SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Resistencia - RDS (ON) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
1N2060 Microchip Technology 1N2060 158.8200
RFQ
ECAD 8813 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje DO-205AB, DO-9, Semento Estándar DO-205AB (DO-9) descascar Alcanzar sin afectado 150-1N2060 EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 350 V 1.3 V @ 300 A 75 µA @ 350 V -65 ° C ~ 190 ° C 275a -
JANTX1N4967C Microchip Technology Jantx1n4967c 18.2550
RFQ
ECAD 5773 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero E, axial 1N4967 5 W E, axial descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µA @ 18.2 V 24 V 5 ohmios
JANTX1N5419US/TR Microchip Technology Jantx1n5419us/tr 11.0400
RFQ
ECAD 4424 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/411 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SQ-Melf, B Estándar B, SQ-Melf - 150-JantX1N5419US/TR 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 500 V 1.5 v @ 9 a 250 ns 1 µA @ 500 V -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
JANTX1N989B-1/TR Microchip Technology Jantx1n989b-1/tr -
RFQ
ECAD 3421 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/117 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantX1N989B-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.3 V @ 200 Ma 500 na @ 114 V 150 V 1.5 ohmios
JANTX1N4114CUR-1/TR Microchip Technology Jantx1n4114cur-1/tr 21.9450
RFQ
ECAD 3039 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 500 MW DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantX1N4114CUR-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 15.2 V 20 V 150 ohmios
2N4393 Microchip Technology 2N4393 18.2875
RFQ
ECAD 5710 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero - 2N4393 1.8 W Un 18 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2N4393MS EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 14pf @ 20V 40 V 5 Ma @ 20 V 500 MV @ 1 Na 100 ohmios
1N5361/TR12 Microchip Technology 1N5361/TR12 2.6250
RFQ
ECAD 1103 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero T-18, axial 1N5361 5 W T-18 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 1 a 500 na @ 19.4 V 27 V 5 ohmios
JANS1N4129UR-1/TR Microchip Technology Jans1n4129ur-1/tr 45.8600
RFQ
ECAD 3937 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TA) Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 500 MW DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-Jans1n4129ur-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 47.1 V 62 V 500 ohmios
JAN1N6314US/TR Microchip Technology Jan1n6314us/tr 15.4350
RFQ
ECAD 5885 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/533 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, B 500 MW B, SQ-Melf - 150-ENERO1N6314US/TR EAR99 8541.10.0050 100 1.4 v @ 1 a 2 µA @ 1 V 3.9 V 23 ohmios
1N5532D/TR Microchip Technology 1N5532D/TR 5.8650
RFQ
ECAD 4265 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - Alcanzar sin afectado 150-1N5532D/TR EAR99 8541.10.0050 161 1.1 V @ 200 Ma 50 na @ 10.8 V 12 V 90 ohmios
1N5987UR/TR Microchip Technology 1N5987ur/TR 3.7350
RFQ
ECAD 6049 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo - -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AA 500 MW DO-213AA - 150-1N5987ur/TR EAR99 8541.10.0050 264 1.1 V @ 200 Ma 3 V
CDLL4972 Microchip Technology CDLL4972 11.1450
RFQ
ECAD 5356 0.00000000 Tecnología de Microchip * Una granela Activo - Alcanzar sin afectado 150-CDLL4972 EAR99 8541.10.0050 1
1N5952BUR-1/TR Microchip Technology 1N5952Bur-1/TR 7.7200
RFQ
ECAD 6349 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) 1.25 W DO-213AB (Melf, LL41) - EAR99 8541.10.0050 125 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 98.9 V 130 V 450 ohmios
JANTXV1N4965DUS Microchip Technology Jantxv1n4965dus 33.0450
RFQ
ECAD 6025 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/356 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, B 5 W E-Mada - Alcanzar sin afectado 150-jantxv1n4965dus EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µA @ 15.2 V 20 V 4.5 ohmios
JAN1N4496DUS/TR Microchip Technology Jan1n4496dus/tr 33.6000
RFQ
ECAD 2939 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/406 Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Sq-melf, un 1.5 W D-5A - 150-ENERO1N4496DUS/TR EAR99 8541.10.0050 100 1.5 v @ 1 a 250 na @ 160 V 200 V 1500 ohmios
