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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) | Corriente del Regulador (Max) | Voltaje - Limitante (Max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CD5338B | 5.0673 | ![]() | 8460 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | Morir | 5 W | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD5338B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 1 µA @ 1 V | 5.1 V | 1.5 ohmios | |||||||||||||||||||||||
Jans1n4954c | 359.7600 | ![]() | 3255 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | E, axial | 5 W | E, axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4954c | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 150 µA @ 5.2 V | 6.8 V | 1 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Janhca1n978d | - | ![]() | 9475 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | - | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N978D | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 38.8 V | 51 V | 125 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N2238 | 44.1600 | ![]() | 8289 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | Estándar | DO-4 (DO-203AA) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N2238 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 30 A | 10 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 5A | - | |||||||||||||||||||||||
Jans1n4112d-1/tr | 94.7000 | ![]() | 6361 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jans1n4112d-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 13.7 V | 18 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n4476us/tr | 17.7750 | ![]() | 7964 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | - | 150-jantxv1n4476us/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 50 na @ 24 V | 30 V | 20 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL823A/TR | 4.9500 | ![]() | 8277 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 4.83% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL823A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
2N757A | 30.5700 | ![]() | 4513 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 500 MW | TO-18 (TO-206AA) | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N757A | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 100 mA | - | PNP | - | - | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | ST6040A | 78.9000 | ![]() | 3443 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | ST60 | Estándar | TO-204AA (TO-3) | - | Alcanzar sin afectado | 150 ST6040A | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 400 V | 20A | 1 V @ 30 A | 10 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5272BUR | 3.5850 | ![]() | 4150 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-1n5272bur | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 84 V | 110 V | 750 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL990B | 8.1150 | ![]() | 6868 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | CDLL990 | 500 MW | DO-213AA | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 160 V | 1700 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5945Bur-1/TR | 4.6800 | ![]() | 3658 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1.25 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 209 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 51.2 V | 68 V | 120 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6017ur/TR | 3.7350 | ![]() | 7101 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | 150-1N6017ur/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 264 | 1.1 V @ 200 Ma | 51 V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n3035Cur-1 | 32.5950 | ![]() | 7564 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N3035 | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 32.7 V | 43 V | 70 ohmios | ||||||||||||||||||||||
![]() | Jansh2n2221aub/tr | 165.5408 | ![]() | 6209 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/255 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 500 MW | UB | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANSH2N2221AUB/TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 V | 800 Ma | 50NA | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 40 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | Janhca1n5304 | - | ![]() | 4067 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500MW | Do-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N5304 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.98mA | 1.75V | ||||||||||||||||||||||||
1N5527D | 14.4450 | ![]() | 6543 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5527D | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 6.8 V | 7.5 V | 35 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Apt60d60bg | 3.2900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | Apt60d60 | Estándar | To-247 [b] | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.8 V @ 60 A | 130 ns | 250 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 60A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N6544/TR | 11.9400 | ![]() | 7375 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N6544/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
CDLL4759A | 3.4650 | ![]() | 8573 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL4759 | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 100 na @ 47.1 V | 62 V | 125 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
Jantx1n5541b-1 | - | ![]() | 5294 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Descontinuado en sic | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 19.8 V | 22 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n4955dus | 33.0450 | ![]() | 7822 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n4955dus | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 100 µA @ 5.7 V | 7.5 V | 1.5 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
Jantxv1n976d-1 | 11.1450 | ![]() | 9728 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N976 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 33 V | 43 V | 93 ohmios | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4475US | 11.3550 | ![]() | 5310 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1N4475 | 1.5 W | A, SQ-Melf | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 1N4475 USMS | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 50 na @ 21.6 V | 27 V | 18 ohmios | ||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL4731C | 5.2950 | ![]() | 1051 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4731C | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 1 V | 4.3 V | 9 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
Jantxv1n4123d-1/tr | 25.8153 | ![]() | 8450 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N4123D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 29.7 V | 39 V | 200 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SMAJ4752CE3/TR13 | 0.6450 | ![]() | 3263 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Smaj4752 | 2 W | DO-214AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 25.1 V | 33 V | 45 ohmios | ||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n4107ur-1 | 11.8350 | ![]() | 4678 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4107 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 9.9 V | 13 V | 200 ohmios | ||||||||||||||||||||||
![]() | CD6761 | 14.1600 | ![]() | 1622 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/586 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Morir | Schottky | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD6761 | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 750 MV @ 1 A | 100 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | Jansp2n2906aub | 148.2202 | ![]() | 9783 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/291 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 500 MW | UB | - | Alcanzar sin afectado | 150-JANSP2N2906AUB | 1 | 60 V | 600 mA | 50NA | PNP | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 150mA, 10V | - |
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