SIC
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Productos de semiconductoros discretos (41164)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) Corriente del Regulador (Max) Voltaje - Limitante (Max)
CDLL935/TR Microchip Technology CDLL935/TR 4.2600
RFQ
 ECAD 8598 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 0 ° C ~ 75 ° C Montaje en superficie DO-213AA 500 MW DO-213AA descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-CDLL935/TR EAR99 8541.10.0050 1 9 V 20 ohmios
JAN1N4626-1 Microchip Technology Jan1N4626-1 -
RFQ
 ECAD 7997 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Una granela Descontinuado en sic ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 5 µA @ 4 V 5.6 V 1400 ohmios
1PMT5934CE3/TR7 Microchip Technology 1 PMT5934CE3/TR7 0.7350
RFQ
 ECAD 9967 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-216AA 1pmt5934 3 W DO-216AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 18.2 V 24 V 19 ohmios
MSASC75W100FV Microchip Technology MSASC75W100FV -
RFQ
 ECAD 2500 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje en superficie Thinkey ™ 4 Schottky Thinkey ™ 4 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 920 MV @ 75 A 500 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C 75a -
1N6024UR-1/TR Microchip Technology 1N6024UR-1/TR 3.7400
RFQ
 ECAD 9963 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo - -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AA 500 MW DO-213AA - EAR99 8541.10.0050 264 1.1 V @ 200 Ma 100 V
2N5090 Microchip Technology 2N5090 287.8650
RFQ
 ECAD 4688 0.00000000 Tecnología de Microchip * Una granela Activo - Alcanzar sin afectado 150-2N5090 1
CDLL5522D/TR Microchip Technology CDLL5522D/TR 16.3950
RFQ
 ECAD 8885 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AA 500 MW DO-213AA - Alcanzar sin afectado 150-CDLL5522D/TR EAR99 8541.10.0050 100 1.1 V @ 200 Ma 2 µA @ 2 V 4.7 V 22 ohmios
JANTX1N4957 Microchip Technology Jantx1n4957 7.2150
RFQ
 ECAD 5825 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/356 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero E, axial 1N4957 5 W descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 25 µA @ 6.9 V 9.1 V 2 ohmios
JANTXV1N4480/TR Microchip Technology Jantxv1n4480/tr 13.1250
RFQ
 ECAD 7759 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/406 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do041, axial 1.5 W Do-41 - Alcanzar sin afectado 150-jantxv1n4480/tr EAR99 8541.10.0050 119 1.5 v @ 1 a 50 na @ 34.4 V 43 V 40 ohmios
JANSD2N3439UA Microchip Technology Jansd2n3439ua -
RFQ
 ECAD 2668 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/368 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo 800 MW Ua - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-Jansd2n3439ua EAR99 8541.21.0095 1 350 V 1 A 2 µA NPN 500mv @ 4mA, 50 mA 40 @ 20MA, 10V -
1N5934B Microchip Technology 1N5934B 3.0300
RFQ
 ECAD 5342 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do041, axial 1N5934 1.25 W Do-41 descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N5934bms EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 18.2 V 24 V 19 ohmios
JAN1N5309UR-1 Microchip Technology Jan1n5309ur-1 25.2900
RFQ
 ECAD 6348 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/463 Una granela Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) 1N5309 500MW DO-213AB (Melf, LL41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1 100V 3.3MA 2.25V
1N5996UR/TR Microchip Technology 1N5996ur/TR 3.7350
RFQ
 ECAD 8139 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo - -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AA 500 MW DO-213AA - 150-1N5996UR/TR EAR99 8541.10.0050 264 1.1 V @ 200 Ma 6.8 V
1N5994D/TR Microchip Technology 1N5994D/TR 4.7747
RFQ
 ECAD 3192 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-1N5994D/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 2 µA @ 3 V 5.6 V 25 ohmios
JANTX1N6342DUS Microchip Technology Jantx1n6342dus 57.9000
RFQ
 ECAD 4794 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, B 500 MW B, SQ-Melf - Alcanzar sin afectado 150-Jantx1n6342dus EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 50 na @ 43 V 56 V 100 ohmios
JAN1N4128-1/TR Microchip Technology Jan1N4128-1/TR 3.7772
RFQ
 ECAD 4420 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-ENERO1N4128-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 45.6 V 60 V 400 ohmios
