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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SMBJ5925B/TR13 | 1.5600 | ![]() | 8627 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ5925 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 8 V | 10 V | 4.5 ohmios | |||||||||||
![]() | Jan1N3040B-1/TR | 8.3524 | ![]() | 2357 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N3040B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 51.7 V | 68 V | 150 ohmios | ||||||||||||
![]() | 1N6660D | 183.2850 | ![]() | 8216 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Un 254-3, un 254AA | 1N6660 | Schottky | Un 254AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N6660D | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 45 V | 15A | 750 MV @ 15 A | 1 ma @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | 1N5809urs/TR | 34.3200 | ![]() | 7656 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | Estándar | B, SQ-Melf | - | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 875 MV @ 4 A | 30 ns | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | 60pf @ 10V, 1 MHz | |||||||||||||||
![]() | CD3A20 | 9.1500 | ![]() | 1292 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Morir | Schottky | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD3A20 | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 550 MV @ 3 A | 100 µA @ 20 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 3A | - | |||||||||||
![]() | Jan1n5807/tr | 6.7800 | ![]() | 5853 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/477 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | B, axial | Estándar | B, axial | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1N5807/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 875 MV @ 4 A | 30 ns | 5 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 6A | 60pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | S4250 | 102.2400 | ![]() | 4934 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AA, DO-8, Semento | Estándar | DO-205AA (DO-8) | - | Alcanzar sin afectado | 150-S4250 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 1.2 v @ 200 a | 50 µA @ 500 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 125a | - | ||||||||||||
![]() | Jans1n4477us/tr | 92.0400 | ![]() | 4176 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | - | 150-jans1n4477us/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 v @ 1 a | 50 na @ 26.4 V | 33 V | 25 ohmios | ||||||||||||||
![]() | 1N2432 | 102.2400 | ![]() | 4093 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AA, DO-8, Semento | Estándar | DO-205AA (DO-8) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N2432 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 350 V | 1.2 v @ 200 a | 50 µA @ 350 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 100A | - | ||||||||||||
![]() | 1N4371A | 2.6550 | ![]() | 8894 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4371 | 500 MW | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1N4371ams | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 75 µA @ 1 V | 2.7 V | 30 ohmios | ||||||||||
![]() | 1N6076US/TR | 23.5500 | ![]() | 4809 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | Estándar | E-Mada | - | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.76 V @ 18.8 A | 30 ns | 5 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 155 ° C | 1.3a | - | |||||||||||||||
![]() | 1N3666 | 41.6850 | ![]() | 8520 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Axial | Estándar | Axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N3666 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 80 V | 1 V @ 200 Ma | 300 ns | 25 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 85 ° C | 500mA | - | |||||||||||
![]() | 1N1125ar | 38.3850 | ![]() | 3057 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 1N1125 | Polaridad Inversa Estándar | DO-4 (DO-203AA) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.2 V @ 30 A | 10 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 12A | - | |||||||||||
![]() | Jantx1n6942utk3as/tr | 506.3700 | ![]() | 3462 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/726 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Thinkey ™ 3 | Schottky, Polaridad Inversa | Thinkey ™ 3 | - | Alcanzar sin afectado | 150-Jantx1n6942utk3as/tr | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 460 MV @ 50 A | 5 Ma @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 150a | 7000PF @ 5V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | UES1003SM/TR | 24.3450 | ![]() | 9066 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-US1003SM/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | S2125 | 33.4500 | ![]() | 8554 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-S2125 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL5225D/TR | 8.5950 | ![]() | 9619 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5225D/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 110 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 µA @ 1 V | 3 V | 29 ohmios | |||||||||||||
![]() | Jan1n3070ur-1 | - | ![]() | 9520 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA | Estándar | DO-213AA | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 175 V | 1 V @ 100 Ma | -65 ° C ~ 175 ° C | 100mA | - | |||||||||||||
![]() | 1N5811urs/TR | 34.3200 | ![]() | 3528 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | Estándar | B, SQ-Melf | - | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 875 MV @ 4 A | 30 ns | 5 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | 60pf @ 10V, 1 MHz | |||||||||||||||
1N483B/TR | 5.7855 | ![]() | 2008 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/118 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N483B/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 70 V | 1 V @ 100 Ma | 25 na @ 70 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 200 MMA | - | ||||||||||||
![]() | 1N1612R | 38.3850 | ![]() | 1818 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | Estándar | DO-4 (DO-203AA) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N1612R | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.3 V @ 30 A | 10 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 7A | - | ||||||||||||
![]() | 1N4715ur-1/TR | 5.2400 | ![]() | 2354 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 186 | 1.5 V @ 100 Ma | 10 na @ 27.3 V | 36 V | ||||||||||||||||
![]() | Jan1n4977us/tr | 9.3600 | ![]() | 1131 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | 150-ENERO1N4977US/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 47.1 V | 62 V | 42 ohmios | ||||||||||||||
1N4469U/TR | 10.3341 | ![]() | 8989 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | A, SQ-Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4469U/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 50 na @ 12 V | 15 V | 9 ohmios | |||||||||||||
![]() | R3711 | 49.0050 | ![]() | 3946 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-R3711 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5920P/TR8 | 1.8600 | ![]() | 1757 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5920 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 4 V | 6.2 V | 2 ohmios | |||||||||||
Janhca1n5540d | - | ![]() | 2186 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N5540D | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 18 V | 20 V | 100 ohmios | ||||||||||||||
![]() | CD4454 | 1.2635 | ![]() | 9517 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Morir | Estándar | Morir | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD4454 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 50 V | 1 V @ 10 Ma | 4 ns | 100 na @ 50 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 200 MMA | - | ||||||||||
Jantx1n4371c-1/tr | 10.5602 | ![]() | 7491 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N4371C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 60 µA @ 1 V | 2.7 V | 30 ohmios | |||||||||||||
Jans1n4995dus | - | ![]() | 7532 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 5 W | D-5B | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 274 V | 360 V | 1400 ohmios |
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