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Productos de semiconductoros discretos (41164)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) Corriente del Regulador (Max) Voltaje - Limitante (Max)
JAN1N4104UR-1/TR Microchip Technology Jan1n4104ur-1/TR 5.1870
RFQ
 ECAD 1366 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-Enero1n4104ur-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 500 na @ 7.6 V 10 V 200 ohmios
JANTXV1N5296UR-1 Microchip Technology Jantxv1n5296ur-1 40.2450
RFQ
 ECAD 5802 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/463 Una granela Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) 1N5296 500MW DO-213AB (Melf, LL41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1 100V 1.001MA 1.29V
1N4740CE3/TR13 Microchip Technology 1N4740CE3/TR13 1.1700
RFQ
 ECAD 3533 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4740 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 7.6 V 10 V 7 ohmios
1N4992US Microchip Technology 1N4992US 16.3350
RFQ
 ECAD 9207 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/356 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, E 1N4992 5 W D-5B descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µA @ 206 V 270 V 800 ohmios
JAN1N1188 Microchip Technology Jan1n1188 58.1850
RFQ
 ECAD 5454 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/297 Una granela Activo Montaje Do-203ab, do-5, semental 1N1188 Estándar Do-5 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.4 V @ 110 A 10 µA @ 400 V -65 ° C ~ 175 ° C 35a -
681-6 Microchip Technology 681-6 280.3200
RFQ
 ECAD 2006 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Monte del Chasis Dakota del Norte 681-6 Estándar Dakota del Norte descascar Alcanzar sin afectado 150-681-6 EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 Independiente 600 V 15A 1.2 v @ 10 a 10 µA @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C
SMAJ4756CE3/TR13 Microchip Technology Smaj4756ce3/tr13 0.6450
RFQ
 ECAD 9531 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AC, SMA Smaj4756 2 W DO-214AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 35.8 V 47 V 80 ohmios
JANTXV1N6490DUS/TR Microchip Technology Jantxv1n6490dus/tr -
RFQ
 ECAD 6502 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/406 Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Sq-melf, un 1.5 W D-5A descascar 150-jantxv1n6490dus/tr EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 1 µA @ 1 V 5.1 V 7 ohmios
1N4622-1 Microchip Technology 1N4622-1 2.6400
RFQ
 ECAD 8700 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AA, do-7, axial 1N4622 500 MW Do-7 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 2.5 µA @ 2 V 3.9 V 1650 ohmios
DN2625DK6-G Microchip Technology DN2625DK6-G 3.3500
RFQ
 ECAD 1871 0.00000000 Tecnología de Microchip - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8-vdfn DN2625 Mosfet (Óxido de metal) - 8-DFN (5x5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 490 2 Canal N (Dual) 250V 1.1a 3.5ohm @ 1a, 0V - 7.04nc @ 1.5V 1000pf @ 25V MODO DE AGOTAMENTO
CDLL3027A Microchip Technology CDLL3027A 15.3000
RFQ
 ECAD 2669 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 10% -55 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Do-213ab, melf CDLL3027 1 W DO-213AB - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 15.2 V 20 V 22 ohmios
JANSP2N5152 Microchip Technology Jansp2n5152 95.9904
RFQ
 ECAD 3181 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/544 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 1 W TO-39 (TO-205Ad) - Alcanzar sin afectado 150-JANSP2N5152 1 80 V 2 A 50 µA NPN 1.5V @ 500mA, 5A 30 @ 2.5a, 5V -
JANSM2N5153U3 Microchip Technology Jansm2n5153u3 229.9812
RFQ
 ECAD 5349 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/545 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo 1.16 W U3 - Alcanzar sin afectado 150-Jansm2n5153u3 1 80 V 2 A 50 µA PNP 1.5V @ 500mA, 5A 70 @ 2.5a, 5V -
JAN1N4479US Microchip Technology Jan1n4479us 10.8150
RFQ
 ECAD 4004 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/406 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Sq-melf, un 1N4479 1.5 W D-5A descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 Ma 50 na @ 31.2 V 39 V 30 ohmios
1N976B-1 Microchip Technology 1N976B-1 1.8753
RFQ
 ECAD 5416 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-1N976B-1 EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 500 na @ 33 V 43 V 93 ohmios
