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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Tipo de fet | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia - RDS (ON) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N2060 | 158.8200 | ![]() | 8813 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AB, DO-9, Semento | Estándar | DO-205AB (DO-9) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N2060 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 350 V | 1.3 V @ 300 A | 75 µA @ 350 V | -65 ° C ~ 190 ° C | 275a | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx1n4967c | 18.2550 | ![]() | 5773 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | E, axial | 1N4967 | 5 W | E, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 18.2 V | 24 V | 5 ohmios | ||||||||||||||||||||||
Jantx1n5419us/tr | 11.0400 | ![]() | 4424 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/411 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | Estándar | B, SQ-Melf | - | 150-JantX1N5419US/TR | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 1.5 v @ 9 a | 250 ns | 1 µA @ 500 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||
Jantx1n989b-1/tr | - | ![]() | 3421 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N989B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.3 V @ 200 Ma | 500 na @ 114 V | 150 V | 1.5 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx1n4114cur-1/tr | 21.9450 | ![]() | 3039 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N4114CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 15.2 V | 20 V | 150 ohmios | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4393 | 18.2875 | ![]() | 5710 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | - | 2N4393 | 1.8 W | Un 18 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2N4393MS | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 14pf @ 20V | 40 V | 5 Ma @ 20 V | 500 MV @ 1 Na | 100 ohmios | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N5361/TR12 | 2.6250 | ![]() | 1103 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5361 | 5 W | T-18 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 19.4 V | 27 V | 5 ohmios | ||||||||||||||||||||||
![]() | Jans1n4129ur-1/tr | 45.8600 | ![]() | 3937 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jans1n4129ur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 47.1 V | 62 V | 500 ohmios | |||||||||||||||||||||||
Jan1n6314us/tr | 15.4350 | ![]() | 5885 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | 150-ENERO1N6314US/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 v @ 1 a | 2 µA @ 1 V | 3.9 V | 23 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
1N5532D/TR | 5.8650 | ![]() | 4265 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5532D/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 161 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 10.8 V | 12 V | 90 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5987ur/TR | 3.7350 | ![]() | 6049 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | 150-1N5987ur/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 264 | 1.1 V @ 200 Ma | 3 V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL4972 | 11.1450 | ![]() | 5356 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4972 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5952Bur-1/TR | 7.7200 | ![]() | 6349 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1.25 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 125 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 98.9 V | 130 V | 450 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n4965dus | 33.0450 | ![]() | 6025 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n4965dus | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 15.2 V | 20 V | 4.5 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n4496dus/tr | 33.6000 | ![]() | 2939 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | - | 150-ENERO1N4496DUS/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 250 na @ 160 V | 200 V | 1500 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL4931/TR | 79.8150 | ![]() | 7065 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4931/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 12 V | 19.2 V | 36 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
Jans1n4490dus | 330.2550 | ![]() | 6676 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | - | Alcanzar sin afectado | 150-JANS1N4490DUS | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 250 na @ 88 V | 110 V | 300 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3867S | 10.9459 | ![]() | 6908 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 2N3867 | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 V | 3 MA | 100 µA (ICBO) | PNP | 1.5V @ 250 Ma, 2.5a | 40 @ 1.5a, 2v | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | Janhca1n963c | - | ![]() | 6258 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | - | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N963C | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 9.1 V | 12 V | 11.5 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
1N5540D | 5.6850 | ![]() | 4472 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5540D | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 18 V | 20 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
Jans1n825-1 | 125.8050 | ![]() | 7116 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/159 | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
UES1104 | 23.4000 | ![]() | 1658 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | A, axial | UES1104 | Estándar | A, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.25 v @ 1 a | 50 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N3267 | 151.2750 | ![]() | 1242 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AB, DO-9, Semento | 1N3267 | Estándar | DO-205AB (DO-9) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 1N3267MS | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 300 A | 75 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 190 ° C | 275a | - | |||||||||||||||||||||
![]() | R50480 | 158.8200 | ![]() | 8214 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AB, DO-9, Semento | Polaridad Inversa Estándar | DO-205AB (DO-9) | - | Alcanzar sin afectado | 150-R50480 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.25 V @ 1000 A | 75 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 300A | - | |||||||||||||||||||||||
Jantx1n5618us/tr | 9.1500 | ![]() | 8399 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/427 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sq-melf, un | Estándar | D-5A | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N5618US/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 3 A | 2 µs | 500 na @ 600 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n4114cur-1/tr | 25.6690 | ![]() | 1684 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N4114CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 15.2 V | 20 V | 150 ohmios | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5370AE3/TR13 | 0.9900 | ![]() | 8163 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5370 | 5 W | T-18 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.250 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 40.3 V | 56 V | 35 ohmios | ||||||||||||||||||||||
Jantxv1n971c-1/tr | 8.0332 | ![]() | 7106 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N971C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 21 V | 27 V | 41 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5919CE3/TR13 | - | ![]() | 4220 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5919 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 3 V | 5.6 V | 2 ohmios | ||||||||||||||||||||||
![]() | CD6311 | 2.1014 | ![]() | 1295 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | - | Montaje en superficie | Morir | Morir | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD6311 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 |
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