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Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N4570A/TR | 3.7800 |  | 6885 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N4570A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 250 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||
 | Jantx2n4236l | 40.5517 | | 9574 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/580 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | - | Alcanzar sin afectado | 150-JantX2N4236L | 1 | 80 V | 1 A | 1mera | PNP | 600mv @ 100 mm, 1a | 40 @ 100mA, 1V | - | ||||||||||||||||||
 | 1N4753AG/TR | 3.3300 | | 6541 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do041, axial | 1 W | Do-41 | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N4753AG/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 285 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 27.4 V | 36 V | 50 ohmios | ||||||||||||||||||
 | Jantxv1n4489c | 33.0000 | | 8091 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4489 | 1.5 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 250 na @ 80 V | 100 V | 250 ohmios | ||||||||||||||||
| Jankcc2n5339 | 38.7961 | | 1769 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/560 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 W | TO-205Ad (TO-39) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANKCC2N5339 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 5 A | 100 µA | NPN | 1.2V @ 500 Ma, 5a | 60 @ 2a, 2v | - | |||||||||||||||
| 1N5346BE3/TR12 | 2.6850 | | 5223 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5346 | 5 W | T-18 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 7.5 µA @ 6.6 V | 9.1 V | 2 ohmios | ||||||||||||||||
 | CD6489 | 2.1014 | | 1596 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | - | Montaje en superficie | Morir | Morir | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD6489 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
| 1N5273/TR | 3.2550 | | 5954 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5273/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 290 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 86 V | 120 V | 900 ohmios | ||||||||||||||||||
| 1N2061R | 158.8200 | | 6739 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AB, DO-9, Semento | Polaridad Inversa Estándar | DO-205AB (DO-9) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N2061R | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 300 A | 75 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 190 ° C | 275a | - | |||||||||||||||||
| 1N3511d | 6.2250 | | 2254 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | 1N3511 | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N3511d | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
| Janhca1n4123 | 13.2734 | | 3367 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N4123 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 29.65 V | 39 V | 200 ohmios | |||||||||||||||||
 | Jantx1n3023bur-1 | 14.5800 | | 6071 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N3023 | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 9.9 V | 13 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||
| 1N5919Be3/TR13 | - | | 3386 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5919 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 3 V | 5.6 V | 2 ohmios | ||||||||||||||||
| 1N5943APE3/TR12 | 0.9150 | | 7929 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5943 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 42.6 V | 56 V | 86 ohmios | ||||||||||||||||
| Jantxv1n4549b | - | | 4866 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/358 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 50 W | Do-5 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 150 µA @ 500 MV | 3.9 V | 0.16 ohmios | ||||||||||||||||||
 | Jan1n968dur-1/TR | 11.3848 | | 7237 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N968DUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 15 V | 20 V | 25 ohmios | |||||||||||||||||
| Jantxv1n6353us | - | | 4873 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 122 V | 151 V | 1200 ohmios | ||||||||||||||||||
 | 1N5949Bur-1 | 4.5300 | | 8627 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 1N5949 | 1.25 W | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 76 V | 100 V | 250 ohmios | ||||||||||||||||
| Jantx1n4107ur-1 | 8.0850 | | 7048 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4107 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 9.9 V | 13 V | 200 ohmios | ||||||||||||||||
| 1N5541D/TR | 5.8650 | | 5640 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5541D/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 161 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 19.8 V | 22 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||||
 | UPR60E3/TR13 | 2.6850 | | 1363 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-216AA | UPR60 | Estándar | Powermite | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 12,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.6 v @ 2 a | 30 ns | 1 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | - | ||||||||||||||
 | Jantx1n6348us | 18.0900 | | 3956 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 1N6348 | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 76 V | 100 V | 340 ohmios | ||||||||||||||||
 | Jan1n6638u/tr | 5.9584 | | 8922 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/578 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | Estándar | D-5B | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N6638U/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 1.1 V @ 200 Ma | 20 ns | 500 na @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 300mA | 2.5pf @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||||
| Jantxv1n6318cus/tr | 54.9900 | | 7133 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | 150-jantxv1n6318cus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 v @ 1 a | 5 µA @ 2.5 V | 5.6 V | 8 ohmios | |||||||||||||||||||
| Jantxv1n6320dus/tr | 68.7000 | | 4448 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | 150-jantxv1n6320dus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 v @ 1 a | 2 µA @ 4 V | 6.8 V | 3 ohmios | |||||||||||||||||||
| Jantx1n6309c | 31.8300 | | 2716 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N6309 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 100 µA @ 1 V | 2.4 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||
| 1N5932P/TR12 | 1.8600 | | 2970 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5932 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 15.2 V | 20 V | 14 ohmios | ||||||||||||||||
| 1N827AUR/TR | 10.4400 | | 8539 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 2 µA @ 3 V | 6.2 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||||||
| S50410TS | 158.8200 | | 7102 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-S50410TS | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Jantx1n4957us/tr | 9.7650 | | 7032 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | 150-JantX1N4957US/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 25 µA @ 6.9 V | 9.1 V | 2 ohmios |
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