1PMT5943BE3/TR13 Microchip Technology 1 PMT5943BE3/TR13 0.7350
RFQ
 ECAD 5966 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-216AA 1pmt5943 3 W DO-216AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 12,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 42.6 V 56 V 86 ohmios
CDLL4713 Microchip Technology CDLL4713 3.4950
RFQ
 ECAD 8250 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Do-213ab, melf CDLL4713 500 MW DO-213AB descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 22.8 V 30 V
1N2264A Microchip Technology 1N2264A 44.1600
RFQ
 ECAD 6774 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje DO-203AA, DO-4, semento Estándar DO-4 (DO-203AA) descascar Alcanzar sin afectado 150-1N2264A EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.2 V @ 30 A 10 µA @ 1200 V -65 ° C ~ 200 ° C 22A -
APT10045B2LLG Microchip Technology Apt10045b2llg 32.4000
RFQ
 ECAD 8323 0.00000000 Tecnología de Microchip Power MOS 7® Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Variatura a 247-3 Apt10045 Mosfet (Óxido de metal) T-Max ™ [B2] descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 1000 V 23a (TC) 10V 450mohm @ 11.5a, 10V 5V @ 2.5MA 154 NC @ 10 V ± 30V 4350 pf @ 25 V - 565W (TC)
JANTXV1N989BUR-1/TR Microchip Technology Jantxv1n989bur-1/tr -
RFQ
 ECAD 7450 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/117 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AA 400 MW DO-213AA - 150-JantXv1N989Bur-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.3 V @ 200 Ma 500 na @ 114 V 150 V 1500 ohmios
1N4734AP/TR8 Microchip Technology 1N4734AP/TR8 1.8900
RFQ
 ECAD 3945 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4734 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 2 V 5.6 V 5 ohmios
JANTXV1N4964CUS/TR Microchip Technology Jantxv1n4964cus/tr 19.3350
RFQ
 ECAD 4853 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/356 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, B 5 W E-Mada - 150-jantxv1n4964cus/tr EAR99 8541.10.0050 100 1.5 v @ 1 a 5 µA @ 13.7 V 18 V 4 ohmios
JANTX1N4617DUR-1/TR Microchip Technology Jantx1n4617dur-1/tr 26.8394
RFQ
 ECAD 3263 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 500 MW DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantX1N4617DUR-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1 µA @ 1 V 2.4 V 1400 ohmios
JANKCA1N4106C Microchip Technology Jankca1n4106c -
RFQ
 ECAD 7713 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Morir 500 MW Morir - Alcanzar sin afectado 150-Jankca1N4106C EAR99 8541.10.0050 100 1.1 V @ 200 Ma 50 na @ 8.12 V 12 V 200 ohmios
JAN1N4471CUS/TR Microchip Technology Jan1n4471cus/tr 27.8250
RFQ
 ECAD 3584 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/406 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Sq-melf, un 1.5 W D-5A - 150-Enero1n4471cus/TR EAR99 8541.10.0050 100 1.5 v @ 1 a 50 na @ 14.4 V 18 V 11 ohmios
JANS1N6321CUS/TR Microchip Technology Jans1n6321cus/tr 285.2250
RFQ
 ECAD 7528 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, B 500 MW B, SQ-Melf - Alcanzar sin afectado 150-jans1n6321cus/tr EAR99 8541.10.0050 50 1.4 v @ 1 a 2 µA @ 5 V 7.5 V 4 ohmios
1N755A/TR Microchip Technology 1N755A/TR 2.3400
RFQ
 ECAD 7011 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Alcanzar sin afectado 150-1N755A/TR EAR99 8541.10.0050 404 1.1 V @ 200 Ma 2 µA @ 5 V 7.5 V 6 ohmios
JAN1N3821CUR-1/TR Microchip Technology Jan1N3821Cur-1/TR 31.6141
RFQ
 ECAD 2477 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/115 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) 1 W DO-213AB (Melf, LL41) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-ENERO1N3821CUR-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 100 µA @ 1 V 3.3 V 10 ohmios
JANTX1N984D-1 Microchip Technology Jantx1n984d-1 8.4900
RFQ
 ECAD 8608 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/117 Una granela Activo ± 1% -55 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N984 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 500 na @ 69 V 91 V 400 ohmios
1N4689UR-1E3 Microchip Technology 1N4689UR-1E3 4.6816
RFQ
 ECAD 7419 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AA 500 MW DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-1N4689UR-1E3 EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 100 Ma 10 µA @ 3 V 5.1 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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