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Productos de semiconductoros discretos (41164)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Voltaje - Estado Fuera Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Tipo scr Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) Corriente del Regulador (Max) Voltaje - Limitante (Max)
JANTX1N6339CUS Microchip Technology Jantx1n6339cus 39.7950
RFQ
 ECAD 1644 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, B 500 MW B, SQ-Melf - Alcanzar sin afectado 150-Jantx1n6339cus EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 50 na @ 33 V 43 V 65 ohmios
CD5711 Microchip Technology CD5711 0.9600
RFQ
 ECAD 7699 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje en superficie Morir Schottky Morir descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0040 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 50 V 1 V @ 15 Ma 200 na @ 50 V -55 ° C ~ 125 ° C 15 Ma 2pf @ 0V, 1 MHz
1N4108UR/TR Microchip Technology 1N4108UR/TR 3.5245
RFQ
 ECAD 8587 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 500 MW DO-213AA descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-1N4108UR/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 50 na @ 10.65 V 14 V 200 ohmios
JAN1N4370D-1 Microchip Technology Jan1n4370d-1 9.3450
RFQ
 ECAD 1158 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/127 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N4370 DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 100 µA @ 1 V 2.4 V 30 ohmios
1N6029A Microchip Technology 1N6029A 2.5950
RFQ
 ECAD 5363 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N6029 500 MW Do-35 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 99 V 160 V 2000 ohmios
1N704A Microchip Technology 1N704A 1.0500
RFQ
 ECAD 7041 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% - A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N704 250 MW Do-35 - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 5 µA @ 4.1 V 4.1 V 45 ohmios
JANTXV2N3500U4/TR Microchip Technology Jantxv2n3500u4/tr -
RFQ
 ECAD 2639 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo 1 W U4 - Alcanzar sin afectado 150-JantXV2N3500U4/TR 50 150 V 300 mA 50NA (ICBO) NPN 400mv @ 15 mA, 150 mA 40 @ 150mA, 10V -
1N3172R Microchip Technology 1N3172R 216.8850
RFQ
 ECAD 1524 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje DO-205AB, DO-9, Semento 1N3172 Estándar DO-205AB (DO-9) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N3172RMS EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.55 V @ 940 A 10 Ma @ 800 V -65 ° C ~ 200 ° C 300A -
2N3250AUB/TR Microchip Technology 2N3250AUB/TR 32.9100
RFQ
 ECAD 2775 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo 360 MW UB - 100 60 V 200 MA 20NA PNP 500mV @ 5 mm, 50 Ma 50 @ 10mA, 1V -
CDLL4106D/TR Microchip Technology CDLL4106D/TR 11.5650
RFQ
 ECAD 4868 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AA 500 MW DO-213AA - Alcanzar sin afectado 150-CDLL4106D/TR EAR99 8541.10.0050 100 1.1 V @ 200 Ma 50 na @ 9.12 V 12 V 200 ohmios
1N5348/TR12 Microchip Technology 1N5348/TR12 2.6250
RFQ
 ECAD 8137 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero T-18, axial 1N5348 5 W T-18 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 1 a 5 µA @ 8 V 11 V 2.5 ohmios
JANTX1N4467/TR Microchip Technology Jantx1n4467/tr 6.2111
RFQ
 ECAD 9129 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/406 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1.5 W Do-41 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantX1N4467/TR EAR99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 Ma 200 na @ 9.6 V 12 V 7 ohmios
1N3673 Microchip Technology 1N3673 34.7100
RFQ
 ECAD 5953 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje DO-203AA, DO-4, semento 1N3673 Estándar DO-4 (DO-203AA) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.2 V @ 30 A 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 200 ° C 22A -
JANTX2N2324 Microchip Technology Jantx2n2324 -
RFQ
 ECAD 6499 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/276 Una granela Obsoleto -65 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN A-5 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1 2 MA 100 V 800 MV - 200 µA 220 Ma Puerta sensible
1N4971US/TR Microchip Technology 1N4971us/TR 8.3125
RFQ
 ECAD 1975 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie SQ-Melf, E 5 W D-5B - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-1n4971us/tr EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µA @ 27.4 V 36 V 11 ohmios
1N4627-1 Microchip Technology 1N4627-1 2.6250
RFQ