1N5525BUR-1/TR Microchip Technology 1N5525Bur-1/TR 5.9052
RFQ
 ECAD 2640 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AA 500 MW DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-1N5525Bur-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 1 µA @ 5 V 6.2 V 30 ohmios
JAN1N3017B-1 Microchip Technology Jan1n3017b-1 -
RFQ
 ECAD 4641 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/115 Una granela Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1 W Do-41 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 150 µA @ 5.2 V 7.5 V 4 ohmios
CDLL5277 Microchip Technology CDLL5277 3.5850
RFQ
 ECAD 8063 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 20% -65 ° C ~ 200 ° C Montaje en superficie DO-213AA DO-213AA - Alcanzar sin afectado 150-CDLL5277 EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 116 V 160 V 1700 ohmios
CDLL5270D/TR Microchip Technology CDLL5270D/TR 8.5950
RFQ
 ECAD 5644 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA 10 MW DO-213AA - Alcanzar sin afectado 150-CDLL5270D/TR EAR99 8541.10.0050 110 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 69 V 91 V 400 ohmios
1N4370AE3/TR Microchip Technology 1N4370AE3/TR 2.3807
RFQ
 ECAD 9689 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-1N4370AE3/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 100 µA @ 1 V 2.4 V 30 ohmios
SMBG5380A/TR13 Microchip Technology SMBG5380A/TR13 2.2200
RFQ
 ECAD 6112 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB SMBG5380 5 W SMBG (DO-215AA) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 1 a 500 na @ 86.4 V 120 V 170 ohmios
S34100 Microchip Technology S34100 39.0750
RFQ
 ECAD 4218 0.00000000 Tecnología de Microchip S34 Una granela Activo Montaje Do-203ab, do-5, semental S341 Estándar Do-5 descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.15 V @ 90 A 10 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 200 ° C 45a -
JANKCA1N5524C Microchip Technology Jankca1n5524c -
RFQ
 ECAD 7412 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/437 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - Alcanzar sin afectado 150-jankca1n5524c EAR99 8541.10.0050 100 1.1 V @ 200 Ma 2 µA @ 3.5 V 5.6 V 30 ohmios
1N4046R Microchip Technology 1N4046R 158.8200
RFQ
 ECAD 5839 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje DO-205AB, DO-9, Semento Polaridad Inversa Estándar DO-205AB (DO-9) descascar Alcanzar sin afectado 150-1N4046R EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 150 V 1.3 V @ 300 A 75 µA @ 150 V -65 ° C ~ 190 ° C 275a -
JANTXV2N2432AUB/TR Microchip Technology Jantxv2n2432aub/tr -
RFQ
 ECAD 3878 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo 360 MW UB - Alcanzar sin afectado 150-jantxv2n2432aub/tr 100 45 V 100 mA 10NA NPN 150mv @ 500 µA, 10 mA 80 @ 1 MMA, 5V -
APTCV60HM45RCT3G Microchip Technology Aptcv60hm45rct3g 127.5414
RFQ
 ECAD 8151 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Sp3 APTCV60 250 W Rectificador de Puente de Una Sola Fase Sp3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Inversor de puente entero Parada de Campo de Trinchera 600 V 50 A 1.9V @ 15V, 50A 250 µA Si 3.15 NF @ 25 V
CDLL5227/TR Microchip Technology CDLL5227/TR 2.7132
RFQ
 ECAD 7344 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 20% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Do-213ab, melf 10 MW DO-213AB descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-CDLL5227/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 15 µA @ 1 V 3.6 V 24 ohmios
MSCSM120AM16T1AG Microchip Technology MSCSM120am16t1ag 181.2600
RFQ
 ECAD 1333 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo MSCSM120 CARBURO DE SILICIO (SIC) 745W (TC) - descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 150-mscsm120am16t1ag EAR99 8541.29.0095 1 2 N Canal (Pierna de Fase) 1200V (1.2kv) 173A (TC) 16mohm @ 80a, 20V 2.8V @ 6MA 464nc @ 20V 6040pf @ 1000V -
1N4051R Microchip Technology 1N4051R 158.8200
RFQ
 ECAD 9218 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje DO-205AB, DO-9, Semento Polaridad Inversa Estándar DO-205AB (DO-9) descascar Alcanzar sin afectado 150-1N4051R EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 500 V 1.3 V @ 300 A 75 µA @ 500 V -65 ° C ~ 190 ° C 275a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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