112
RFQ
 ECAD 4902 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/301 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo 200 MW UB - Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 15 V 50 Ma 1 µA (ICBO) NPN 400mv @ 1 mapa, 10 ma 20 @ 3mA, 1V -
1N4683UR-1/TR Microchip Technology 1N4683UR-1/TR 5.2400
RFQ
 ECAD 2825 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AA 500 MW DO-213AA - EAR99 8541.10.0050 186 1.5 V @ 100 Ma 800 na @ 1 V 3 V
JANTX1N5712UBCA Microchip Technology Jantx1n5712ubca 103.7700
RFQ
 ECAD 9149 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/444 Una granela Activo Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Schottky UB - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 16 V 1 V @ 35 Ma 150 na @ 16 V -65 ° C ~ 150 ° C 2pf @ 0V, 1 MHz
1N5081 Microchip Technology 1N5081 23.4000
RFQ
 ECAD 2168 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Axial 3 W Axial - Alcanzar sin afectado 150-1N5081 EAR99 8541.10.0050 1 1 µA @ 30.4 V 40 V 27 ohmios
S50310TS Microchip Technology S50310TS 158.8200
RFQ
 ECAD 8468 0.00000000 Tecnología de Microchip * Una granela Activo - Alcanzar sin afectado 150-S50310TS 1
2N2919U Microchip Technology 2N2919U 48.6647
RFQ
 ECAD 9473 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo 2N2919 350MW 3-SMD - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 60V 30mera 10 µA (ICBO) 2 NPN (dual) 300mV @ 100 µA, 1 mA 150 @ 1 MMA, 5V -
MSR2N2222AUBC/TR Microchip Technology MSR2N2222AUBC/TR 249.9203
RFQ
 ECAD 4205 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/255 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo 500 MW UBC - Alcanzar sin afectado 150-MSR2N2222AUBC/TR 100 50 V 800 Ma 50NA NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 150mA, 10V -
R36100 Microchip Technology R36100 33.6000
RFQ
 ECAD 2529 0.00000000 Tecnología de Microchip R36 Una granela Activo Montaje Do-203ab, do-5, semental R36100 Estándar DO-203AB (DO-5) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.25 V @ 200 A 25 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 200 ° C 70a -
1N5926PE3/TR8 Microchip Technology 1N5926PE3/TR8 0.9150
RFQ
 ECAD 4957 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N5926 1.5 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 8.4 V 11 V 5.5 ohmios
1N5924CE3/TR13 Microchip Technology 1N5924CE3/TR13 -
RFQ
 ECAD 1551 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N5924 1.5 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 7 V 9.1 V 4 ohmios
1N5922C Microchip Technology 1N5922C 6.0300
RFQ
 ECAD 4231 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do041, axial 1N5922 1.25 W Do-41 descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 6 V 7.5 V 3 ohmios
JANS1N6343D Microchip Technology Jans1n6343d 350.3400
RFQ
 ECAD 8325 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - Alcanzar sin afectado 150-jans1n6343d EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 50 na @ 47 V 62 V 125 ohmios
SMBJ5918B/TR13 Microchip Technology SMBJ5918B/TR13 1.5600
RFQ
 ECAD 1654 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB SMBJ5918 2 W SMBJ (DO-214AA) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 2 V 5.1 V 4 ohmios
1PMT5927A/TR7 Microchip Technology 1 PMT5927A/TR7 2.2200
RFQ
 ECAD 4146 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-216AA 1PMT5927 3 W DO-216AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 9.1 V 12 V 6.5 ohmios
1N6003C Microchip Technology 1N6003C 4.4400
RFQ
 ECAD 8180 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N6003 500 MW Do-35 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 9.9 V 13 V 25 ohmios
JANTX1N5538BUR-1 Microchip Technology Jantx1n5538bur-1 14.7600
RFQ
 ECAD 5847 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/437 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 1N5538 500 MW DO-213AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 16.2 V 18 V 100 ohmios
CDLL5253A/TR Microchip Technology CDLL5253A/TR 2.7132
RFQ
 ECAD 3490 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Do-213ab, melf 10 MW DO-213AB descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-CDLL5253A/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 19 V 25 V 35 ohmios
1N4370AUR-1/TR Microchip Technology 1N4370AUR-1/TR 6.1600
RFQ
 ECAD 7843 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AA 400 MW DO-213AA - EAR99 8541.10.0050 159 1.1 V @ 200 Ma 100 µA @ 1 V 2.4 V 30 ohmios
1N1365 Microchip Technology 1N1365 44.3850
RFQ
 ECAD 9381 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 10% - Montaje DO-203AA, DO-4, semento 1N136 10 W DO-203AA (DO-4) - Alcanzar sin afectado 150-1N1365 EAR99 8541.10.0050 1 39 V 5 ohmios
JAN1N5969 Microchip Technology Jan1n5969 -
RFQ
 ECAD 3942 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/356 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero E, axial 5 W E, axial - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 1 ma @ 4.74 V 6.2 V 1 ohmios
2N4091UB Microchip Technology 2N4091ub 47.6539
RFQ
 ECAD 1416 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo 2N4091 360 MW 3-UB (3.09x2.45) - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 N-canal 40 V 16pf @ 20V 40 V 30 Ma @ 20 V 30 ohmios
1N5955D Microchip Technology 1N5955D 7.5450
RFQ
 ECAD 2828 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do041, axial 1N5955 1.25 W Do-41 descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 136.8 V 180 V 900 ohmios
2N6248 Microchip Technology 2N6248 65.3100
RFQ
 ECAD 4956 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-204AA, TO-3 125 W TO-204AD (TO-3) - Alcanzar sin afectado 150-2n6248 EAR99 8541.29.0095 1 100 V 15 A - PNP 1.3V @ 500 µA, 5 mA - -
CDLL4736A Microchip Technology CDLL4736A 3.4650
RFQ
 ECAD 8127 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Do-213ab, melf CDLL4736 DO-213AB descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 3 µA @ 4 V 6.8 V 3.5 ohmios
JAN1N5529CUR-1 Microchip Technology Jan1N5529Cur-1 37.0200
RFQ
 ECAD 4489 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/437 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 1N5529 500 MW DO-213AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 8.2 V 9.1 V 45 ohmios
JANS1N6314DUS/TR Microchip Technology Jans1n6314dus/tr 412.3050
RFQ
 ECAD 1051 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/533 Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, B 500 MW B, SQ-Melf - 150-jans1n6314dus/tr EAR99 8541.10.0050 50 1.4 v @ 1 a 2 µA @ 1 V 3.9 V 23 ohmios
MX2N4858UB Microchip Technology Mx2n4858ub 68.7743
RFQ
 ECAD 7152 0.00000000 Tecnología de Microchip * Una granela Activo 2N4858 - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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