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Productos de semiconductoros discretos (41164)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) Corriente del Regulador (Max) Voltaje - Limitante (Max)
JANTX1N3016B-1/TR Microchip Technology Jantx1n3016b-1/tr 8.9908
RFQ
 ECAD 5957 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantX1N3016B-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 150 µA @ 5.2 V 6.8 V 3.5 ohmios
1N4736AP/TR8 Microchip Technology 1N4736AP/TR8 1.8900
RFQ
 ECAD 1799 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4736 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 4 V 6.8 V 3.5 ohmios
S43120 Microchip Technology S43120 57.8550
RFQ
 ECAD 7701 0.00000000 Tecnología de Microchip - Banda Activo Montaje DO-205AA, DO-8, Semento S43120 Estándar DO-205AA (DO-8) descascar Alcanzar sin afectado S43120MS EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.1 v @ 200 a 50 µA @ 1200 V -65 ° C ~ 200 ° C 150a -
UTR4320 Microchip Technology UTR4320 12.8400
RFQ
 ECAD 6479 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo A Través del Aguetero B, axial Estándar B, axial - Alcanzar sin afectado 150-UTR4320 EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.1 v @ 4 a 250 ns 5 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C 4A 320pf @ 0V, 1MHz
2N4449 Microchip Technology 2N4449 12.9010
RFQ
 ECAD 8022 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-206AB, TO-46-3 METAL CAN 2N4449 360 MW TO-46 (TO-206AB) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 20 V 400NA NPN 450mv @ 10 Ma, 100 Ma 20 @ 100 maja, 1v -
MSCSM70AM19T1AG Microchip Technology MSCSM70AM19T1AG 100.9200
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo MSCSM70 CARBURO DE SILICIO (SIC) 365W (TC) - descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 150-mscsm70am19t1ag EAR99 8541.29.0095 1 2 N Canal (Pierna de Fase) 700V 124a (TC) 19mohm @ 40a, 20V 2.4V @ 4MA 215nc @ 20V 4500pf @ 700V -
1N645UR-1 Microchip Technology 1N645ur-1 -
RFQ
 ECAD 5098 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-213AA Estándar DO-213AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 225 V 1 V @ 400 Ma 50 na @ 225 V -65 ° C ~ 175 ° C 400mA -
APTGF180A60TG Microchip Technology APTGF180A60TG -
RFQ
 ECAD 8231 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Obsoleto - Monte del Chasis Sp4 833 W Estándar Sp4 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 Medio puente Escrutinio 600 V 220 A 2.5V @ 15V, 180a 300 µA Si 8.6 NF @ 25 V
JAN1N4489CUS Microchip Technology Jan1n4489cus 27.6750
RFQ
 ECAD 2729 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/406 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Sq-melf, un 1N4489 1.5 W D-5A descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 Ma 250 na @ 80 V 100 V 250 ohmios
1N5937CE3/TR13 Microchip Technology 1N5937CE3/TR13 -
RFQ
 ECAD 3754 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N5937 1.5 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 25.1 V 33 V 33 ohmios
SMAJ5934E3/TR13 Microchip Technology Smaj5934e3/tr13 0.6450
RFQ
 ECAD 9480 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AC, SMA Smaj5934 3 W DO-214AC (SMAJ) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 18.2 V 24 V 19 ohmios
JANS1N5292UR-1/TR Microchip Technology Jans1n5292ur-1/tr 131.5650
RFQ
 ECAD 1037 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/463 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) 500MW DO-213AB (Melf, LL41) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-Jans1n5292ur-1/TR EAR99 8541.10.0070 1 100V 682 µA 1.13V
JANTX1N4946/TR Microchip Technology Jantx1n4946/tr 11.2650
RFQ
 ECAD 9023 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/359 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero A, axial Estándar A, axial descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantX1N4946/TR EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 V @ 1 A 250 ns 1 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
JANTX1N5196 Microchip Technology Jantx1n5196 -
RFQ
 ECAD 5125 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/118 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5196 Estándar Do-35 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 225 V 1 V @ 100 Ma 1 µA @ 250 V -65 ° C ~ 175 ° C 200 MMA -
CDLL4761/TR Microchip Technology CDLL4761/TR 3.2319