 ECAD 8226 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AA, do-7, axial 1N4627 500 MW Do-7 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 1 µA @ 5.7 V 6.2 V 1200 ohmios
1N4575 Microchip Technology 1N4575 4.0650
RFQ
 ECAD 2054 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AA, do-7, axial 500 MW Do-7 descascar Alcanzar sin afectado 150-1N4575 EAR99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 6.4 V 50 ohmios
APT50GS60BRDQ2G Microchip Technology APT50GS60BRDQ2G 13.1000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Tecnología de Microchip Thunderbolt IGBT® Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Apt50gs60 Estándar 415 W To-247 [b] descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 40A, 4.7ohm, 15V 25 ns Escrutinio 600 V 93 A 195 A 3.15V @ 15V, 50A 755 µJ (apaguado) 235 NC 16ns/225ns
JANTXV1N6343US/TR Microchip Technology Jantxv1n6343us/tr 19.9234
RFQ
 ECAD 6572 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie SQ-Melf, B 500 MW B, SQ-Melf descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-jantxv1n6343us/tr EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 50 na @ 47 V 62 V 125 ohmios
MSCDC150KK170D1PAG Microchip Technology MSCDC150KK170D1PAG 365.1600
RFQ
 ECAD 8220 0.00000000 Tecnología de Microchip - Caja Activo Monte del Chasis Módulo MSCDC150 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY D1P descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 150-MSCDC150KK170D1PAG EAR99 8541.10.0080 1 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1 par Cátodo Común 1700 V 150a 1.8 V @ 150 A 0 ns 600 µA @ 1700 V -40 ° C ~ 175 ° C
JANTXV1N4616UR-1 Microchip Technology Jantxv1n4616ur-1 11.9400
RFQ
 ECAD 9135 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 1N4616 500 MW DO-213AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 2 µA @ 1 V 2.2 V 1300 ohmios
JANTX1N4574AUR-1/TR Microchip Technology Jantx1n4574aur-1/tr 35.7000
RFQ
 ECAD 7917 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/452 Tape & Reel (TR) Activo - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA 500 MW DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-Jantx1n4574aur-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 100 ohmios
1N5523A Microchip Technology 1N5523A 1.8150
RFQ
 ECAD 2660 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - Alcanzar sin afectado 150-1N5523A EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 2 µA @ 2 V 5.1 V
JANTX1N4482US/TR Microchip Technology Jantx1n4482us/tr 12.8611
RFQ
 ECAD 9204 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/406 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Sq-melf, un 1.5 W D-5A - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantX1N4482US/TR EAR99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 Ma 50 na @ 40.8 V 51 V 60 ohmios
CDLL4568AE3/TR Microchip Technology CDLL4568AE3/TR 14.4750
RFQ
 ECAD 9808 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo - -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie DO-213AA 500 MW DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-CDLL4568AE3/TR EAR99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 200 ohmios
UES2602R Microchip Technology UES2602R 78.9000
RFQ
 ECAD 2077 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo A Través del Aguetero TO-204AA, TO-3 UES2602 Polaridad Inversa Estándar TO-204AD (TO-3) descascar Rohs no conforme No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 930 MV @ 15 A 35 ns 20 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C 30A -
1N5295-1/TR Microchip Technology 1N5295-1/TR 18.7950
RFQ
 ECAD 6547 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - A Través del Aguetero Do-204AA, do-7, axial 1N5295 500MW Do-7 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-1N5295-1/TR EAR99 8541.10.0070 1 100V 902 µA 1.25V
1N6002A Microchip Technology 1N6002A 1.9950
RFQ
 ECAD 4729 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N6002 500 MW Do-35 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 8 V 12 V 32 ohmios
21FQ035 Microchip Technology 21FQ035 54.5550
RFQ
 ECAD 6564 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje DO-203AA, DO-4, semento Schottky DO-4 (DO-203AA) - Alcanzar sin afectado 150-21FQ035 EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 35 V 630 MV @ 30 A 1.5 Ma @ 35 V -55 ° C ~ 175 ° C 30A -
1N5993/TR Microchip Technology 1N5993/TR 3.5850
RFQ
 ECAD 8376 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 20% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - Alcanzar sin afectado 150-1N5993/TR EAR99 8541.10.0050 264 1.1 V @ 200 Ma 5 µA @ 1 V 5.1 V 88 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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