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Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CDLL4135D/TR | 11.5311 |  | 9066 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | - | - | - | - | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4135D/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | Jan2N720A | 5.9584 | | 4916 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/182 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N720 | 500 MW | TO-18 (TO-206AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 V | 500 mA | 10 µA (ICBO) | NPN | 5V @ 15 Ma, 150 Ma | 40 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||
 | Jantx1n6318us/tr | - | | 6998 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 1N6318 | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 v @ 1 a | 5 µA @ 2.5 V | 5.6 V | 8 ohmios | ||||||||||||||||
| Jan1n6941utk3/tr | 408.7950 | | 9828 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Thinkey ™ 3 | Schottky | Thinkey ™ 3 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N6941UTK3/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 500 MV @ 50 A | 5 Ma @ 30 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 150a | 7500pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||||||
| SBR3540 | 51.2250 | | 8018 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-SBR3540 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 95HQ015 | 218.1150 | | 4570 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | Schottky | Do-5 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 95HQ015ms | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 15 V | 500 MV @ 80 A | 20 Ma @ 15 V | -55 ° C ~ 100 ° C | 80A | - | |||||||||||||||
 | Jansm2n2907aua/tr | 156.0008 | | 2705 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/291 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | 2N2907 | 500 MW | Ua | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jansm2n2907aua/TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 600 mA | 50NA | PNP | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||
| Jansd2n2222a | 98.4404 | | 1911 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 500 MW | TO-18 (TO-206AA) | - | Alcanzar sin afectado | 150-JANSD2N2222A | 1 | 50 V | 800 Ma | 50NA | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||
 | CDLL979A | 2.8650 | | 8101 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL979 | 500 MW | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 43 V | 56 V | 150 ohmios | |||||||||||||||
| S36110 | 61.1550 | | 5715 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-S36110 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N5532B | 1.8150 | | 5702 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5532 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 2.5 V | 5.1 V | 26 ohmios | ||||||||||||||||
 | 2N5334 | 22.2750 | | 5551 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 6 W | TO-5AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N5334 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 3 A | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||
| 1N458 | 3.7800 | | 5387 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N458 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 150 V | 1 V @ 100 Ma | 1 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 150 Ma | - | ||||||||||||||||
 | 1N4126UR-1 | 3.7950 | | 8761 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 1N4126 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 38.8 V | 51 V | 300 ohmios | |||||||||||||||
 | Jan1n3023d-1 | 21.6750 | | 9874 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N3023 | 1 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 9.9 V | 13 V | 10 ohmios | |||||||||||||||
| 1N4680UR-1/TR | 5.2400 | | 1234 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 186 | 1.5 V @ 100 Ma | 4 µA @ 1 V | 2.2 V | ||||||||||||||||||||
| 1N2431 | 102.2400 | | 8250 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AA, DO-8, Semento | Estándar | DO-205AA (DO-8) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N2431 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.2 v @ 200 a | 50 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 100A | - | ||||||||||||||||
 | MVR2N2222AUB/TR | 29.9649 | | 4535 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 500 MW | UB | - | Alcanzar sin afectado | 150-MVR2N2222AUB/TR | 100 | 50 V | 800 Ma | 50NA | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||
| CDS4153-1 | - | | 9290 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDS4153-1 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 60HFU-400 | 116.5650 | | 2574 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | Estándar | DO-203AB (DO-5) | - | Alcanzar sin afectado | 150-60HFU-400 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | - | - | ||||||||||||||||||||
 | Jantx1n3824d-1/tr | 24.4986 | | 6922 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N3824D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 1 V | 4.3 V | 9 ohmios | ||||||||||||||||
| 1N5280 | 3.1200 | | 3176 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5280 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 137 V | ||||||||||||||||||||||
| Jantxv1n3024d-1 | 36.2100 | | 3466 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N3024 | 1 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 11.4 V | 15 V | 14 ohmios | |||||||||||||||
 | 1N5362B/TR8 | 2.6850 | | 4160 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5362 | 5 W | T-18 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 20.1 V | 28 V | 6 ohmios | |||||||||||||||
| 1N5999UR/TR | 3.7350 | | 9683 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | 150-1n599999ur/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 264 | 1.1 V @ 200 Ma | 9.1 V | ||||||||||||||||||||
| Jantxv1n3026d-1/tr | 33.8618 | | 8068 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N3026D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 13.7 V | 18 V | 20 ohmios | ||||||||||||||||
 | Jans1n6761ur-1 | - | | 7516 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/586 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N6761 | Schottky | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 380 MV @ 100 Ma | 100 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 70pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||||||
| 1N5529Bur-1 | 4.9200 | | 9403 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 1N5529 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 8.2 V | 9.1 V | 45 ohmios | ||||||||||||||||
| 2C2222A | 1.5900 | | 6547 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Montaje en superficie | Morir | 2C2222 | Morir | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1 | 40 V | 10NA (ICBO) | NPN | - | 100 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||
| CDLL5942C | 7.8450 | | 6424 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL5942 | 1.25 W | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 38.8 V | 51 V | 70 ohmios |
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