RFQ
 ECAD 6090 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Do-213ab, melf DO-213AB descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-CDLL4761/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 56 V 75 V 175 ohmios
2N2991 Microchip Technology 2N2991 27.6600
RFQ
 ECAD 8395 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN 5 W TO-5AA - Alcanzar sin afectado 150-2N2991 EAR99 8541.29.0095 1 80 V 1 A - NPN 3V @ 50 µA, 200 µA - -
HSM170GE3/TR13 Microchip Technology HSM170GE3/TR13 1.0650
RFQ
 ECAD 1913 0.00000000 Tecnología de Microchip * Tape & Reel (TR) Activo HSM170 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000
JANTXV1N4134D-1 Microchip Technology Jantxv1n4134d-1 28.9500
RFQ
 ECAD 8195 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N4134 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 69.2 V 91 V 1200 ohmios
2N6031 Microchip Technology 2N6031 129.5850
RFQ
 ECAD 5524 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo - A Través del Aguetero TO-204AA, TO-3 200 W TO-204AD (TO-3) - Alcanzar sin afectado 150-2N6031 EAR99 8541.29.0095 1 140 V 16 A - PNP - - -
1N6023UR-1 Microchip Technology 1N6023UR-1 3.5850
RFQ
 ECAD 8906 0.00000000 Tecnología de Microchip * Una granela Activo 1N6023 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1
JANS1N5809URS Microchip Technology Jans1n5809urs 147.4800
RFQ
 ECAD 4456 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/477 Una granela Activo Montaje en superficie SQ-Melf, B Estándar B, SQ-Melf - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 875 MV @ 4 A 30 ns -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
CDLL4901 Microchip Technology CDLL4901 29.7750
RFQ
 ECAD 2776 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA CDLL4901 500 MW DO-213AA descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 15 µA @ 8 V 12.8 V 200 ohmios
JANTX1N5518CUR-1/TR Microchip Technology Jantx1n5518cur-1/tr 32.3988
RFQ
 ECAD 6967 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/437 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 500 MW DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantX1N5518CUR-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 5 µA @ 1 V 3.3 V 26 ohmios
JANS1N4971 Microchip Technology Jans1n4971 80.1900
RFQ
 ECAD 7418 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/356 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero B, axial 5 W B, axial - Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µA @ 27.4 V 36 V 11 ohmios
JAN1N966BUR-1/TR Microchip Technology Jan1n966bur-1/TR 4.0831
RFQ
 ECAD 4556 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/117 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 500 MW DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-ENERO1N966BUR-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 500 na @ 12 V 16 V 17 ohmios
JANTXV1N6333CUS/TR Microchip Technology Jantxv1n6333cus/tr 57.2550
RFQ
 ECAD 5539 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/533 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, B 500 MW B, SQ-Melf - 150-jantxv1n6333cus/tr EAR99 8541.10.0050 100 1.4 v @ 1 a 50 na @ 18 V 24 V 24 ohmios
JANTX1N4496US Microchip Technology Jantx1n4496us 15.1950
RFQ
 ECAD 1698 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/406 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Sq-melf, un 1.5 W A, SQ-Melf - Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 250 na @ 160 V 200 V 1500 ohmios
JANTXV1N4582AUR-1 Microchip Technology Jantxv1n4582aur-1 14.1900
RFQ
 ECAD 5724 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/452 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 1N4582 500 MW DO-213AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 6.4 V 25 ohmios
1N5934CE3/TR13 Microchip Technology 1N5934CE3/TR13 -
RFQ
 ECAD 9581 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N5934 1.5 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 18.2 V 24 V 19 ohmios
JANTXV1N2820B Microchip Technology Jantxv1n2820b -
RFQ
 ECAD 2337 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/114 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A-204AD 1N2820 10 W TO-204AD (TO-3) - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 2 a 10 µA @ 18.2 V 24 V 2.6 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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