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Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CDLL5991 | 2.2950 |  | 3959 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | CDLL5991 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | SMBJ5940A/TR13 | 1.5600 | | 6922 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ5940 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 32.7 V | 43 V | 53 ohmios | |||||||||
 | Jans1n4578a-1 | 75.8700 | | 6853 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/452 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 50 ohmios | ||||||||||||
| Jantx1n4551rb | - | | 8390 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/358 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 50 W | Do-5 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 100 µA @ 1 V | 4.7 V | 0.12 ohmios | |||||||||||
 | Jantx1n6620u/tr | 18.2700 | | 8304 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/585 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sq-melf, un | Polaridad Inversa Estándar | A, SQ-Melf | - | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N6620U/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 220 V | 1.4 V @ 1.2 A | 45 ns | 500 na @ 220 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1.2a | - | |||||||||
| 1N732A | 1.9200 | | 3610 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N732 | 250 MW | Do-35 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 56 V | 0.14 ohmios | |||||||||||
| 1N2055 | 158.8200 | | 9647 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AB, DO-9, Semento | Estándar | DO-205AB (DO-9) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N2055 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.3 V @ 300 A | 75 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 190 ° C | 275a | - | ||||||||||
| Jans1n4491us/tr | 162.1800 | | 7595 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | - | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4491us/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 250 na @ 96 V | 120 V | 400 ohmios | |||||||||||
| Jan1n6347d | 49.5300 | | 1275 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1n6347d | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 69 V | 91 V | 270 ohmios | |||||||||||
 | Jantxv1n5520dur-1/tr | 55.0221 | | 1163 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N5520DUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 1 V | 3.9 V | 22 ohmios | ||||||||||
| UZ7707HR2 | 647.4450 | | 1017 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje | Semental | 10 W | Axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-UZ7707HR2 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 800 µA @ 5.7 V | 7.5 V | 0.7 ohmios | ||||||||||||
 | Jans1n6661/tr | - | | 3665 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/587 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | Do-35 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n6661/tr | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 225 V | 1 V @ 400 Ma | 50 na @ 225 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 500mA | - | |||||||||
| SMBJ5932AE3/TR13 | 0.8850 | | 2492 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ5932 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 15.2 V | 20 V | 14 ohmios | |||||||||
| UFR7040 | 97.1250 | | 1938 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-UFR7040 | 1 | |||||||||||||||||||||||
| Jan1N3008RB | - | | 8097 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/124 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 10 W | DO-213AA (DO-4) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 91.2 V | 120 V | 75 ohmios | |||||||||||
 | Smaj5921e3/tr13 | - | | 4805 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Smaj5921 | 3 W | DO-214AC (SMAJ) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 5.2 V | 6.8 V | 2.5 ohmios | |||||||||
 | 1N968BE3/TR | 2.1679 | | 5616 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N968BE3/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 15.2 V | 20 V | 25 ohmios | ||||||||||
| Jantx1n4615ur-1/tr | 8.1662 | | 8637 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jantx1n4615ur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2.5 µA @ 1 V | 2 V | 1250 ohmios | |||||||||||
| S307050F | 49.0050 | | 6718 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-S307050F | 1 | |||||||||||||||||||||||
| MBR20150FCTE3/TU | 1.1700 | | 6066 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tubo | Activo | MBR20150 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | |||||||||||||||||||
| CDLL5238C | 6.7200 | | 9823 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5238C | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 3 µA @ 6.5 V | 8.7 V | 8 ohmios | |||||||||||
| Jan1n5520dur-1/TR | 41.1768 | | 8373 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N5520DUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 1 V | 3.9 V | 22 ohmios | ||||||||||
| 1N3154A-1/TR | 6.6300 | | 3144 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N3154 | 500 MW | Do-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N3154A-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 5.5 V | 8.8 V | 15 ohmios | |||||||||
| 1N4508 | 42.4950 | | 7046 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 1N4508 | Estándar | DO-4 (DO-203AA) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.2 V @ 30 A | 10 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 22A | - | |||||||||
 | CD4740A | 1.8354 | | 8994 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 1 W | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD4740A | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 3 µA @ 7.6 V | 10 V | 7 ohmios | ||||||||||
| 1N457A/TR | 3.9600 | | 9155 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Polaridad Inversa Estándar | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N457A/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 239 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 70 V | 1 V @ 100 Ma | 1 µA @ 70 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 150 Ma | - | ||||||||||
| Jan1n6318d | 30.4350 | | 7819 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N6318 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 5 µA @ 2.5 V | 5.6 V | 8 ohmios | ||||||||||
 | Jantxv1n5969cus | - | | 3452 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 5 W | D-5B | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 1 ma @ 4.74 V | 6.2 V | 1 ohmios | |||||||||||
 | Jan1n3050cur-1/TR | - | | 9862 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1.25 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | 150-Enero1n3050cur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 136.8 V | 180 V | 1200 ohmios | ||||||||||||
| 1N3156 | 31.5600 | | 2743 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N3156 | 500 MW | Do-7 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 5.5 V | 8.4 V | 15 ohmios |
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