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Productos de semiconductoros discretos (41164)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Actual: Fuga Inversa @ VR	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
1 PMT4108CE3/TR13	-	RFQ	8076	Tecnología de Microchip	PowerMite®	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt4108	1 W	DO-216	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	12,000	1.1 V @ 200 Ma	50 na @ 10.65 V	14 V	200 ohmios
1 PMT4114/TR13	0.9600	RFQ	3414	Tecnología de Microchip	PowerMite®	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt4114	1 W	DO-216	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	12,000	1.1 V @ 200 Ma	10 na @ 15.2 V	20 V	150 ohmios
1 PMT4118E3/TR7	0.4950	RFQ	1856	Tecnología de Microchip	PowerMite®	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt4118	1 W	DO-216	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	3.000	1.1 V @ 200 Ma	10 na @ 20.45 V	27 V	150 ohmios
CDLL5251B	2.8650	RFQ	5876	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL5251	10 MW	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 Ma	100 na @ 17 V	22 V	29 ohmios
CDLL5252A	2.8650	RFQ	3852	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL5252	10 MW	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 Ma	100 na @ 18 V	24 V	33 ohmios
CDLL5526A	6.4800	RFQ	3074	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL5526	500 MW	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 Ma	1 µA @ 5.5 V	6.8 V	30 ohmios
Jantx1n4976us	9.6150	RFQ	9725	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	SQ-Melf, E	1N4976	5 W	D-5B	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 v @ 1 a	2 µA @ 42.6 V	56 V	35 ohmios
1N6637	-	RFQ	2601	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Descontinuado en sic	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	E, axial	1N6637	5 W	E, axial	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.5 v @ 1 a	5 µA @ 1 V	5.1 V	400 ohmios
1N707A	1.9200	RFQ	1376	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N707	250 MW	Do-35	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1		5 µA @ 7.1 V	7.1 V	10 ohmios
1N714	2.7150	RFQ	7193	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N714	250 MW	Do-35	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1			10 V	8 ohmios
1N755A-1	2.1600	RFQ	1202	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N755	500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 Ma	2 µA @ 5 V	7.5 V	4 ohmios
1 PMT4132/TR13	0.9600	RFQ	2990	Tecnología de Microchip	PowerMite®	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt4132	1 W	DO-216	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	12,000	1.1 V @ 200 Ma	10 na @ 62.32 V	82 V	250 ohmios
1 PMT4626CE3/TR13	0.3750	RFQ	3321	Tecnología de Microchip	PowerMite®	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt4626	1 W	DO-216	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	12,000	1.1 V @ 200 Ma	10 µA @ 4 V	5.6 V	1400 ohmios
CDLL4740	3.4650	RFQ	2412	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL4740		DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.2 v @ 200 ma	3 µA @ 7.6 V	10 V	7 ohmios
CDLL4708	3.3000	RFQ	3998	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL4708	500 MW	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 Ma	10 na @ 16.7 V	22 V
CDLL4622	3.7500	RFQ	4983	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA	CDLL4622	500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 Ma	2.5 µA @ 2 V	3.9 V	1650 ohmios
CDLL4732	2.4450	RFQ	8398	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL4732		DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.2 v @ 200 ma	10 µA @ 1 V	4.7 V	8 ohmios
CDLL4734A	3.8250	RFQ	2315	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL4734		DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.2 v @ 200 ma	5 µA @ 2 V	5.6 V	5 ohmios
CDLL4678	3.3000	RFQ	9071	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA	CDLL4678	500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 Ma	7.5 µA @ 1 V	1.8 V
CDLL4680	3.3000	RFQ	8301	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA	CDLL4680	500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 Ma	4 µA @ 1 V	2.2 V
CDLL5234B	4.7700	RFQ	5363	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL5234	10 MW	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 Ma	5 µA @ 4 V	6.2 V	7 ohmios
Jantx1n4101dur-1	28.5450	RFQ	6761	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4101	500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 Ma	500 na @ 6.3 V	8.2 V	200 ohmios
Jan1n4103-1	4.1400	RFQ	5331	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4103		DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 Ma	500 na @ 7 V	9.1 V	200 ohmios
Jan1n4495dus	33.4500	RFQ	1640	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Sq-melf, un	1N4495	1.5 W	D-5A	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1 V @ 200 Ma	250 na @ 144 V	180 V	1300 ohmios
Jantxv1n4570aur-1	8.9100	RFQ	1104	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/452	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4570	500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1		2 µA @ 3 V	6.4 V	100 ohmios
Jantxv1n4372dur-1	-	RFQ	1477	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Descontinuado en sic	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 Ma	30 µA @ 1 V	3 V	29 ohmios
Jantx1n3043cur-1	37.3500	RFQ	8950	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	1N3043	1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.2 v @ 200 ma	10 µA @ 69.2 V	91 V	250 ohmios
Jan1n4110cur-1	14.5650	RFQ	6478	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4110		DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 Ma	50 na @ 12.2 V	16 V	100 ohmios
Jantxv1n4115-1	9.0450	RFQ	8285	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4115	500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 Ma	10 na @ 16.8 V	22 V	150 ohmios
Jan1n4115c-1	10.5000	RFQ	2302	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4115		DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 Ma	10 na @ 16.8 V	22 V	150 ohmios