CDLL4931/TR Microchip Technology CDLL4931/TR 79.8150
RFQ
ECAD 7065 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie DO-213AA 500 MW DO-213AA descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-CDLL4931/TR EAR99 8541.10.0050 1 15 µA @ 12 V 19.2 V 36 ohmios
JANS1N4490DUS Microchip Technology Jans1n4490dus 330.2550
RFQ
ECAD 6676 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Sq-melf, un 1.5 W D-5A - Alcanzar sin afectado 150-JANS1N4490DUS EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 250 na @ 88 V 110 V 300 ohmios
2N3867S Microchip Technology 2N3867S 10.9459
RFQ
ECAD 6908 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero 2N3867 1 W TO-39 (TO-205Ad) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 40 V 3 MA 100 µA (ICBO) PNP 1.5V @ 250 Ma, 2.5a 40 @ 1.5a, 2v -
JANHCA1N963C Microchip Technology Janhca1n963c -
RFQ
ECAD 6258 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Morir 500 MW Morir - Alcanzar sin afectado 150-JANHCA1N963C EAR99 8541.10.0050 100 1.1 V @ 200 Ma 5 µA @ 9.1 V 12 V 11.5 ohmios
1N5540D Microchip Technology 1N5540D 5.6850
RFQ
ECAD 4472 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - Alcanzar sin afectado 150-1N5540D EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 18 V 20 V 100 ohmios
JANS1N825-1 Microchip Technology Jans1n825-1 125.8050
RFQ
ECAD 7116 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/159 Una granela Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 6.2 V 15 ohmios
UES1104 Microchip Technology UES1104 23.4000
RFQ
ECAD 1658 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo A Través del Aguetero A, axial UES1104 Estándar A, axial descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.25 v @ 1 a 50 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
1N3267 Microchip Technology 1N3267 151.2750
RFQ
ECAD 1242 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje DO-205AB, DO-9, Semento 1N3267 Estándar DO-205AB (DO-9) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N3267MS EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 300 A 75 µA @ 400 V -65 ° C ~ 190 ° C 275a -
R50480 Microchip Technology R50480 158.8200
RFQ
ECAD 8214 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje DO-205AB, DO-9, Semento Polaridad Inversa Estándar DO-205AB (DO-9) - Alcanzar sin afectado 150-R50480 EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.25 V @ 1000 A 75 µA @ 800 V -65 ° C ~ 200 ° C 300A -
JANTX1N5618US/TR Microchip Technology Jantx1n5618us/tr 9.1500
RFQ
ECAD 8399 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/427 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sq-melf, un Estándar D-5A - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantX1N5618US/TR EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 V @ 3 A 2 µs 500 na @ 600 V -65 ° C ~ 200 ° C 1A -
JANTXV1N4114CUR-1/TR Microchip Technology Jantxv1n4114cur-1/tr 25.6690
RFQ
ECAD 1684 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 500 MW DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantXV1N4114CUR-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 15.2 V 20 V 150 ohmios
1N5370AE3/TR13 Microchip Technology 1N5370AE3/TR13 0.9900
RFQ
ECAD 8163 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero T-18, axial 1N5370 5 W T-18 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.250 1.2 v @ 1 a 500 na @ 40.3 V 56 V 35 ohmios
JANTXV1N971C-1/TR Microchip Technology Jantxv1n971c-1/tr 8.0332
RFQ
ECAD 7106 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/117 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantXV1N971C-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 500 na @ 21 V 27 V 41 ohmios
1N5919CE3/TR13 Microchip Technology 1N5919CE3/TR13 -
RFQ
ECAD 4220 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N5919 1.5 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 3 V 5.6 V 2 ohmios
CD6311 Microchip Technology CD6311 2.1014
RFQ
ECAD 1295 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo - - Montaje en superficie Morir Morir - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-CD6311 EAR99 8541.10.0050 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock